非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究 被引量：4

1

作者 朱嘉琦 卢佳 +2 位作者 田桂 檀满林 耿达 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1064-1066,共3页

以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太... 以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比p型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上. 展开更多

关键词 非晶金刚石薄膜 非晶硅太阳电池 P型掺杂 转化效率

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电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响 被引量：2

2

作者 孙建 薛俊明 +4 位作者 侯国付 王锐 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期152-156,共5页

本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增... 本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。 展开更多

关键词 电阻蒸发 Al背电极 非晶硅太阳电池

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非晶硅太阳电池用Ag背反镜的吸收损耗

3

作者 陆晓东 王泽来 +2 位作者 宋扬 赵洋 张金晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期661-666,共6页

利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸... 利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的非晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型非晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰的峰值大于平板型非晶硅电池的吸收峰峰值。 展开更多

关键词 非晶硅太阳电池 背反射镜 吸收损耗 频域有限差分法

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非晶硅太阳电池应用和开发的新进展

4

作者 杨遇春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期4-8,共5页

评述了ａ－Ｓｉ电池的工艺优势、开发水平、市场现况。

关键词 光伏组件 太阳电池 非晶硅太阳电池

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非晶硅太阳电池作为空间能源的性能特点 被引量：4

5

作者 郑君 王冬松 胡宏勋 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期50-53,共4页

总结了非晶硅太阳电池在器件物理、制造工艺、大规模生产和应用方面所取得的重大进展。文章分析了非晶硅太阳电池作为空间能源系统技术上的主要优势;很高的质量比功率和可弯曲特性;极好的抗辐照性能;良好的高温性能;较高的空间效率和低... 总结了非晶硅太阳电池在器件物理、制造工艺、大规模生产和应用方面所取得的重大进展。文章分析了非晶硅太阳电池作为空间能源系统技术上的主要优势;很高的质量比功率和可弯曲特性;极好的抗辐照性能;良好的高温性能;较高的空间效率和低的制造成本,这是其它太阳电池不具有的优势,使得非晶硅太阳电池能源系统在低成本通信卫星、平流层气球通讯平台,以及空间太阳能电站应用领域内具有较强的竞争力。 展开更多

关键词 非晶硅太阳电池 空间能源 性能 特点

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非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系 被引量：1

6

作者 温亮生 姬成周 +1 位作者 张富祥 赵玉文 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期479-482,共4页

在Ｒｉｃｈａｒｄ　Ｓ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和ＰｏｒｐｏｎｔｈＳｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上，用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法，对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带... 在Ｒｉｃｈａｒｄ　Ｓ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和ＰｏｒｐｏｎｔｈＳｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上，用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法，对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带隙Ｅｇ、电子迁移率μｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流人、电池效率η随Ｅｇ的增大而急剧减小，而填充因子Ｆｆ随Ｅｇ的增大而缓慢减小。Ｖｏｃ，Ｊｓｃ，η，Ｆｆ都随μｎ的增大而增大，η变化最大，其次是Ｆｆ计算结果还表明，μｎ的提高虽然能够提高Ｖｏｃ和Ｊｓｃ，但主要是通过提高Ｆｆ来改善电池的性能的．而μ０的提高增大了载流子的漂移距离，大大地改善了电池的Ｊ—Ｖ特性，从而提高了Ｆｆ和η这也体现了该类电池中的电流主要是漂移电流的特点． 展开更多

关键词 非晶硅太阳电池 电池性能 光学带隙 薄膜特性

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非晶硅太阳电池的性能与结构参数的关系 被引量：1

7

作者 温亮生 姬成周 +1 位作者 张富祥 赵玉文 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期361-365,共5页

