期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展 被引量:1
1
作者 岳兰 任达森 +1 位作者 罗胜耘 陈家荣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。 展开更多
关键词 薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层 成膜技术 薄膜组分 掺杂
在线阅读 下载PDF
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:8
2
作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多
关键词 透明非晶氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型
在线阅读 下载PDF
非晶氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能综合性教学实验设计与实践 被引量:2
3
作者 许磊 胡梦真 +1 位作者 宋增才 张新楠 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2022年第8期181-184,188,共5页
文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域... 文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明,通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等多个实验环节的设计,有助于学生认识电子材料与器件对信息时代的基石作用,了解新型显示和智能终端领域的前沿技术及国家的重大需求。将多个实验内容有机关联成一个综合性教学实验项目,有利于学生理解复杂工程问题的内涵。 展开更多
关键词 非晶氧化物半导体 磁控溅射 退火 实验设计 薄膜晶体管
在线阅读 下载PDF
非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能 被引量:3
4
作者 程晓涵 吕建国 +3 位作者 岳士录 吕容恺 陈凌翔 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期876-879,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀... 采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究。研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀。当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3。在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论。此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80%以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 p型导电 非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜 生长温度
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部