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ZnO线性电阻陶瓷体与烧银电极的电接触 被引量:4
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作者 李盛涛 张炜 刘辅宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期85-88,共4页
研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元... 研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元素分析。研究结果表明 ,烧银电极与 Zn O线性电阻陶瓷体间的电接触是非欧姆接触 ,其非线性指数为 1.68。该非欧姆接触电阻是在烧银过程中银浆中的 Pb2 +离子沿晶界向瓷体内部扩散的结果 ,是 Zn O陶瓷线性电阻片非线性指数 α增大 ,表观电阻在 8/ 2 0 μs脉冲电流冲击后下降等现象的原因。 展开更多
关键词 陶瓷线性电阻 非欧姆接触 氧化锌 烧银电极
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超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析 被引量:1
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作者 田秀伟 吕元杰 +2 位作者 宋旭波 房玉龙 冯志红 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期511-515,530,共6页
采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至60... 采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至600 nm。同时,结合40 nm T型栅工艺,制备了高电流截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN HFET器件。结果显示减小欧姆接触电阻和栅长后,器件的电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升。栅偏压为0 V时,器件最大漏源饱和电流密度达到1.88 A/mm;直流峰值跨导达到681 m S/mm。根据射频小信号测试结果外推得到器件的f_T和f_(max)同为217 GHz。 展开更多
关键词 InAlN/GaN 纳米T型栅 合金欧姆接触 电流增益截止频率 最大振荡频率
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高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
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作者 邹学锋 吕元杰 +2 位作者 宋旭波 郭红雨 张志荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期103-107,114,共6页
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEM... 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 再生长n+GaN 合金欧姆接触 纳米栅 电流增益截止频率
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f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究(英文)
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作者 付兴昌 吕元杰 +6 位作者 张力江 张彤 李献杰 宋旭波 张志荣 房玉龙 冯志红 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期15-19,共5页
采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该... 采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值. 展开更多
关键词 铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 合金欧姆接触工艺 纳米栅
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