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硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用
被引量：
4
1
作者
李颖
张治国
+5 位作者
祝永峰
林洪
刘剑
刘沁
匡石
孙海伟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第11期17-19,共3页
对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点...
对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题。该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值。
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关键词
硅电容
传感器
小间隙
非粘连
静电封接
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职称材料
题名
硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用
被引量：
4
1
作者
李颖
张治国
祝永峰
林洪
刘剑
刘沁
匡石
孙海伟
机构
沈阳仪表科学研究院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第11期17-19,共3页
文摘
对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题。该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值。
关键词
硅电容
传感器
小间隙
非粘连
静电封接
Keywords
silicon capacitance sensor small space non-adhesion electrostatic sealing
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用
李颖
张治国
祝永峰
林洪
刘剑
刘沁
匡石
孙海伟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009
4
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