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深亚微米pHEMT器件的建模
被引量：
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作者
韩育
高学邦
《微纳电子技术》
CAS
2003年第12期35-38,共4页
针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。
关键词
深亚微米
PHEMT器件
脉冲测试
非线性等效电路模型
半导体器件
模型
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职称材料
题名
深亚微米pHEMT器件的建模
被引量：
1
1
作者
韩育
高学邦
机构
河北科技大学
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第12期35-38,共4页
文摘
针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。
关键词
深亚微米
PHEMT器件
脉冲测试
非线性等效电路模型
半导体器件
模型
Keywords
deep sub-micron
pHEMT
pulsed test
modeling
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
深亚微米pHEMT器件的建模
韩育
高学邦
《微纳电子技术》
CAS
2003
1
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