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题名射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管
被引量：5
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作者
信恩龙
李喜峰
陈龙龙
石继锋
李春亚
张建华
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机构
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1149-1152,共4页
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基金
国家自然科学基金(61006005)
上海市科学技术委员会项目(10dz1100102)资助项目
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文摘
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。
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关键词
非晶铟镓锌氧薄膜
薄膜晶体管
场效应迁移率
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Keywords
amorphous indium gallium zinc oxide thin film
thin film transistor
field effect mobility
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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