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GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用
被引量：
1
1
作者
卢东旭
杨克武
+1 位作者
吴洪江
高学邦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期313-315,共3页
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中...
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用。
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关键词
GAN高电子迁移率晶体管
I-V特性
非线性器件模型
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职称材料
题名
GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用
被引量：
1
1
作者
卢东旭
杨克武
吴洪江
高学邦
机构
河北工业大学
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期313-315,共3页
基金
国家部委基金项目
文摘
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用。
关键词
GAN高电子迁移率晶体管
I-V特性
非线性器件模型
Keywords
GaN HEMT
I- V characteristics
nonlinear device model
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用
卢东旭
杨克武
吴洪江
高学邦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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