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非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究
被引量：
1
1
作者
杜鹏
张军芳
+3 位作者
李辉
杜晶晶
薛俊明
李同凯
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017年第9期923-927,共5页
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用"喇叭口"结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si∶H1.7eV,a-SiGe∶H1.5eV)。探讨了NP隧...
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用"喇叭口"结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si∶H1.7eV,a-SiGe∶H1.5eV)。探讨了NP隧穿结对叠层电池开路电压(Voc)和填充因子(FF)的影响,制备出FF为0.739的a-Si∶H/a-Si Ge∶H叠层电池。调整叠层电池中子电池本征层厚度,制备出效率为9.06%的a-Si∶H/a-SiGe∶H叠层电池(未加减反射层)。
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关键词
喇叭口
非晶硅/非晶硅锗
隧穿结
微晶N层
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职称材料
题名
非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究
被引量：
1
1
作者
杜鹏
张军芳
李辉
杜晶晶
薛俊明
李同凯
机构
衡水学院
河北汉盛光电科技有限公司
石家庄铁道大学
出处
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017年第9期923-927,共5页
基金
2016年度衡水学院院级课题(编号2016L001)
文摘
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用"喇叭口"结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si∶H1.7eV,a-SiGe∶H1.5eV)。探讨了NP隧穿结对叠层电池开路电压(Voc)和填充因子(FF)的影响,制备出FF为0.739的a-Si∶H/a-Si Ge∶H叠层电池。调整叠层电池中子电池本征层厚度,制备出效率为9.06%的a-Si∶H/a-SiGe∶H叠层电池(未加减反射层)。
关键词
喇叭口
非晶硅/非晶硅锗
隧穿结
微晶N层
Keywords
Trumpet, Amorphous silicon/amorphous silicon germanium, Tunneling junction, MicrocrystallineN layer
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究
杜鹏
张军芳
李辉
杜晶晶
薛俊明
李同凯
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017
1
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