在RichardS．Crandall和PorponthSichanugrist等人工作的基础上，用平均场区域近似（UMtA）方法，对p-i-na－Si：H薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系．短路电流密度先随厚度的增加而增加，在1μm... 在RichardS．Crandall和PorponthSichanugrist等人工作的基础上，用平均场区域近似（UMtA）方法，对p-i-na－Si：H薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系．短路电流密度先随厚度的增加而增加，在1μm左右达到最大值，而后将减小，但减小得不多．开路电压基本上不随本征层厚度变化．填充因子随本征层厚度一直减小，从厚度0.1μm时的0.888下降到厚度1.8μm时的0.365．而效率则在厚度为0.5μm时达到最大值，并且从计算结果可以看出，厚度在0.～0.8μm时，转化效率都比较高． 展开更多

关键词 非晶硅太阳电池 平均场区域近似 结构参数

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非晶硅太阳电池进展和展望 被引量：7

8

作者 邓志杰 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期29-32,共4页

综述了非晶硅（ａ－Ｓｉ）太阳电池在研究、开发和应用方面的新进展。采用Ｈ２稀释和较低衬底温度、防止Ｏ２、Ｎ２等杂质沾污、用氘代替Ｈ２等工艺提高ｉ层质量；在ｐ／ｉ界面间生长适当的缓冲层以得到良好的ｐ／ｉ界面、优化三结迭层... 综述了非晶硅（ａ－Ｓｉ）太阳电池在研究、开发和应用方面的新进展。采用Ｈ２稀释和较低衬底温度、防止Ｏ２、Ｎ２等杂质沾污、用氘代替Ｈ２等工艺提高ｉ层质量；在ｐ／ｉ界面间生长适当的缓冲层以得到良好的ｐ／ｉ界面、优化三结迭层电池结构；目前，１ｃｍ２电池和９００ｃｍ２组件的稳定转换效率分别达１４％和１０．２％，为ａ－Ｓｉ电池的大规模应用展现了良好前景。介绍了美国Ｓｏｌａｒｅｘ公司在大面积多结电池组件生产化工艺研究方面的经验，强调严格控制ＴＣＯ的沉积条件是重要的环节。同晶体Ｓｉ电池比较，ａ－Ｓｉ电池生产具有易于进行大面积自动化生产、原材料省、能耗低等特点，使它可能成为建造全球太阳电池发电网的主要侯选者。 展开更多

关键词 转换效率 稳定性 非晶硅太阳电池 太阳能电池

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非晶硅太阳电池背反射电极ZnO∶B薄膜研究

9

作者 柳建平 雷青松 +2 位作者 杨瑞霞 鞠洪超 薛俊明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期863-868,共6页

摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，以H：O和二乙基锌（Zn（CH2）2）为反应源，硼烷（B2H6，氢气稀释为1％）为掺杂气体，在面积为23cm×23em的普通玻璃衬底上生长ZnO：B薄膜，分析各工艺参数对薄膜光电特性的影... 摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，以H：O和二乙基锌（Zn（CH2）2）为反应源，硼烷（B2H6，氢气稀释为1％）为掺杂气体，在面积为23cm×23em的普通玻璃衬底上生长ZnO：B薄膜，分析各工艺参数对薄膜光电特性的影响。结果表明：衬底温度对ZnO：B薄膜的透过率影响显著，其次是反应压力，B：H。掺杂量对透过率影响较小，但是对电阻率影响十分明显。通过优化工艺条件，在衬底温度为185℃，反应压力为0．5torr（1torr=133．3Pa），B，H。流量为4cm3／min下获得了厚度为580nm、在400～800nm光谱范围内透过率大于85％、电阻率为2．78×1013Q·cm的ZnO：B薄膜。将该ZnO：B薄膜作为背反射电极应用于大面积（23（31／1×23cm）非晶硅及硅锗太阳电池后，可使电池短路电流密度分别增加2．82和1．5mA／em。． 展开更多

关键词 ZnO∶B 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 背反射电极 光电特性 非晶硅太阳电池

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外连式SnO_2导电膜非晶硅太阳电池 被引量：4

10

作者 吕宝堂 赵晖 +2 位作者 郑君 邹邦涛 贾兆滨 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期89-91,共3页

