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基于金属氧化物载流子选择性传输层的硅异质结太阳电池的研究进展
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作者 胡梦琪 苏炬 +3 位作者 王光红 刁宏伟 赵雷 王文静 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期342-347,共6页
晶硅异质结(HJT)太阳电池的转换效率已达到26.81%,然而其使用有毒有害气体掺杂的传输层存在不可避免的寄生吸收损失,阻止了器件性能的进一步提升。因此,宽带隙非掺杂的钝化接触太阳电池受到极大关注。该文对载流子选择性传输原理、非掺... 晶硅异质结(HJT)太阳电池的转换效率已达到26.81%,然而其使用有毒有害气体掺杂的传输层存在不可避免的寄生吸收损失,阻止了器件性能的进一步提升。因此,宽带隙非掺杂的钝化接触太阳电池受到极大关注。该文对载流子选择性传输原理、非掺杂钝化接触材料及其主要沉积方法、非掺杂空穴/电子选择性材料的研究现状及器件稳定性改善方式进行概述,并对钝化接触型非掺杂晶硅异质结太阳电池存在的问题和前景进行讨论。 展开更多
关键词 载流子传输 过渡金属氧化物 太阳电池 载流子选择性接触 异质太阳电池 非掺杂 异质太阳电池 非掺杂
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晶硅异质结(HJT)太阳电池电子接触电阻率测量
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作者 吴坚 李硕 《太阳能学报》 北大核心 2025年第1期609-614,共6页
对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在... 对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在特定金属电极图案下测得,而难于在真实的太阳电池器件中测得。对于硅基异质结(HJT)太阳电池而言,接触电阻率(ρ_c)包含银(Ag)电极与氧化铟锡(ITO)的接触电阻率ρ_(c1),以及ITO与p或n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)。为此,要精确测得ρ_(c1)和ρ_(c2),需分别制备特定结构以便测量。该文提出一种新的TLM测试方法,在实际的HJT太阳电池器件上,同时测量出电子在Ag/ITO界面的接触电阻率ρ_(c1)值2.5~3.1 mΩ·cm^(2),ITO与n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)值21~24 mΩ·cm^(2)。这两个值与文献报道基本一致。 展开更多
关键词 太阳电池 异质 接触电阻 隧穿接触 电子
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非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究
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作者 何玉平 袁贤 +2 位作者 胡军平 李未 黄海宾 《南昌工程学院学报》 CAS 2022年第6期97-101,共5页
理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/... 理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池。结果表明:ITO最优Ar与Ar/O_(2)气体流量比为50∶40 sccm,载玻片电阻最低为60.2Ω;HWCVD法双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池转换效率为本实验室同条件下电池最高,达到了11.2%。 展开更多
关键词 发射极 非晶硅/晶体异质太阳能电池 转换效率 IV曲线 量子效率
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光注入提升晶体硅异质结太阳电池性能的研究
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作者 沈旭宇 黄信二 吕文辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期519-523,共5页
该文制备工业尺寸的晶体硅异质结太阳电池,研究光注入对电池光电性能的影响。实验结果表明:光注入有效提升了晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率,经过光注入后电池光电转换绝对效率提升了0.33%,均值达到24.47个百分点。对比光注入前后... 该文制备工业尺寸的晶体硅异质结太阳电池,研究光注入对电池光电性能的影响。实验结果表明:光注入有效提升了晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率,经过光注入后电池光电转换绝对效率提升了0.33%,均值达到24.47个百分点。对比光注入前后的光电性能参数,其效率提升的主要因素是光注入使得电池的填充因子被有效提升。结合光注入前后电池的Suns-Voc测试,证实了光注入能使电池的串联电阻大比例降低。因此,光注入改善电池性能的主要物理原因可归结为:串联电阻的降低提升了电池的填充因子。 展开更多
关键词 太阳电池 异质 光注入 光电转换效率 串联电阻
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银粉对硅异质结太阳电池用低温银浆的影响综述 被引量:1
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作者 王光远 韩安军 +6 位作者 刘文柱 赵文婕 王栋良 敖毅伟 冈本珍范 孟凡英 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期489-498,共10页
银浆是硅异质结太阳电池的重要材料,更低的体积电阻率和接触电阻、良好的附着力、优良的细线印刷性能及组件栅线抗腐蚀老化是其不断改进的方向。作为导电相,银粉的性能和含量对银浆有着至关重要的影响。该文基于低温固化银浆导电机理以... 银浆是硅异质结太阳电池的重要材料,更低的体积电阻率和接触电阻、良好的附着力、优良的细线印刷性能及组件栅线抗腐蚀老化是其不断改进的方向。作为导电相,银粉的性能和含量对银浆有着至关重要的影响。该文基于低温固化银浆导电机理以及SHJ电池对银浆性能的追求,综述了银粉的振实密度、形貌、粒径、表面处理剂及其与有机物的适配。进一步探讨了纳米银粉和银包铜粉在SHJ太阳电池用低温银浆中的应用。 展开更多
关键词 异质太阳电池 低温银浆 银粉 表面处理 振实密度 银包铜
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p型晶体硅异质结太阳电池光电特性模拟研究 被引量:8
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作者 程雪梅 孟凡英 +2 位作者 汪建强 李祥 黄建华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1474-1479,共6页
