薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 被引量：5

1

作者 张少强 徐重阳 +4 位作者 邹雪城 赵伯芳 周雪梅 王长安 戴永兵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期53-56,共4页

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层... 本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 空间电行层

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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真 被引量：5

2

作者 刘远 姚若河 李斌 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页

针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低

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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量：1

3

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 SIO2栅介质

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非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型 被引量：1

4

作者 恩云飞 刘远 +2 位作者 何玉娟 师谦 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期135-140,共6页

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄... 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流

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氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究

5

作者 万新恒 徐重阳 +2 位作者 邹雪城 丁晖 OulachgarHassan 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期291-298,共8页

发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟... 发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 局域态电荷密度 静态特性

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非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

6

作者 刘远 姚若河 李斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期28-33,共6页

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。... 基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 热阻 自热效应 温度分布

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简化的非晶硅薄膜晶体管模型

7

作者 韩汝琦 刘兵 关旭东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期47-57,共11页

本文基于两点基本假设,提出了一个简化的非晶硅薄膜场效应晶体管模型,在整个电压范围内,得到了电流的解析表达式.与现有的实验结果进行拟合,理论值与实验值符合良好.本文还分析了非晶硅薄膜晶体管输出特性中源漏串联电阻效应,结果表明,... 本文基于两点基本假设,提出了一个简化的非晶硅薄膜场效应晶体管模型,在整个电压范围内,得到了电流的解析表达式.与现有的实验结果进行拟合,理论值与实验值符合良好.本文还分析了非晶硅薄膜晶体管输出特性中源漏串联电阻效应,结果表明,源漏串联电阻受栅压调制,近似与栅压的平方成反比.本文还解释了开启电压随温度线性变化规律.模型可用于优化非晶硅薄膜晶体管的设计. 展开更多

关键词 薄膜晶体管 非晶硅 场效应晶体管

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用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

8

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期709-711,共3页

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探... 研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a-SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 电流温度系数 宽长比 探测率

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非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

9

作者 刘兴明 方华军 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期219-221,共3页

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了... 介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了一种新的热绝缘材料,并将该材料应用到了非制冷红外探测器中,实际制备了探测器单元,对该材料的热绝缘能力进行了验证。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 非制冷红外探测器 电流温度系数 插指结构

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基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取 被引量：2

10

作者 殷晓文 严利民 龚露鸣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期746-750,共5页

非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level... 非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管(TFT) 归一化方法 RPI模型 参数提取

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一种非晶硅薄膜晶体管栅极驱动电路

11

作者 房耸 《信息通信》 2017年第1期82-84,共3页

非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT)具有器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示的优点,是平板显示技术的主流基板材料。近年来由于集成栅极驱动电路(Gate Drivers Integrated in Array,GIA)在非晶... 非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT)具有器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示的优点,是平板显示技术的主流基板材料。近年来由于集成栅极驱动电路(Gate Drivers Integrated in Array,GIA)在非晶硅薄膜晶体管液晶显示器中的应用,不仅能节省工艺步骤,降低成本,而且边框美观对称,使非晶硅薄膜晶体管液晶显示屏更加受到消费者的欢迎。但是由于非晶硅电子迁移率相对较低,栅极驱动电路仍占用较大空间,尤其是随着显示产品解析度的增加,产品边框变窄,驱动电路的版图空间变小,导致驱动电路的设计越来越困难。文章提出了一种新型栅极驱动电路,有效提高了a-Si TFT GIA的驱动能力,降低了版图面积,增加了a-Si TFT在高分辨、窄边框产品市场的竞争力。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 液晶显示面板 栅极驱动电路 窄边框

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磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响 被引量：4

12

作者 刘晓伟 郭会斌 +2 位作者 李梁梁 郭总杰 郝昭慧 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期548-552,共5页

纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对... 纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究。实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度-应力曲线中屈服点温度也相应提高。量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率。 展开更多

关键词 薄膜晶体管阵列工艺 磁控溅射 纯铝薄膜 小丘 量产良率

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金属氧化物薄膜晶体管最新研究进展 被引量：1

13

作者 王春兰 李玉庆 +2 位作者 韩莎 姚奇 高博 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2018年第4期438-445,共8页

薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs... 薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs的研究现状,重点论述基于单一或多元金属组分以及复合纳米结构的高性能氧化物TFTs的关键性结构和迁移率.认为新型复合纳米结构的氧化物TFTs不仅在很大范围内影响现有的电子器件,而且也将应用于新型的显示、存储以及通信等重要领域.这些新型薄膜材料以及薄膜电子器件未来将会在超越传统薄膜电子领域呈现全新的局面. 展开更多

关键词 薄膜晶体管 金属氧化物 高迁移率 显示器 低温多晶硅 非晶硅 半导体材料

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非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型

14

作者 秦剑 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期30-36,43,共8页

针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定... 针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率. 展开更多

关键词 非对称双栅薄膜晶体管 表面势 氢化非晶硅 陷阱态 近似解

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TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究 被引量：1

15

作者 王守坤 袁剑峰 +3 位作者 郭会斌 郭总杰 李升玄 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期930-936,共7页

本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TF... 本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 化学气相沉积 栅极绝缘层 有源层 非晶硅膜 氧化铟锡 电学特性

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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量：14

16

作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页

主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多

关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列

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TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺 被引量：13

17

作者 李文波 王刚 +4 位作者 张卓 胡望 刘宏宇 邵喜斌 徐征 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方... 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。 展开更多

关键词 掩模版 薄膜晶体管液晶显示器 阵列工艺 技术进展 市场行情

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a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响 被引量：5

18

作者 王长安 熊智斌 +2 位作者 张少强 赵伯芳 徐重阳 《光电子技术》 CAS 1997年第1期45-49,共5页

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜... 介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 展开更多

关键词 阈值电压 氢化非晶硅 薄膜晶体管

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TFT LCD用液晶显示材料进展 被引量：44

19

作者 李建 安忠维 杨毅 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期104-113,共10页

列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液... 列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液晶因其极性较低，分子粘度低，电阻率高，电压保持率高，在ＴＦＴ ＬＣＤ中得到广泛应用。初步阐明了其分子结构与物理性能之间的关系，为新型液晶分子设计及配方设计提供了线索。 展开更多

关键词 液晶材料 TFT TFTLCD 薄膜晶体管 阵列驱动液晶显示

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基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析 被引量：10

20

作者 徐小丽 刘如 +1 位作者 郭小军 苏翼凯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期565-568,共4页

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿... 非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。 展开更多

关键词 AMOLED 非晶硅 非晶氧化铟镓锌 多晶硅 薄膜晶体管

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