薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 被引量：5

1

作者 张少强 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 赵伯芳 周雪梅 王长安 戴永兵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期53-56,共4页

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层... 本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 空间电行层

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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真 被引量：5

2

作者 刘远 姚若河 李斌 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页

针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低

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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量：1

3

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 SIO2栅介质

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非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型 被引量：1

4

作者 恩云飞 刘远 +2 位作者 何玉娟 师谦 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期135-140,共6页

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄... 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流

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非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

5

作者 刘远 姚若河 李斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期28-33,共6页

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。... 基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 热阻 自热效应 温度分布

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基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器

6

作者 董良 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z2期590-592,共3页

基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度... 基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT—IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管。Pspice模拟表明,信号输出与温度变化有较好的线性关系,温度响应灵敏度为4.1mV/K。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室 温 红外探测器

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用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

7

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期709-711,共3页

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探... 研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a-SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 电流温度系数 宽长比 探测率

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基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取 被引量：2

8

作者 殷晓文 严利民 龚露鸣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期746-750,共5页

非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level... 非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管(TFT) 归一化方法 RPI模型 参数提取

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磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响 被引量：4

9

作者 刘晓伟 郭会斌 +2 位作者 李梁梁 郭总杰 郝昭慧 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期548-552,共5页

纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对... 纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究。实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度-应力曲线中屈服点温度也相应提高。量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率。 展开更多

关键词 薄膜晶体管阵列工艺 磁控溅射 纯铝薄膜 小丘 量产良率

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薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究 被引量：3

10

作者 胡宇飞 孙剑 +2 位作者 钟伯强 黄慈祥 潘惠英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期183-187,共5页

对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂... 对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。 展开更多

关键词 界面 薄膜晶体管 非晶硅 氮化硅

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非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响

11

作者 李小龙 黄鹏 +4 位作者 张慧娟 李栋 田雪雁 李良坚 刘政 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期109-114,共6页

目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同... 目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜(Amorphous Silicon Film)。利用高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA),完成非晶硅到多晶硅的转变。通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析,后续完成薄膜晶体管后利用I-V测试机台对器件特性进行测试。结果随着非晶硅薄膜厚度的增加,准分子激光晶化的最优能量密度(Optimal Energy Density,OED)以及工艺窗口(OED Margin)均增加,当膜层厚度大于等于47 nm时,OED Margin均为25 mJ/cm^2。当膜厚为47 nm时,多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64,也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射率为4.5时,形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45,远优于折射率为4.38时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折射率为4.5的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT(PMOS)迁移率为120.6 cm^2/(V?s),阈值电压为-1.4 V,关态电流为53 pA;折射率为4.38时的迁移率为112.4 cm^2/(V?s),阈值电压为-2.0 V,关态电流为71 pA。结论当非晶硅膜厚为47 nm时,准分子激光晶化的OED Margin以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优的水平。另外,提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 准分子激光晶化 折射率 薄膜晶体管器件特性

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非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型

12

作者 秦剑 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期30-36,43,共8页

针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定... 针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率. 展开更多

关键词 非对称双栅薄膜晶体管 表面势 氢化非晶硅 陷阱态 近似解

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非晶硅TFT室温红外探测器的光学特性研究

13

作者 张万杰 董良 +1 位作者 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期300-301,306,共3页

针对非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的实际结构,提出了两种计算红外吸收率的数学模型,并结合光学导纳矩阵法研究了它的光学特性。对钝化层的结构和材料进行了优化设计,并用在了实际阵列的制作中。

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 红外吸收率 光 学

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TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究 被引量：1

14

作者 王守坤 袁剑峰 +3 位作者 郭会斌 郭总杰 李升玄 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期930-936,共7页

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TF... 本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 化学气相沉积 栅极绝缘层 有源层 非晶硅膜 氧化铟锡 电学特性

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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量：14

15

作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页

主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多

关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列

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TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 被引量：13

16

作者 李文波 王刚 +4 位作者 张卓 胡望 刘宏宇 邵喜斌 徐征 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方... 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。 展开更多

关键词 掩模版 薄膜晶体管液晶显示器 阵列工艺 技术进展 市场行情

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TFT LCD用液晶显示材料进展 被引量：44

17

作者 李建 安忠维 杨毅 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期104-113,共10页

列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液... 列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液晶因其极性较低，分子粘度低，电阻率高，电压保持率高，在ＴＦＴ ＬＣＤ中得到广泛应用。初步阐明了其分子结构与物理性能之间的关系，为新型液晶分子设计及配方设计提供了线索。 展开更多

关键词 液晶材料 TFT TFTLCD 薄膜晶体管 阵列驱动液晶显示

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基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析 被引量：10

18

作者 徐小丽 刘如 +1 位作者 郭小军 苏翼凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期565-568,共4页

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿... 非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。 展开更多

关键词 AMOLED 非晶硅 非晶氧化铟镓锌 多晶硅 薄膜晶体管

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有源OLED像素电路的设计与仿真 被引量：4

19

作者 黄金英 安吉宇 +3 位作者 张志伟 赵玉环 荆海 凌志华 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期318-323,共6页

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的... 设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明,此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流,并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。 展开更多

关键词 有源OLED 非晶硅薄膜晶体管 像素驱动电路 仿真

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液晶材料的分类、发展和国内应用情况 被引量：22

20

作者 徐晓鹏 底楠 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期81-83,共3页

介绍了液晶材料的种类,及国内主要液晶材料的分类性能,论述了实际应用和市场前景。

关键词 液晶聚合物 液晶 近晶相 胆甾相 向列相 扭曲向列型 薄膜晶体管阵列

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