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940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备
被引量:
3
1
作者
术玲
海一娜
+2 位作者
邹永刚
范杰
王傲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期223-230,共8页
水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空...
水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。
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关键词
面
发射
分布
反馈
(
se-dfb
)
半导体
激光器
二阶光栅
光栅形貌
耦合因子
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职称材料
半导体激光器面面观
被引量:
1
2
作者
罗君
《世界电子元器件》
2002年第11期16-18,共3页
量子阱(QW)激光器 (1)QW激光器 随着金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术的逐渐成熟和完善,QW激光器很快从实验室研制进入商用化。QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件。
关键词
半导体
激光器
量子阱
大功率
分布
反馈
垂直腔
面
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职称材料
光纤通信用半导体激光器
被引量:
1
3
作者
罗毅
王健
+1 位作者
蔡鹏飞
孙长征
《中兴通讯技术》
2002年第4期18-23,共6页
半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半...
半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。
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关键词
光纤通信
半导体
激光器
分布
反馈
布拉格反射器
电吸收型调制器
垂直腔
面
反射器
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职称材料
半导体激光器的进展
被引量:
8
4
作者
王莉
张以谟
+1 位作者
吴荣汉
余金中
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期267-270,共4页
文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标
关键词
半导体
激光器
分布
反馈
量子阱
垂直腔
面
发射
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职称材料
980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析
被引量:
1
5
作者
张星
宁永强
+8 位作者
孙艳芳
张云翼
张岩
刘光裕
史晶晶
王贞福
秦莉
刘云
王立军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期435-439,共5页
理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现...
理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论.
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关键词
半导体
激光器
垂直腔
面
发射
激光器
分布
布拉格反射镜反射率
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职称材料
题名
940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备
被引量:
3
1
作者
术玲
海一娜
邹永刚
范杰
王傲
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期223-230,共8页
基金
吉林省科技发展计划(20190302052GX,20180519018JH)
吉林省教育厅“十三五”科技项目(JJKH20190543KJ)资助。
文摘
水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。
关键词
面
发射
分布
反馈
(
se-dfb
)
半导体
激光器
二阶光栅
光栅形貌
耦合因子
Keywords
surface emitting distributed feedback(
se-dfb
)semiconductor laser
second-order gratings
grating morphology
coupling factor
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
半导体激光器面面观
被引量:
1
2
作者
罗君
机构
信息产业部重庆光电技术研究所
出处
《世界电子元器件》
2002年第11期16-18,共3页
文摘
量子阱(QW)激光器 (1)QW激光器 随着金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术的逐渐成熟和完善,QW激光器很快从实验室研制进入商用化。QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件。
关键词
半导体
激光器
量子阱
大功率
分布
反馈
垂直腔
面
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
光纤通信用半导体激光器
被引量:
1
3
作者
罗毅
王健
蔡鹏飞
孙长征
机构
清华大无线电电子学系
清华大学电子工程系
出处
《中兴通讯技术》
2002年第4期18-23,共6页
文摘
半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。
关键词
光纤通信
半导体
激光器
分布
反馈
布拉格反射器
电吸收型调制器
垂直腔
面
反射器
Keywords
Semiconductor Laser
Distributed feedback
Distributed Bragg reflector
Electro-absorption modulator
VCSEL
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
半导体激光器的进展
被引量:
8
4
作者
王莉
张以谟
吴荣汉
余金中
机构
中国科学院半导体研究所
天津大学精密仪器系
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期267-270,共4页
文摘
文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标
关键词
半导体
激光器
分布
反馈
量子阱
垂直腔
面
发射
Keywords
laser technology, semiconductor laser, DFB,QW,VCSE.
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析
被引量:
1
5
作者
张星
宁永强
孙艳芳
张云翼
张岩
刘光裕
史晶晶
王贞福
秦莉
刘云
王立军
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
中国科学院研究生院
中国科学院声学研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期435-439,共5页
基金
国家自然科学基金(60636020
60706007
+6 种基金
10974012
60876036
90923037
60676034)
吉林省科技发展项目(20080335
20080516)
中国科学院知识创新工程领域前沿项目资助项目
文摘
理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论.
关键词
半导体
激光器
垂直腔
面
发射
激光器
分布
布拉格反射镜反射率
Keywords
semiconductor lasers
vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)
distributed Bragg reflector(DBR) reflectivity
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备
术玲
海一娜
邹永刚
范杰
王傲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
半导体激光器面面观
罗君
《世界电子元器件》
2002
1
在线阅读
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职称材料
3
光纤通信用半导体激光器
罗毅
王健
蔡鹏飞
孙长征
《中兴通讯技术》
2002
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
半导体激光器的进展
王莉
张以谟
吴荣汉
余金中
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1999
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析
张星
宁永强
孙艳芳
张云翼
张岩
刘光裕
史晶晶
王贞福
秦莉
刘云
王立军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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