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非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1: 1; 作者岳兰任达森 +1 位作者罗胜耘陈家荣《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页; 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 展开更多; 关键词薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层成膜技术薄膜组分掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 2; 作者王中健王龙彦 +2 位作者马仙梅付国柱荆海《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 展开更多; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能被引量：3: 3; 作者程晓涵吕建国 +3 位作者岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页; 采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀... 展开更多; 关键词脉冲激光沉积 p型导电非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管: 4; 作者杜晓松沈秋华《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第1期33-37,共5页; 在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化... 展开更多; 关键词非晶氧化物半导体场效应晶体管软印刷微接触印刷柔性电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管: 5; 作者杜晓松沈秋华《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期264-267,共4页; 无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀... 展开更多; 关键词非晶氧化物半导体场效应晶体管电流体打印无掩膜版直写; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1: 1; 作者岳兰任达森罗胜耘陈家荣; 机构贵州民族大学信息工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页; 基金国家自然科学基金资助项目(61504031) 贵州省科学技术基金资助项目(黔科合LH字[2014]7388) 贵州民族大学科研基金资助项目(15XRY009); 文摘薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。; 关键词薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层成膜技术薄膜组分掺杂; Keywords thin-film transistor （TFT） amorphous oxide semiconductor （AOS） channel layer preparation technology of thin film film composition doping; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展被引量：8: 2; 作者王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心中国科学院研究生院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.60576056) 长春市高技术成果产业化计划项目(No.2006303); 文摘透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。; 关键词透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管有源矩阵电泳显示器集约化模型; Keywords transparent amorphous oxide semiconductors thin-film transistors active matrix organic light emitting diode active matrix electrophoretic display compact model; 分类号 TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能被引量：3: 3; 作者程晓涵吕建国岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇; 机构浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(91333203); 文摘采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。; 关键词脉冲激光沉积 p型导电非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜生长温度; Keywords pulsed laser deposition p-type conductivity amorphous oxide semiconductor CuNiSnO thin film growth temperature; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管: 4; 作者杜晓松沈秋华; 机构常州大学微电子与控制工程学院中芯长电半导体(江阴)有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第1期33-37,共5页; 基金江苏省“六大人才高峰”计划资助项目(DZXX-097) 江苏省高层次创新创业人才引进计划资助项目(JSSCRC2021534) +1 种基金常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。; 文摘在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料。柔性聚合物印章被用于SAMs的图形转移,然后在氧化物湿蚀刻期间用作化学保护层。光学显微镜和电子显微镜中可以清晰地看见良好的图形转移,其分辨率高,台阶轮廓清晰。电学测量显示制备的底栅型ZTO晶体管有着极低的漏电流(<1 nA/cm^(2))、高平均电子迁移率[2.2 cm^(2)/(V·s)]和优良的通断比(1.7×10^(7))。; 关键词非晶氧化物半导体场效应晶体管软印刷微接触印刷柔性电子; Keywords amorphous oxide semiconductor field-effect transistor(FET) soft lithography micro-contact printing flexible electronics; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管: 5; 作者杜晓松沈秋华; 机构常州大学微电子与控制工程学院中芯长电半导体(江阴)有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期264-267,共4页; 基金江苏省“六大人才高峰”计划资助项目(DZXX-097) 江苏省留学回国人员创新创业计划常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。; 文摘无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管。直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(<1 nA)、高电子迁移率[2.0 cm^(2)/(V·s)]、合理的通断比(3.1×10^(4))和较高的器件稳定性。实验结果为无掩膜版制备高性能氧化物晶体管提供了全新的方法。; 关键词非晶氧化物半导体场效应晶体管电流体打印无掩膜版直写; Keywords amorphous oxide semiconductor field-effect transistor(FET) electrohydrodynamic printing maskless direct writing; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展	岳兰任达森罗胜耘陈家荣	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展	王中健王龙彦马仙梅付国柱荆海	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2009	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能	程晓涵吕建国岳士录吕容恺陈凌翔叶志镇	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管	杜晓松沈秋华	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管	杜晓松沈秋华	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料