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LED芯片封装缺陷检测方法研究
被引量：
5
1
作者
蔡有海
文玉梅
+2 位作者
李平
余大海
伍会娟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1040-1044,共5页
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间...
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。
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关键词
LED芯片
封装缺陷检测
p-n结光生伏特效应
电子隧穿效应
非金属膜层
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职称材料
题名
LED芯片封装缺陷检测方法研究
被引量：
5
1
作者
蔡有海
文玉梅
李平
余大海
伍会娟
机构
重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1040-1044,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60676031)
重庆市科技攻关重大项目资助
文摘
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。
关键词
LED芯片
封装缺陷检测
p-n结光生伏特效应
电子隧穿效应
非金属膜层
Keywords
LED chips
packaging fault detection
photovoltaic effect of p-n junction
electron tunneling effect
nonmetal films
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LED芯片封装缺陷检测方法研究
蔡有海
文玉梅
李平
余大海
伍会娟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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