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ZnO线性电阻陶瓷体与烧银电极的电接触
被引量:
4
1
作者
李盛涛
张炜
刘辅宜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期85-88,共4页
研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元...
研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元素分析。研究结果表明 ,烧银电极与 Zn O线性电阻陶瓷体间的电接触是非欧姆接触 ,其非线性指数为 1.68。该非欧姆接触电阻是在烧银过程中银浆中的 Pb2 +离子沿晶界向瓷体内部扩散的结果 ,是 Zn O陶瓷线性电阻片非线性指数 α增大 ,表观电阻在 8/ 2 0 μs脉冲电流冲击后下降等现象的原因。
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关键词
陶瓷线性电阻
非欧姆接触
氧化锌
烧银电极
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职称材料
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析
被引量:
1
2
作者
田秀伟
吕元杰
+2 位作者
宋旭波
房玉龙
冯志红
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期511-515,530,共6页
采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至60...
采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至600 nm。同时,结合40 nm T型栅工艺,制备了高电流截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN HFET器件。结果显示减小欧姆接触电阻和栅长后,器件的电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升。栅偏压为0 V时,器件最大漏源饱和电流密度达到1.88 A/mm;直流峰值跨导达到681 m S/mm。根据射频小信号测试结果外推得到器件的f_T和f_(max)同为217 GHz。
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关键词
InAlN/GaN
纳米T型栅
非
合金
欧姆
接触
电流增益截止频率
最大振荡频率
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职称材料
高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
3
作者
邹学锋
吕元杰
+2 位作者
宋旭波
郭红雨
张志荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期103-107,114,共6页
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEM...
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。
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关键词
ALGAN/GAN
再生长n+GaN
非
合金
欧姆
接触
纳米栅
电流增益截止频率
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职称材料
f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究(英文)
4
作者
付兴昌
吕元杰
+6 位作者
张力江
张彤
李献杰
宋旭波
张志荣
房玉龙
冯志红
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期15-19,共5页
采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该...
采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.
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关键词
铟铝氮氮化镓异质结
异质结场效应晶体管
电流增益截止频率
非
合金
欧姆
接触
工艺
纳米栅
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职称材料
题名
ZnO线性电阻陶瓷体与烧银电极的电接触
被引量:
4
1
作者
李盛涛
张炜
刘辅宜
机构
西安交通大学电气绝缘研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期85-88,共4页
基金
国家教委基金
博士点基金资助项目
文摘
研究了在 2 ms脉冲电流冲击下烧银电极的Zn O陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/ 2 0μs标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系 ,进行了扫描电镜的能谱元素分析。研究结果表明 ,烧银电极与 Zn O线性电阻陶瓷体间的电接触是非欧姆接触 ,其非线性指数为 1.68。该非欧姆接触电阻是在烧银过程中银浆中的 Pb2 +离子沿晶界向瓷体内部扩散的结果 ,是 Zn O陶瓷线性电阻片非线性指数 α增大 ,表观电阻在 8/ 2 0 μs脉冲电流冲击后下降等现象的原因。
关键词
陶瓷线性电阻
非欧姆接触
氧化锌
烧银电极
Keywords
ZnO ceramic linear resistor,nonohmic contact,diffusion
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析
被引量:
1
2
作者
田秀伟
吕元杰
宋旭波
房玉龙
冯志红
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路国家级重点实验室
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期511-515,530,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306113
61674130)
文摘
采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至600 nm。同时,结合40 nm T型栅工艺,制备了高电流截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN HFET器件。结果显示减小欧姆接触电阻和栅长后,器件的电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升。栅偏压为0 V时,器件最大漏源饱和电流密度达到1.88 A/mm;直流峰值跨导达到681 m S/mm。根据射频小信号测试结果外推得到器件的f_T和f_(max)同为217 GHz。
关键词
InAlN/GaN
纳米T型栅
非
合金
欧姆
接触
电流增益截止频率
最大振荡频率
Keywords
InAlN/GaN
nano-T-shaped gate
nonalloyed ohmic contact
current gain cut-off frequency
maximum oscillation frequency
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
3
作者
邹学锋
吕元杰
宋旭波
郭红雨
张志荣
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期103-107,114,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306113)
文摘
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。
关键词
ALGAN/GAN
再生长n+GaN
非
合金
欧姆
接触
纳米栅
电流增益截止频率
Keywords
AlGaN/GaN
regrown n+-GaN
nonalloyed ohmic contact
nano-gate
current gain cut-off frequency
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究(英文)
4
作者
付兴昌
吕元杰
张力江
张彤
李献杰
宋旭波
张志荣
房玉龙
冯志红
机构
信息显示与可视化国际合作联合实验室电子科学与工程学院东南大学
河北半导体研究所
专用集成电路国家级重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期15-19,共5页
文摘
采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.
关键词
铟铝氮氮化镓异质结
异质结场效应晶体管
电流增益截止频率
非
合金
欧姆
接触
工艺
纳米栅
Keywords
InAlN/GaN, HFET, current gain cut-off frequency, nonalloyed Ohmic contacts, nano-gate
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO线性电阻陶瓷体与烧银电极的电接触
李盛涛
张炜
刘辅宜
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
4
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职称材料
2
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析
田秀伟
吕元杰
宋旭波
房玉龙
冯志红
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
邹学锋
吕元杰
宋旭波
郭红雨
张志荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究(英文)
付兴昌
吕元杰
张力江
张彤
李献杰
宋旭波
张志荣
房玉龙
冯志红
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
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