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非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展
被引量:
1
1
作者
岳兰
任达森
+1 位作者
罗胜耘
陈家荣
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第6期401-410,474,共11页
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏...
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。
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关键词
薄膜晶体管(TFT)
非晶氧化物半导体
(AOS)
沟道层
成膜技术
薄膜组分
掺杂
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职称材料
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
被引量:
8
2
作者
王中健
王龙彦
+2 位作者
马仙梅
付国柱
荆海
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高...
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
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关键词
透明
非晶
态
氧化物
半导体
薄膜晶体管
有源矩阵有机发光二极管
有源矩阵电泳显示器
集约化模型
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职称材料
非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践
被引量:
2
3
作者
许磊
胡梦真
+1 位作者
宋增才
张新楠
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022年第8期181-184,188,共5页
文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域...
文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。
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关键词
非晶氧化物半导体
磁控溅射
退火
实验设计
薄膜晶体管
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职称材料
非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能
被引量:
3
4
作者
程晓涵
吕建国
+3 位作者
岳士录
吕容恺
陈凌翔
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期876-879,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀...
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。
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关键词
脉冲激光沉积
p型导电
非晶氧化物半导体
CuNiSnO
薄膜
生长温度
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职称材料
题名
非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展
被引量:
1
1
作者
岳兰
任达森
罗胜耘
陈家荣
机构
贵州民族大学信息工程学院
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第6期401-410,474,共11页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504031)
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合LH字[2014]7388)
贵州民族大学科研基金资助项目(15XRY009)
文摘
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。
关键词
薄膜晶体管(TFT)
非晶氧化物半导体
(AOS)
沟道层
成膜技术
薄膜组分
掺杂
Keywords
thin-film transistor (TFT)
amorphous oxide semiconductor (AOS)
channel layer
preparation technology of thin film
film composition
doping
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
被引量:
8
2
作者
王中健
王龙彦
马仙梅
付国柱
荆海
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心
中国科学院研究生院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期210-216,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60576056)
长春市高技术成果产业化计划项目(No.2006303)
文摘
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
关键词
透明
非晶
态
氧化物
半导体
薄膜晶体管
有源矩阵有机发光二极管
有源矩阵电泳显示器
集约化模型
Keywords
transparent amorphous oxide semiconductors
thin-film transistors
active matrix organic light emitting diode
active matrix electrophoretic display
compact model
分类号
TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践
被引量:
2
3
作者
许磊
胡梦真
宋增才
张新楠
机构
华北水利水电大学物理与电子学院
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022年第8期181-184,188,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11574083,61904054)
教育部产学合作协同育人项目(202102575009)
华北水利水电大学教育教学改革研究与实践项目(2021070)。
文摘
文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。
关键词
非晶氧化物半导体
磁控溅射
退火
实验设计
薄膜晶体管
Keywords
amorphous oxide semiconductor
magnetron sputtering
annealing
experimental design
thin film transistor
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
G642.423 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能
被引量:
3
4
作者
程晓涵
吕建国
岳士录
吕容恺
陈凌翔
叶志镇
机构
浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期876-879,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(91333203)
文摘
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。
关键词
脉冲激光沉积
p型导电
非晶氧化物半导体
CuNiSnO
薄膜
生长温度
Keywords
pulsed laser deposition
p-type conductivity
amorphous oxide semiconductor
CuNiSnO
thin film
growth temperature
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展
岳兰
任达森
罗胜耘
陈家荣
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
王中健
王龙彦
马仙梅
付国柱
荆海
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践
许磊
胡梦真
宋增才
张新楠
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能
程晓涵
吕建国
岳士录
吕容恺
陈凌翔
叶志镇
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
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