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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
1
作者
赵见国
殷瑞
+7 位作者
徐儒
倪海彬
陶涛
庄喆
严羽
谢自力
刘斌
常建华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期204-210,共7页
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。...
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。
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关键词
半
极性
面
非极性面
INN薄膜
外延生长
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职称材料
非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
2
作者
孙莉莉
闫发旺
+4 位作者
张会肖
王军喜
曾一平
王国宏
李晋闽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期127-128,139,共3页
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要...
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN∶Mn退火样品具有室温铁磁特性。
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关键词
稀磁半导体
非
极性
a
面
p-GaN
离子注入
室温铁磁性
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职称材料
题名
极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
1
作者
赵见国
殷瑞
徐儒
倪海彬
陶涛
庄喆
严羽
谢自力
刘斌
常建华
机构
南京信息工程大学电子与信息工程学院
南京大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期204-210,共7页
基金
国家自然科学基金(62204121)。
文摘
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。
关键词
半
极性
面
非极性面
INN薄膜
外延生长
Keywords
semipolar
nonpolar
InN film
epitaxial growth
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
2
作者
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
曾一平
王国宏
李晋闽
机构
中科院半导体研究所半导体照明研发中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期127-128,139,共3页
基金
国家自然科学基金(60876068)
留学回国人员科研启动基金(08y1010000)
文摘
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN∶Mn退火样品具有室温铁磁特性。
关键词
稀磁半导体
非
极性
a
面
p-GaN
离子注入
室温铁磁性
Keywords
diluted magnetic semiconductor(DMS)
nonpolar a-plane p-GaN
ion implantation
room temperature ferromagnetism
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
赵见国
殷瑞
徐儒
倪海彬
陶涛
庄喆
严羽
谢自力
刘斌
常建华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
曾一平
王国宏
李晋闽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
已选择
0
条
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