介绍了用化学气相法沉积大面积透明SnO2 :F膜的制作与原理。提出了一种大面积透明SnO2 :F膜的腐蚀成型方法 ,即用通用抗蚀干膜经曝光、显影形成所要图形 ,用稀释的粘接剂与锌粉按一定比例混合 ,用丝网印刷工艺将其均匀地涂覆在抗蚀干膜... 介绍了用化学气相法沉积大面积透明SnO2 :F膜的制作与原理。提出了一种大面积透明SnO2 :F膜的腐蚀成型方法 ,即用通用抗蚀干膜经曝光、显影形成所要图形 ,用稀释的粘接剂与锌粉按一定比例混合 ,用丝网印刷工艺将其均匀地涂覆在抗蚀干膜之上 ,放入盐酸溶液中腐蚀SnO2 :F膜 ,得到了边缘整齐、无针孔的图形。将腐蚀成型的SnO2 导电玻璃经清洗送入非晶硅沉积室 ,采用辉光放电法顺序沉积p、i、n三层 ,在高真空容器中蒸发铝电极 ,制作了外连式SnO2 导电膜非晶硅太阳电池 ,并与外连式氧化铟锡 (ITO)导电膜非晶硅太阳电池进行了比较 ,电性能明显提高 ,尤其是短路电流平均提高了 2 9.3 % ,在 2 0 0lx白荧光灯照射下 ,单位面积最大输出功率达 7.76μm /cm2 。 展开更多

关键词 外连式 导电膜 非晶硅太阳电池 二氧化锡 化学气相法沉积

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形形色色的太阳电池（4）——非晶硅太阳电池

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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期499-499,共1页

非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，电耗更低，非常吸引人。

关键词 非晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 1976年 制作方法 材料消耗 薄膜式 单晶硅

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N0907915兆瓦非晶硅太阳电池项目在天津建成投产

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《中国有色冶金》 北大核心 2009年第5期84-84,共1页

被列为天津市重大工业项目之一的年产15兆瓦非晶硅薄膜太阳电池项目．日前在天津滨海高新区建成投产。该产品现已用于村镇和广电设备供电以及牧区光伏提水系统，并远销德国，受到国内外用户好评。

关键词 非晶硅太阳电池 天津市 投产 硅薄膜太阳电池 光伏提水系统 工业项目 设备供电 高新区

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非晶硅与晶硅太阳电池在太阳能光伏发电应用中热性能的研究 被引量：7

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作者 于元 夏立辉 张志文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期984-987,共4页

对在北京地区屋面上固定角度安装(目前光伏发电应用中最常见的安装形式)的非晶硅和多晶硅太阳电池组件进行了近二年的数据采集,纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量,分析了它们各自的特点,为用户更为关心的户外使用情况... 对在北京地区屋面上固定角度安装(目前光伏发电应用中最常见的安装形式)的非晶硅和多晶硅太阳电池组件进行了近二年的数据采集,纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量,分析了它们各自的特点,为用户更为关心的户外使用情况提供了参考依据;认为如果仅从温度特性考虑,是否采用非晶硅替代晶体硅电池在不同地区应有不同考虑,如果再考虑到人们普遍认为的非晶硅电池没有解决的稳定性问题,表面玻璃的非钢化、效率低等其它问题,非晶硅的使用应慎重,不应盲从。同时在使用中不论何种电池都不应忽视组件的通风问题。 展开更多

关键词 光伏发电 非晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 热性能

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飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究 被引量：3

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作者 邵珠峰 杨秀娟 +1 位作者 陆晓东 钟敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期608-614,共7页

通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域... 通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成。比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子。结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm^2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9%,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍。同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔"光俘获"微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用。 展开更多

关键词 飞秒激光 非晶硅(a-Si)太阳电池 微纳加工 多孔微结构 刻蚀

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非晶太阳电池用绒面FTO透明导电膜的研究 被引量：5

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作者 詹福寿 庞大文 +1 位作者 吴享南 关志仙 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期122-133,共12页

