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一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术
被引量:
2
1
作者
朱子诚
王伟
+1 位作者
蒋辰
周芳芳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期13-18,共6页
能带值为0.5~0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO ...
能带值为0.5~0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO glass)对其光伏特性进行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为12.38mA/cm2、320mV、0.28和1.10%.此外,为更好地满足多结太阳能电池对电流匹配的需求,本文对所制备太阳能电池的Cu2SnS3/In2S3p-n结进行了分析.通过在p-n结界面植入一层薄的疏松缓冲层,使调制后的太阳能电池短路电流密度从最初的12.38mA/cm2增加到了23.15mA/cm2,相应太阳能电池转换效率从1.1%增加到了1.92%.该p-n调制技术对印刷型薄膜太阳能电池具有重要借鉴意义.
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关键词
Cu2SnS3薄膜太阳能电池
非真空印刷法
In2S3
Cu2SnS3
p-n结调制技术
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职称材料
题名
一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术
被引量:
2
1
作者
朱子诚
王伟
蒋辰
周芳芳
机构
上海理工大学光电信息与计算机工程学院教育部光学仪器与系统工程研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期13-18,共6页
基金
上海市科委科技基金(No.10540500700)
上海市重点学科第三期(No.S30502)资助
文摘
能带值为0.5~0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO glass)对其光伏特性进行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为12.38mA/cm2、320mV、0.28和1.10%.此外,为更好地满足多结太阳能电池对电流匹配的需求,本文对所制备太阳能电池的Cu2SnS3/In2S3p-n结进行了分析.通过在p-n结界面植入一层薄的疏松缓冲层,使调制后的太阳能电池短路电流密度从最初的12.38mA/cm2增加到了23.15mA/cm2,相应太阳能电池转换效率从1.1%增加到了1.92%.该p-n调制技术对印刷型薄膜太阳能电池具有重要借鉴意义.
关键词
Cu2SnS3薄膜太阳能电池
非真空印刷法
In2S3
Cu2SnS3
p-n结调制技术
Keywords
CuzSnS3 thin film solar cell
Non-vacuum printing technology
In2S3/Cu2SnS3 p-njunction modulation technique
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术
朱子诚
王伟
蒋辰
周芳芳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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