利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电... 利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电极的电池在短波光和可见光波段光谱响应更强,短路电流密度和电池效率更高。此外,在所建立的电池模型中,限定掺杂型非晶硅层的厚度为10nm,改变本征非晶硅层厚度,模拟研究找到了电池的短路电流、开路电压、填充因子及光电转换效率随本征层厚度变化的规律和最优值,通过模拟研究发现有背场的双面电池比无背场电池的开路电压增加4.8%,最高转换效率达21.25%。 展开更多
关键词 透明导电氧化物薄膜(TCO) 本征非晶硅 异质太阳电池 AFORS—HET模拟仿真
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微晶硅/晶体硅/微晶硅异质结太阳能电池窗口层的模拟计算与优化 被引量:4
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作者 杨大洋 刘淑平 +2 位作者 张棚 彭艳艳 李德利 《光电子技术》 CAS 北大核心 2014年第4期288-294,共7页
采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了不同工作温度下,微晶硅窗口层对μc-si(p)/c-si(n)/μc-si(p+)异质结太阳能电池性能的影响,结果表明:随着微晶硅窗口层帯隙的增加,转化效率先增加后下降、开路电压不断增加;掺杂浓度的增加... 采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了不同工作温度下,微晶硅窗口层对μc-si(p)/c-si(n)/μc-si(p+)异质结太阳能电池性能的影响,结果表明:随着微晶硅窗口层帯隙的增加,转化效率先增加后下降、开路电压不断增加;掺杂浓度的增加,电池性能整体呈现先上升后小幅下降的趋势;厚度的增加,电池的性能整体上呈现下降的趋势。随着工作温度的增加,微晶硅窗口层对应的最佳厚度和掺杂浓度值都有明显的减小趋势;但其对应的最佳帯隙有明显的增加的趋势。该实验结果为在不同温度下工作的电池提供了商业化生产的实验参数。 展开更多
关键词 异质太阳能电池 温度 微晶窗口层
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基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析 被引量:5
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作者 邸明东 周骏 +1 位作者 孙铁囤 孙永堂 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1343-1348,共6页
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背... 针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。 展开更多
关键词 a-Si(n)/c—Si(p)异质太阳电池 微晶 背面场 AFORS—HET
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高效薄膜硅/晶体硅异质结电池的研究 被引量:11
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作者 张群芳 朱美芳 刘丰珍 《太阳能》 2006年第4期40-41,共2页
一引言 用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜,可获得异质结电池,该类电池有以下优点:
关键词 薄膜工艺 晶体 异质 电池 纳米晶薄膜 衬底
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非晶硅对MoO_x/c-Si异质结太阳电池器件的影响
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作者 陈涛 刘玮 +3 位作者 戴小宛 周志强 何青 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1870-1874,共5页
室温下电子束蒸发沉积氧化钼(MoOx)薄膜呈非晶态,光学带隙约为3.6 eV,与单晶硅表面构成MoOx/c-Si异质结并具有钝化作用,但明显低于i∶α-Si∶H钝化。ITO/MoOx/i∶α-Si∶H/n∶c-Si/i∶α-Si∶H/n+∶α-Si∶H/Al太阳电池结构,既有晶... 室温下电子束蒸发沉积氧化钼(MoOx)薄膜呈非晶态,光学带隙约为3.6 eV,与单晶硅表面构成MoOx/c-Si异质结并具有钝化作用,但明显低于i∶α-Si∶H钝化。ITO/MoOx/i∶α-Si∶H/n∶c-Si/i∶α-Si∶H/n+∶α-Si∶H/Al太阳电池结构,既有晶硅前后表面钝化,又增加了背电场层,适当的MoOx厚度可获得电池的最高效率(15.5%);若取消晶硅表面i∶a-Si∶H钝化,与HIT(heterojunction with intrinsic thinlayer)电池类似,硅的前表面复合增大,电池效率降为11.5%;若取消背表面i∶a-Si∶H钝化及背电场材料n+∶a-Si∶H,电池效率急剧下降到8.3%,这表明背表面钝化及背电场,对MoOx/c-Si异质结太阳电池特性具有更为重要的作用,对高效器件制备具有一定指导意义。 展开更多
关键词 氧化钼 异质 HIT 非晶硅钝化 太阳电池
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对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结
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作者 杨秀钰 陈诺夫 +4 位作者 张航 陶泉丽 徐甲然 陈梦 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第20期3353-3357,共5页
本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩... 本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。 展开更多
关键词 本征薄层异质(HIT)太阳能电池 非晶硅薄膜 磁控溅射 P-N 快速热扩散
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量:5
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作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 异质双极晶体 单粒子效应 激光微束 电荷收集
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nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化 被引量:4