本文报道了用CVD法沉积非晶硅太阳电池用绒面FTO(SnO_2掺F)透明导电膜的工艺研究,较深入地讨论了FTO膜的导电机理、光学性质和薄膜生长中各参数对表面织构度的影响,总结出最佳工艺条件。在此条件下,在较大的玻璃衬底上长出了R_□～5.5Ω... 本文报道了用CVD法沉积非晶硅太阳电池用绒面FTO(SnO_2掺F)透明导电膜的工艺研究,较深入地讨论了FTO膜的导电机理、光学性质和薄膜生长中各参数对表面织构度的影响,总结出最佳工艺条件。在此条件下,在较大的玻璃衬底上长出了R_□～5.5Ω/□、总透过率～80％、漫射透过率T_d～5％(6000—7000埃范围)的绒面FTO膜。 展开更多

关键词 非晶硅太阳电池 薄膜 FTO膜 导电膜

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基于1/f噪声表征研究非晶硅薄膜太阳电池的光致退化机理

16

作者 程基宽 胡林娜 +3 位作者 何亮 郭永刚 宋志成 屈小勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期230-233,共4页

太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f... 太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f噪声是由带尾态缺陷导致的载流子迁移率涨落所致;通过噪声模型,分析了缺陷在光致衰减(LID)过程中所起的作用;同时与常规电学参量的对比,验证了噪声在表征LID过程中的有效性与灵敏性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜太阳电池 带尾态缺陷 光致衰减 1/f噪声

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氢化非晶硅基三结叠层太阳电池性能模拟

17

作者 徐艳月 廖显伯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期55-57,共3页

发展了一种叠层太阳电池准实验模型,根据各组分电池性能来预计非晶硅基三结叠层太阳电池的转化效率.对于如何获得组分电池短路电流的匹配,以及由此叠层电池可达到的最高效率问题,这种模型提供了一种实际可行的预计方法.

关键词 非晶硅基三结叠层太阳电池 性能

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太阳电池及其应用技术讲座(三) 各种太阳电池 被引量：7

18

作者 谢建 马勇刚 +3 位作者 廖华 苏庆益 李景天 杨丽娟 《可再生能源》 CAS 2007年第3期108-112,共5页

硅太阳电池是目前使用最广泛的太阳电池。按硅材料的晶体结构区分，有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池3种。单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池亦称晶体硅太阳电池，占全世界太阳电池市场的大部分。

关键词 单晶硅太阳电池 技术讲座 多晶硅太阳电池 非晶硅太阳电池 晶体硅太阳电池 应用 晶体结构 硅材料

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P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究 被引量：2

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作者 靳果 袁铸 胡居涛 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页

以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电... 以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。 展开更多

关键词 P型微晶硅薄膜 B(CH3)3 柔性衬底 非晶硅太阳电池

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大面积a-Si∶H太阳电池背电极性能实验与分析

20

作者 胡汛 张建喆 王瑛 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期357-359,共3页

对大面积 ( 2 80 0cm2 )单结非晶硅太阳电池背电极制作工艺进行实验分析 ,得到 :蒸发铝膜时的真空压力小于 2×10 -3Pa时 ,电池输出平均相对提高 8.4% ;掩膜钢丝保持松紧度一致时 ,电池输出平均提高 6 .1% ;热老化处理可使电池性能... 对大面积 ( 2 80 0cm2 )单结非晶硅太阳电池背电极制作工艺进行实验分析 ,得到 :蒸发铝膜时的真空压力小于 2×10 -3Pa时 ,电池输出平均相对提高 8.4% ;掩膜钢丝保持松紧度一致时 ,电池输出平均提高 6 .1% ;热老化处理可使电池性能下降 ,最差时可达 -2 6 .3 %。因此保持蒸发时的真空度小于 2× 10 -3Pa、保持掩膜钢丝有一致的松紧度以及去掉热老化工艺 ,是提高a Si∶H太阳电池背电极制作质量的关键。这一结论对指导大面积非晶硅太阳电池的工业化生产具有实际意义。 展开更多

关键词 背电极 工艺分析 非晶硅太阳电池 掩膜技术

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