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高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究被引量：9: 1; 作者林璇英林揆训 +4 位作者余云鹏曾旭陈家宜王洪吴萍《功能材料》 EI CAS CSCD 1992年第5期280-283,共4页; 在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。; 关键词非晶硅氢合金沉积速率光敏性; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用被引量：17: 2; 作者黄创君林璇英 +2 位作者林揆训余楚迎姚若河《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期561-563,共3页; 多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相... 展开更多; 关键词多晶硅固相晶化非晶硅氢合金薄膜薄膜硅太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

a-Si∶H叠层薄膜太阳电池的最佳设计的计算机模拟被引量：5: 3; 作者王红成林璇英曾晓华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期673-675,共3页; 　为了更好地利用太阳光谱,提高电池效率,可以在单结电池最佳设计的基础上采用叠层技术。本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。计算表明,当单结电... 展开更多; 关键词叠层太阳能电池本征层最佳厚度禁带宽度非晶硅氢合金薄膜计算机模拟薄膜太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟: 4; 作者姚若河林璇英 +2 位作者黄创君杨坤进林揆训《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期506-507,共2页; 利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随... 展开更多; 关键词计算机模拟 MONTE CARLO方法 PCVD 氢化非晶硅合金薄膜 α-Si:H薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究被引量：9: 1; 作者林璇英林揆训余云鹏曾旭陈家宜王洪吴萍; 机构汕头大学物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 1992年第5期280-283,共4页; 文摘在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。; 关键词非晶硅氢合金沉积速率光敏性; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用被引量：17: 2; 作者黄创君林璇英林揆训余楚迎姚若河; 机构汕头大学物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期561-563,共3页; 文摘多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积 (PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。; 关键词多晶硅固相晶化非晶硅氢合金薄膜薄膜硅太阳能电池; Keywords poly Si SPC a Si∶H film silicon thin film solar cells; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-Si∶H叠层薄膜太阳电池的最佳设计的计算机模拟被引量：5: 3; 作者王红成林璇英曾晓华; 机构汕头大学物理系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期673-675,共3页; 基金国家重点基础研究发展规划资助项目(973计划)(G2000028208); 文摘　为了更好地利用太阳光谱,提高电池效率,可以在单结电池最佳设计的基础上采用叠层技术。本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。计算表明,当单结电池效率为12.09%时,三叠层电池的效率增加至16.93%,但进一步增加电池的层数,电池效率的增加变得缓慢。另外,禁带宽度对本征层最佳厚度也有一定的依赖关系。禁带宽度越大,本征层最佳厚度也越大。; 关键词叠层太阳能电池本征层最佳厚度禁带宽度非晶硅氢合金薄膜计算机模拟薄膜太阳电池; Keywords stacked solar cells intrinsic layer thickness band gap a-Si∶H film; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动] TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟: 4; 作者姚若河林璇英黄创君杨坤进林揆训; 机构汕头大学物理学系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期506-507,共2页; 文摘利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大。; 关键词计算机模拟 MONTE CARLO方法 PCVD 氢化非晶硅合金薄膜 α-Si:H薄膜; Keywords film growth computer simulation Monter Carlo method; 分类号 TB43 [一般工业技术] TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料