非晶态半导体多层膜结构的低角度X射线衍射研究 被引量：1

1

作者 徐骏 姜建功 +1 位作者 蒋树声 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第2期224-229,共6页

本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率... 本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率估计的结果符合得较好。对由辉光放电法制备的样品,由于气流影响而引起的周期结构的涨落作了观测和讨论。 展开更多

关键词 非晶态半导体 多层膜 X射线 衍射

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶态半导体中的分形结构

2

作者 林鸿溢 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1991年第4期34-39,共6页

非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫... 非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫(相变)与分形结构形成的关联,和非晶硅薄膜可能的晶化机理。并研究了在高真空中用透射电子显微镜(TEM)及动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位(in situ)退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显微图像。利用图像处理技术对显微像进行光电转换,A/D转换和数字计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火条件下,显微象的Sandbox关系曲线。从而获得薄膜中形成不同分形结构的分维。文中给出应用分形理论对非晶态半导体薄膜进行分析的技术细节。 展开更多

关键词 非晶态半导体 晶化 图像处理 分形结构 相变

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶态半导体多层膜的TEM及HREM研究

3

作者 毛国民 陈坤基 +2 位作者 严勇 陈峻 冯端 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期42-49,共8页

本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性... 本文介绍了非晶态半导体多层膜剖面电镜样品的一种制备方法.报导了周期性调制和准周期性调制的非晶态半导体多层膜的剖面透射电了显微像和其对应的电子衍射花样的性质.通过高分辨电子显微像,研究了组成多层膜的子层材料的微观结构特性和异质结的界面性质. 展开更多

关键词 非晶态半导体 多层膜 TEM HREM

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究 被引量：2

4

作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 杜丽萍 袁一方 浜中广见 矶守 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1001-1005,共5页

实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜... 实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象· 展开更多

关键词 非晶态半导体 As2S8半导体薄膜 光折变效应 光致体积变化

在线阅读 下载PDF 职称材料

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：8

5

作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多

关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cd组分x对非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜暗电导的影响

6

作者 余连杰 史衍丽 +1 位作者 苏玉辉 李雄军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第1期32-35,共4页

利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度... 利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210 K时,暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高。在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小。 展开更多

关键词 非晶态半导体 非晶态碲镉汞 暗电导 导电机制

在线阅读 下载PDF 职称材料

试评《半导体物理学》的特色

7

作者 田敬民 《中国大学教学》 1993年第4期32-32,共1页

关键词 半导体物理学 教学活动 霍耳效应 物理基础 非晶态半导体 量子化 经典内容 电子类 实际应用意义 重大研究成果

在线阅读 下载PDF 职称材料

氢化非晶硅光电导研究中的新现象

8

作者 施伟华 陈坤基 +1 位作者 杜家方 李志锋 《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 1995年第1期20-24,共5页

研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象... 研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系． 展开更多

关键词 氢化非晶硅 光电导 热淬灭 非晶态半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶硅材料及其应用

9

作者 刘汝军 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 1990年第1期57-62,共6页

引言随着科学技术的发展,人们对于自然界物质的认识愈来愈深刻。利用自然资源的能力也越来越高,现在人们不仅能利用晶体材料加工和制造成各种各样的电子器件及用品,而且对非晶体材料也进行了开发和应用,并且已取得了十分显著的成效。本... 引言随着科学技术的发展,人们对于自然界物质的认识愈来愈深刻。利用自然资源的能力也越来越高,现在人们不仅能利用晶体材料加工和制造成各种各样的电子器件及用品,而且对非晶体材料也进行了开发和应用,并且已取得了十分显著的成效。本文将对非晶硅材料及其主要应用作扼要介绍。 展开更多

关键词 非晶硅 自然界物质 光化学气相沉积 转换效率 能带模型 薄膜淀积 非晶态半导体 溅射法 衬底温度 硅薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧对氢化非晶硅特性的影响

10

作者 苏辉 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期75-77,共3页

综合阐述氧对非晶硅网络结构、能带结构、SW 效应等特性的影响。

关键词 非晶态半导体 光电特性 氧 氢化非晶硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

11

作者 宋志忠 徐进章 +1 位作者 张仿清 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期31-34,共4页

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温... 本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。 展开更多

关键词 非晶态半导体 薄膜 掺杂效率

在线阅读 下载PDF 职称材料

退火Ge－Au／Au双层膜中出现的缩聚型分形

12

作者 巴龙 张庶元 吴自勤 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第3期217-221,共5页

