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4DS和SEMATECH合作开发下一代非易失性存储器
1
《电子与电脑》 2011年第5期93-94,共2页
硅谷的电阻随机访问存储器（RRAMJ技术公司4DS与美国半导体制造技术战略联盟（SEMATECH）的前端处理（FEP）部门合作，共同开发非易失性存储器技术。
关键词 非易失性存储器 合作开发 半导体制造技术 部门合作 前端处理 随机访问 硅谷
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RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择
2
《电子工业专用设备》 2009年第3期65-65,共1页
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访... 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。 展开更多
关键词 铁电随机存取存储器 BGA封装 非易失性 FRAM 并口 半导体产品 访问速度 供应商
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磁性随机存储器的发展及其缓存应用 被引量：1
3
作者 常亮 赵鑫 +3 位作者 邓翔龙 姜钰婕 杨思琪 周军 《中国集成电路》 2021年第6期38-44,84,共8页
随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有... 随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有力竞争者。基于此,本文介绍了MRAM的特性,调研了近三年的MRAM芯片研究成果,重点阐述了MRAM应用于处理器中多级缓存的情况。最后,本文提出了基于非易失存储器的评估工具,实现对缓存性能的评估。 展开更多
关键词 低功耗 非易失存储器 磁性随机存储器 缓存 性能评估
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带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势 被引量：1
4
《国外电子元器件》 2007年第10期74-75,共2页
1概述 随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术。FRAM是非易失存储器。其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久。与... 1概述 随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术。FRAM是非易失存储器。其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久。与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今。铁电随机存取存储技术已趋于成熟。 展开更多
关键词 铁电随机存取存储器 SEMICONDUCTOR 实时时钟 高精度 非易失存储器 优势 DALLAS FRAM
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外部高速缓存与非易失内存结合的混合内存体系结构特性评测 被引量：1
5
作者 潘海洋 刘宇航 +1 位作者 卢天越 陈明宇 《高技术通讯》 CAS 2021年第5期464-478,共15页
以非易失性存储器(NVM)作为主存且以动态随机存取存储器(DRAM)作为片外高速缓存(EC),是一种可以满足大数据应用内存容量需求的新型混合内存结构(ECNVM)。该结构同时具有NVM的大存储容量和DRAM的低存取延迟的优点。传统的结构是以片内SRA... 以非易失性存储器(NVM)作为主存且以动态随机存取存储器(DRAM)作为片外高速缓存(EC),是一种可以满足大数据应用内存容量需求的新型混合内存结构(ECNVM)。该结构同时具有NVM的大存储容量和DRAM的低存取延迟的优点。传统的结构是以片内SRAM作为片内高速缓存(IC)且以DRAM作为主存(IC-DRAM)。与ICDRAM相比,EC-NVM在容量比、延迟比方面均有显著不同,导致在IC-DRAM场景下的设计方法和优化策略直接迁移到EC-NVM上未必有良好的效果。本文评测了 EC-NVM的体系结构特性(包括高速缓存粒度、关联度、替换算法、预取算法等),获得了指导ECNVM结构的设计和优化的一系列发现。 展开更多
关键词 非易失内存(NVM) 动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存 大数据应用
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富士通和爱普生联合开发FRAM存储器
6
《世界电子元器件》 2005年第7期i005-i005,共1页
富上通公司和精工爱普生公司近日宣布．双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。
关键词 非易失存储器技术 精工爱普生公司 联合开发 FRAM 富士通 铁电随机存储器 协议
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一种嵌入式实时多分区操作系统下的NVRAM管理机制
7
作者 景月娟 彭寒 +1 位作者 刘洲洲 张晓丽 《电子设计工程》 2023年第24期38-41,46,共5页
在嵌入式实时多分区操作系统中,针对直接通过绝对地址访问NVRAM导致存储器访问越界的问题,该文提出了一种NVRAM管理机制,通过定义注册接口、读取接口和写入接口,屏蔽了不安全的物理存储器访问机制,建立了安全可靠的NVRAM管理机制。通过... 在嵌入式实时多分区操作系统中,针对直接通过绝对地址访问NVRAM导致存储器访问越界的问题,该文提出了一种NVRAM管理机制,通过定义注册接口、读取接口和写入接口,屏蔽了不安全的物理存储器访问机制,建立了安全可靠的NVRAM管理机制。通过实际的工程应用证明,该NVRAM管理机制完全避免了存储越界访问的风险,同时降低了系统维护成本,有效地提高了应用软件的安全性,降低了开发成本。 展开更多
关键词 嵌入式实时多分区操作系统 非易失随机访问存储器 存储器越界 管理机制
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一种基于USB接口的动态黑白数字视频信号源板的设计与实现
8
作者 李宏彬 《现代电子技术》 2005年第7期122-124,共3页
USB总线具有高速传输、热插拔、即插即用等特点,在计算机领域已经得到越来越广泛的应用。介绍了一种采 用USB接口的动态视频板的软硬件设计与实现。在硬件设计上他采用单片机和复杂可编程逻辑器件技术,并通过USB接口完 成上位计算... USB总线具有高速传输、热插拔、即插即用等特点,在计算机领域已经得到越来越广泛的应用。介绍了一种采 用USB接口的动态视频板的软硬件设计与实现。在硬件设计上他采用单片机和复杂可编程逻辑器件技术,并通过USB接口完 成上位计算机控制下视频运动图像的生成。单片机读取上位机前景运动图像位置信息并对视频板图像存储器进行刷新,复杂可 编程逻辑器件巡回扫描视频板图像存储器并通过D/A转换后生成视频信号。该系统上位机界面设计采用VB语言。 展开更多
关键词 USB总线 视频信号 单片机 复杂可编程逻辑器件 D/A转换 非易失随机存储器
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富士通与爱普生将开发下一代FRAM
9
《中国集成电路》 2005年第8期8-8,共1页
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。
关键词 FRAM 铁电随机存储器 非易失存储器 富士通公司 精工爱普生公司
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16MbitnvSRAM系列：nvSRAM
10
《世界电子元器件》 2012年第10期31-31,共1页
赛普拉斯半导体公司推出了16Mbit非易失性静态随机访问存储器（nvSRAM）系列，其中包括具备同步NAND闪存接口的器件。该系列是可直接与开放式NAND闪存接口（ONFI）以及ToggleNAND总线控制器相连接的非易失性SRAM存储器。
关键词 NVSRAM AM系列 SRAM存储器 赛普拉斯半导体公司 NAND闪存 非易失性 总线控制器 随机访问
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