期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
微波注入反相器基本电路的非线性效应
1
作者
朱占平
王弘刚
+1 位作者
钱宝良
赵素波
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期2855-2860,共6页
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的...
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40～70ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。
展开更多
关键词
注入实验
非线性扰乱
反相器电路
闩锁
互补型金属氧化物半导体
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
微波注入反相器基本电路的非线性效应
1
作者
朱占平
王弘刚
钱宝良
赵素波
机构
国防科学技术大学光电科学与工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期2855-2860,共6页
基金
国家高技术发展计划项目
文摘
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30dBm,频率在3GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40～70ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。
关键词
注入实验
非线性扰乱
反相器电路
闩锁
互补型金属氧化物半导体
Keywords
injection experiment
nonlinear disturbance
inverters circuit
latch
CMOS
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波注入反相器基本电路的非线性效应
朱占平
王弘刚
钱宝良
赵素波
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
