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非晶金刚石薄膜的拉曼光谱研究被引量：10: 1; 作者陈弟虎魏爱香 +4 位作者周友国范家海杨增红彭少麒魏爱香《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期179-182,共4页; 碳离子的能量是影响非晶金刚石薄膜结构和性质最关键的工艺参数．采用磁过滤真空溅射离子技术，研究不同衬底偏压Ｖｂ（即不同碳离子能量）下制备的非晶金刚石薄膜的拉曼光谱和表面形貌．结果表明：－５０Ｖ≤Ｖｂ≤－１０Ｖ时，样品表... 展开更多; 关键词非晶金刚石薄膜拉曼光谱表面形貌半导体薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶金刚石薄膜的sp^3键成分的XPS谱研究被引量：4: 2; 作者魏爱香陈弟虎周有国《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期179-182,共4页; 把非晶金刚石薄膜的XPSC1s谱分解为中心在 2 84 .4± 0 .1eV和 2 85 .2± 0 .1eV的两个高斯特征峰 ,分别对应于碳薄膜中的sp2 C和sp3 C。用这两个高斯特征峰的面积除以C1s谱的总面积 ,得出非晶金刚石薄膜中sp2 C和sp3 C的比例... 展开更多; 关键词非晶金刚石薄膜 sp^3键成分 XPS谱 X射线光电子能谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究被引量：4: 3; 作者朱嘉琦卢佳 +2 位作者田桂檀满林耿达《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1064-1066,共3页; 以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太... 展开更多; 关键词非晶金刚石薄膜非晶硅太阳电池 P型掺杂转化效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响被引量：2: 4; 作者周江云李琼 +2 位作者徐静芳茅东升柳襄怀《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期45-48,共4页; 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄... 展开更多; 关键词非晶金刚石薄膜 SP^2键场发射 FAD; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用磁过滤MEVVA源制备DLC膜的研究被引量：4: 5; 作者张旭张通和 +2 位作者易仲珍张荟星王广甫《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期478-481,共4页; 采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下... 展开更多; 关键词磁过滤 MEVVA源制备 DLC膜类金刚石膜金属蒸汽真空弧沉积非晶金刚石薄膜耐磨损性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶金刚石薄膜的拉曼光谱研究被引量：10: 1; 作者陈弟虎魏爱香周友国范家海杨增红彭少麒魏爱香; 机构中山大学物理系海军广州舰艇学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期179-182,共4页; 文摘碳离子的能量是影响非晶金刚石薄膜结构和性质最关键的工艺参数．采用磁过滤真空溅射离子技术，研究不同衬底偏压Ｖｂ（即不同碳离子能量）下制备的非晶金刚石薄膜的拉曼光谱和表面形貌．结果表明：－５０Ｖ≤Ｖｂ≤－１０Ｖ时，样品表面均匀、光滑，拉曼谱是对称且很宽的散射带;Ｖｂ＞－１０Ｖ或Ｖｂ＜－５０Ｖ时，已有晶团出现，表面粗糙度明显增加，拉曼谱明显地分裂为１５８０ｃｍ－１的Ｇ带和１３５０ｃｍ－１的Ｄ带．; 关键词非晶金刚石薄膜拉曼光谱表面形貌半导体薄膜; Keywords amorphous diamond films Raman spectra surface morphology; 分类号 TN304.18 [电子电信—物理电子学] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶金刚石薄膜的sp^3键成分的XPS谱研究被引量：4: 2; 作者魏爱香陈弟虎周有国; 机构海军广州舰艇学院中山大学物理系; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期179-182,共4页; 文摘把非晶金刚石薄膜的XPSC1s谱分解为中心在 2 84 .4± 0 .1eV和 2 85 .2± 0 .1eV的两个高斯特征峰 ,分别对应于碳薄膜中的sp2 C和sp3 C。用这两个高斯特征峰的面积除以C1s谱的总面积 ,得出非晶金刚石薄膜中sp2 C和sp3 C的比例。用上述方法对sp3 C比例不同的一组样品进行了分析计算 ,并与先前用紫外 -可见光吸收光谱和拉曼光谱对同一组样品分析得出的结果进行了比较 ,结果表明 :用XPS谱能简便而有效地定量确定非晶金刚石薄膜中sp2 C和sp3 C的比例 ,且这种方法适用于所有功能碳薄膜。; 关键词非晶金刚石薄膜 sp^3键成分 XPS谱 X射线光电子能谱; Keywords amorphous diamond film X-ray photoelectron spectroscopy sp 3C fraction; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究被引量：4: 3; 作者朱嘉琦卢佳田桂檀满林耿达; 机构哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1064-1066,共3页; 基金国家自然科学基金(50602012) 哈尔滨工业大学优秀青年教师培养计划资助项目(HITQNJS．2006．026) 黑龙江省博士后资助项目(LBH-Z07099); 文摘以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比p型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.; 关键词非晶金刚石薄膜非晶硅太阳电池 P型掺杂转化效率; Keywords amorphous diamond （a-D） films amorphous silicon solar cells doping conversion efficiency; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响被引量：2: 4; 作者周江云李琼徐静芳茅东升柳襄怀; 机构华东师范大学电子科学技术系中科院上海冶金研究所离子束开放实验室中科院上海冶金研究所离子束开放实验室; 出处《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期45-48,共4页; 基金国家自然科学基金资助!(No.69671 0 1 1 ); 文摘该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。; 关键词非晶金刚石薄膜 SP^2键场发射 FAD; Keywords amorphous diamond film (a-DF) filtered are deposition (FAD) SP-2 bond field emission; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学] O484.42 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用磁过滤MEVVA源制备DLC膜的研究被引量：4: 5; 作者张旭张通和易仲珍张荟星王广甫; 机构北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学分析测试中心; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期478-481,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (50 1 4 1 0 2 2 ) 国家"八六三"计划资助项目 +1 种基金北京市优秀人才资助项目北京师范大学青年科学基金资助项目; 文摘采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面 (单晶硅、不锈钢和工具钢等 )上制备高质量类金刚石 (DLC)薄膜。实验结果表明 ,沉积能量对薄膜的sp3键含量的影响为先随能量的增加而增加 ,达到最大值后 ,再增加沉积能量含量反而下降。硬度测试结果表明 ,非晶金刚石薄膜具有极高的硬度 ,为 70～ 78GPa ,远远高于衬底材料的硬度值 .对非晶金刚石薄膜的摩擦性能试验结果表明 ,非晶金刚石薄膜的摩擦因数为 0 .16～ 0 .2 ,大大低于衬底材料 .; 关键词磁过滤 MEVVA源制备 DLC膜类金刚石膜金属蒸汽真空弧沉积非晶金刚石薄膜耐磨损性能; Keywords filtered arc DLC MEVVA; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶金刚石薄膜的拉曼光谱研究	陈弟虎魏爱香周友国范家海杨增红彭少麒魏爱香	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2000	10	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非晶金刚石薄膜的sp^3键成分的XPS谱研究	魏爱香陈弟虎周有国	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究	朱嘉琦卢佳田桂檀满林耿达	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响	周江云李琼徐静芳茅东升柳襄怀	《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	采用磁过滤MEVVA源制备DLC膜的研究	张旭张通和易仲珍张荟星王广甫	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料