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940 nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备 被引量:3
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作者 术玲 海一娜 +2 位作者 邹永刚 范杰 王傲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期223-230,共8页
水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空... 水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。 展开更多
关键词 发射分布反馈(se-dfb)半导体激光器 二阶光栅 光栅形貌 耦合因子
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半导体激光器面面观 被引量:1
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作者 罗君 《世界电子元器件》 2002年第11期16-18,共3页
量子阱(QW)激光器 (1)QW激光器 随着金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术的逐渐成熟和完善,QW激光器很快从实验室研制进入商用化。QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件。
关键词 半导体激光器 量子阱 大功率 分布反馈 垂直腔
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光纤通信用半导体激光器 被引量:1
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作者 罗毅 王健 +1 位作者 蔡鹏飞 孙长征 《中兴通讯技术》 2002年第4期18-23,共6页
半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半... 半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。 展开更多
关键词 光纤通信 半导体激光器 分布反馈 布拉格反射器 电吸收型调制器 垂直腔反射器
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半导体激光器的进展 被引量:8
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作者 王莉 张以谟 +1 位作者 吴荣汉 余金中 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期267-270,共4页
文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标
关键词 半导体激光器 分布反馈 量子阱 垂直腔发射
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980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析 被引量:1
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作者 张星 宁永强 +8 位作者 孙艳芳 张云翼 张岩 刘光裕 史晶晶 王贞福 秦莉 刘云 王立军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期435-439,共5页
理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现... 理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论. 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直腔发射激光器 分布布拉格反射镜反射率
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