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作者 乔治 解新建 +4 位作者 薛俊明 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1207-1214,共8页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-Si:H/c-Si)... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-Si:H/c-Si)硅异质结(SHJ)太阳电池中,研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响.实验发现:随着硅烷浓度的降低,本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧变化;本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定.靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光敏性,氢含量最高,带隙态密度低,且主要以Si H形式成键,对硅片表现出优异的钝化性能,使电池的开路电压大幅提高.但是,当薄膜的厚度过小时,会严重影响其钝化质量.本实验中,沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为6%(摩尔分数),且当薄膜厚度为~8 nm时,所制备电池的性能最好.实验最终获得了开路电压为672 m V,短路电流密度为35.1 m A·cm-2,填充因子为0.73,效率为17.3%的nc-Si:H/c-Si SHJ太阳电池. 展开更多
关键词 本征薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 界面钝化 少子寿命 异质太阳电池
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非晶硅薄膜太阳电池的研究进展及发展方向 被引量:6
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作者 李海华 王庆康 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期1-6,共6页
介绍了非晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展,微纳光学结构和金属表面等离子体特性引入到非晶硅薄膜太阳电池可大大降低薄膜厚度和提高光电转换效率。叠层串联的非晶硅太阳电池及非晶硅和多晶硅、单晶硅组成的异质结结构可增加宽带太阳光... 介绍了非晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展,微纳光学结构和金属表面等离子体特性引入到非晶硅薄膜太阳电池可大大降低薄膜厚度和提高光电转换效率。叠层串联的非晶硅太阳电池及非晶硅和多晶硅、单晶硅组成的异质结结构可增加宽带太阳光谱吸收范围,提高光电转换效率,是非晶硅薄膜电池的发展方向。 展开更多
关键词 非晶硅 太阳电池 叠层 微纳 异质
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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量:1
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作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多
关键词 双极晶体 异质 研制
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量:5
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作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 异质双极晶体 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器 被引量:2
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作者 李文渊 顾洵 《电子器件》 CAS 2008年第6期1761-1764,1768,共5页
采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.... 采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。 展开更多
关键词 功率放大器 无线局域网 异质双极型晶体 自适应偏置
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不同工作温度下a-Si(n)/c-Si(p)/uc-Si(p+)异质结太阳能电池微晶硅背场的模拟计算与优化 被引量:1
18
作者 杨大洋 刘淑平 +2 位作者 张棚 彭艳艳 李德利 《红外》 CAS 2013年第8期40-46,共7页
采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了在不同工作温度下微晶硅背场对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响。结果表明,随着背场带隙的增加,开路电压和转化效率都增大。随着背场掺杂浓度的增加,开路电压、填充因子和转化... 采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了在不同工作温度下微晶硅背场对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响。结果表明,随着背场带隙的增加,开路电压和转化效率都增大。随着背场掺杂浓度的增加,开路电压、填充因子和转化效率都在不断地增加;随着背场厚度的增加,电池性能有所下降。随着电池工作温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳浓度掺杂值和最佳厚度值变化不大。但是随着温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳带隙值有明显的右移趋势。实验结果为电池的商业化生产提供了实验参数。 展开更多
关键词 afors-het 异质太阳能电池 温度 微晶背场
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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 被引量:1
19
作者 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关键词 锗应变层 双极型晶体 异质
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硅基异质结太阳电池的研究现状与前景 被引量:1
20
作者 杨帆 刘静静 +1 位作者 金以明 杜张李 《太阳能》 2012年第13期29-32,共4页
简要介绍了当前低成本太阳电池的现状,对硅基异质结太阳电池的构成进行简要分析,简述了如HIT、a-C/c-Si、a-C/C60/c-Si以及nc-Si/mc-Si等几种高效硅基异质结太阳电池的研究,并介绍了太阳模拟软件对硅基异质结电池工艺参数的模拟结果。... 简要介绍了当前低成本太阳电池的现状,对硅基异质结太阳电池的构成进行简要分析,简述了如HIT、a-C/c-Si、a-C/C60/c-Si以及nc-Si/mc-Si等几种高效硅基异质结太阳电池的研究,并介绍了太阳模拟软件对硅基异质结电池工艺参数的模拟结果。最后介绍了Si/Ge/Si双异质结太阳电池的制备技术,并对基于硅基异质结高效低成本太阳电池的发展进行展望。 展开更多
关键词 太阳电池 异质 Si/Ge/Si太阳电池 数值模拟
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