由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,...由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,对应的带隙从2.44 e V渐变到1.74 e V。并使用波长为405 nm的激光照射该纳米线,得到它的荧光光谱图来证实其带隙呈渐变状态。利用波长为1 064 nm的激光,将其耦合进单根纳米线中,产生了532 nm的绿色倍频光和双光子荧光,这说明硫硒化镉纳米线具有二阶和三阶的非线性光学效应。展开更多
O437 950317224-戊基-4’-氰基联苯液晶的分子二阶非线性光学极化率=The measurement method of the mole—cular hyperpolarizability for 4—pentyl—4’—cyanodiphenyl liquid crystal[刊,中]/李加,邵喜斌,王敬伯,赵福潭(中科院长...O437 950317224-戊基-4’-氰基联苯液晶的分子二阶非线性光学极化率=The measurement method of the mole—cular hyperpolarizability for 4—pentyl—4’—cyanodiphenyl liquid crystal[刊,中]/李加,邵喜斌,王敬伯,赵福潭(中科院长春物理研究所.吉林,展开更多
O437 98031721Ce:BaTiO<sub>3</sub>晶体中的各向异性圆锥型散射的初步研究=Study of the anisotropic conical scattering inCe:BaTiO<sub>3</sub> crystal[刊,中]/赵彤,曾令祉,蒋毅坚（北京工业大学应用物理...O437 98031721Ce:BaTiO<sub>3</sub>晶体中的各向异性圆锥型散射的初步研究=Study of the anisotropic conical scattering inCe:BaTiO<sub>3</sub> crystal[刊,中]/赵彤,曾令祉,蒋毅坚（北京工业大学应用物理系.北京（100022））∥北京工业大学学报.—1997,23（2）.展开更多
O437 98021008外加电场对光折变高阶响应影响的微扰分析=Pertur-bativeanalvsis of effect 0f applied electric fieldon high-order response of photorefractive effects[刊,中]/周忠祥,姜永远,孙秀冬,李焱,赵桦,许克彬(哈尔滨工业大...O437 98021008外加电场对光折变高阶响应影响的微扰分析=Pertur-bativeanalvsis of effect 0f applied electric fieldon high-order response of photorefractive effects[刊,中]/周忠祥,姜永远,孙秀冬,李焱,赵桦,许克彬(哈尔滨工业大学应用物理系.黑龙江,哈尔滨(150001)),万秋玉(哈尔滨理工大学.黑龙江。展开更多
文摘由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙,限制了其应用范围。通过搭建气–液–固法生长纳米线的实验装置,引入金作为催化剂,并加入移动源,成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉,对应的带隙从2.44 e V渐变到1.74 e V。并使用波长为405 nm的激光照射该纳米线,得到它的荧光光谱图来证实其带隙呈渐变状态。利用波长为1 064 nm的激光,将其耦合进单根纳米线中,产生了532 nm的绿色倍频光和双光子荧光,这说明硫硒化镉纳米线具有二阶和三阶的非线性光学效应。
文摘O437 950317224-戊基-4’-氰基联苯液晶的分子二阶非线性光学极化率=The measurement method of the mole—cular hyperpolarizability for 4—pentyl—4’—cyanodiphenyl liquid crystal[刊,中]/李加,邵喜斌,王敬伯,赵福潭(中科院长春物理研究所.吉林,
文摘O437 98031721Ce:BaTiO<sub>3</sub>晶体中的各向异性圆锥型散射的初步研究=Study of the anisotropic conical scattering inCe:BaTiO<sub>3</sub> crystal[刊,中]/赵彤,曾令祉,蒋毅坚（北京工业大学应用物理系.北京（100022））∥北京工业大学学报.—1997,23（2）.
文摘O437 98021008外加电场对光折变高阶响应影响的微扰分析=Pertur-bativeanalvsis of effect 0f applied electric fieldon high-order response of photorefractive effects[刊,中]/周忠祥,姜永远,孙秀冬,李焱,赵桦,许克彬(哈尔滨工业大学应用物理系.黑龙江,哈尔滨(150001)),万秋玉(哈尔滨理工大学.黑龙江。
