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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征
被引量：
5
1
作者
丁士进
王鹏飞
+2 位作者
张卫
王季陶
李伟
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期745-748,共4页
以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,...
以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,没有迹象表明C—H和O—H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3 (8% )、CF2 (19% ) ,CF(2 6 7% )、C—CFn(4 2 5 % ) ,C—C(3 3% )和CO (0 5 % ) ,表明薄膜中大约 5 4%的碳原子与氟成键 ,大约 43%的碳原子不是与氟成键 ,而是与碳氟基团CFn 中的碳原子成键 ,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。
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关键词
等离子体增强化学气相淀积
非晶氟碳薄膜
傅里叶变换红外光谱
X射线光电子能谱
表征
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职称材料
题名
低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征
被引量：
5
1
作者
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系CVD室
台湾半导体制造公司(TSMC)
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期745-748,共4页
基金
国家自然科学基金 (编号 :697760 2 6)
高等学校骨干教授资助计划资助
文摘
以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,没有迹象表明C—H和O—H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3 (8% )、CF2 (19% ) ,CF(2 6 7% )、C—CFn(4 2 5 % ) ,C—C(3 3% )和CO (0 5 % ) ,表明薄膜中大约 5 4%的碳原子与氟成键 ,大约 43%的碳原子不是与氟成键 ,而是与碳氟基团CFn 中的碳原子成键 ,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。
关键词
等离子体增强化学气相淀积
非晶氟碳薄膜
傅里叶变换红外光谱
X射线光电子能谱
表征
Keywords
plasma enhanced chemical vapor deposition
amorphous fluorinated carbon film
FTIR
XPS
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征
丁士进
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
5
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