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GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用 被引量:1
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作者 卢东旭 杨克武 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期313-315,共3页
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中... 介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 I-V特性 非线性器件模型
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