利用透射电子显微镜观察了不同温度下退火的Ｇｅ－２２ａｔ．％Ａｕ／Ａｕ双层膜，原态双层膜由Ｇｅ．Ａｕ多晶相和少量Ｇｅ＿（０．４）Ａｕ＿（０．６）亚稳相组成，其中Ａｕ的晶粒很不均匀，没有观察到非晶态Ｇｅ。６０℃至３５０℃... 利用透射电子显微镜观察了不同温度下退火的Ｇｅ－２２ａｔ．％Ａｕ／Ａｕ双层膜，原态双层膜由Ｇｅ．Ａｕ多晶相和少量Ｇｅ＿（０．４）Ａｕ＿（０．６）亚稳相组成，其中Ａｕ的晶粒很不均匀，没有观察到非晶态Ｇｅ。６０℃至３５０℃退火后均能出现分形图形，但和非晶Ｇｅ晶化形成的多枝叉形貌显著不同。温度升高，分维数增大。认为Ｇｅ－Ａｕ／Ａｕ双层膜中较粗大的Ａｕ晶粒吸收Ａｕ小晶粒引起的缩聚是形成分形的主要原因。 展开更多

关键词 薄膜 分形 分数维 非晶态半导体 退火

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化还原比对钠铁磷熔体电阻率的影响

13

作者 刘艺 陈福义 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期37-41,共5页

用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响。发现在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的... 用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响。发现在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的变化是不可逆的 ,随着Na2 O含量增加 ,不可逆性消失 ,熔体的电阻率随时间轻微下降。同时发现Na2 O含量低的铁磷熔体的导电机理是电子性的 ,并用氧化还原比解释了其电阻率 展开更多

关键词 钠铁磷熔体 电阻率 氧化还原比 电导率电池 温度 玻璃 非晶态半导体 穆斯堡尔谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

谈固体物理教材建设 被引量：1

14

作者 范印哲 《中国大学教学》 1990年第5期8-10,共3页

固体物理经过半个多世纪的迅速发展,已经成为当今物理学中的最重要的分支之一。它是一个非常活跃的领域,其丰富的内容将吸引人们去努力探索。本文就固体物理教材建设谈些看法和体会。一、固体物理教材建设的进展固体物理学科的教材建设... 固体物理经过半个多世纪的迅速发展,已经成为当今物理学中的最重要的分支之一。它是一个非常活跃的领域,其丰富的内容将吸引人们去努力探索。本文就固体物理教材建设谈些看法和体会。一、固体物理教材建设的进展固体物理学科的教材建设,是固体物理科学发展的重要内容。 展开更多

关键词 固体物理 半导体物理 方俊鑫 非晶态半导体 高校教材建设 教学参考书 霍尔系数 实验方法 能带结构 谢希德

在线阅读 下载PDF 职称材料

教材内容更新的又一途径——从改写《固体物理学》得到的启示

15

作者 陈金富 《中国大学教学》 1990年第5期14-14,共1页

教材内容的更新是教材建设中的普遍问题。本文以韩汝琦改写黄昆的《固体物理学》为例,谈谈教材更新的又一途径。根据对国外教材的分析和我国教改的经验。

关键词 黄昆 非晶态半导体 本征振动 格波 非晶态固体 超导物理 量子化 晶体结构 本门 金属电子论

在线阅读 下载PDF 职称材料

读《固体物理导论》第六版

16

作者 陈金富 《中国大学教学》 1988年第6期26-27,共2页

[美]C.Kittel《固体物理导论》于1953年初版,第六版在与第五版相隔10年之后于1986年问世,国内影印本刚刚出版。这是固体物理学的一部被译成11种文字,风行世界30多年经久不衰、多次再版的名著。与第五版相比,新版有以下几个特点:

关键词 固体物理 单原子 倒格子 分子晶体 声子 物理基础 纤锌矿 非晶态半导体 非晶态固体 磁致电阻

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅敏感技术（连载九）

17

作者 王善慈 《传感器技术》 CSCD 1995年第3期59-64,共6页

多晶硅敏感技术（连载九）王善慈（东北传感技术研究所）ＳｅｎｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢａｓｅｄｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ（ＳｅｒｉａｌＮｉｎｅ）￥ＷａｎｇＳｈａｎｃｉ（ＮｏｒｔｈｅａｓｔＣｈｉ... 多晶硅敏感技术（连载九）王善慈（东北传感技术研究所）ＳｅｎｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢａｓｅｄｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ（ＳｅｒｉａｌＮｉｎｅ）￥ＷａｎｇＳｈａｎｃｉ（ＮｏｒｔｈｅａｓｔＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕ... 展开更多

关键词 多晶硅 敏感技术 非晶态半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料