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非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究
被引量：
2
1
作者
张丽
许玲
董承远
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1264-1268,共5页
为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SP...
为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SPICE仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2T1C和4T1C的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4T1C电路对阈值漂移有非常好的补偿效果,并指出增加存储电容值和驱动TFT的宽长比可有效提高OLED电流的保持能力。
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关键词
非晶体铟镓锌氧化物
薄膜
晶体
管
有机发光二极管
像素电路
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职称材料
题名
非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究
被引量：
2
1
作者
张丽
许玲
董承远
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1264-1268,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目(61136004)资助
文摘
为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SPICE仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2T1C和4T1C的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4T1C电路对阈值漂移有非常好的补偿效果,并指出增加存储电容值和驱动TFT的宽长比可有效提高OLED电流的保持能力。
关键词
非晶体铟镓锌氧化物
薄膜
晶体
管
有机发光二极管
像素电路
Keywords
amorphous-InGaZnO
thin film transistor
organic light-emitting diode
pixel circuit
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究
张丽
许玲
董承远
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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