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非易失性静态随机存储器研究进展
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作者 冯平 尹家宇 +4 位作者 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期1-8,18,共9页
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在... 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。 展开更多
关键词 易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 功耗
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美研制新型非易失性铁电存储设备
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《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1380-1380,共1页
据美国物理学家组织网近日报道,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备-铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM),其将比现在的商用存储设备更快捷,且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。 这种最... 据美国物理学家组织网近日报道,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备-铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM),其将比现在的商用存储设备更快捷,且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。 这种最新的存储设备将由硅纳米线和铁电聚合物集合而成。铁电材料是指具有铁电效应的一类材料,它是热释电材料的一个分支。铁电材料及其应用研究已成为凝聚态物理、固体电子学领域最热门的研究课题之一。科学家也已了解到铁电材料的原子结构可使其自发产生极化现象。 展开更多
关键词 计算机存储设备 聚合物 易失性 美国科学家 随机存取存储器 材料 美国化学学会 硅纳米线
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铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中的应用 被引量:1
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作者 卢伟 周永强 《现代电子技术》 2003年第13期27-29,32,共4页
FM2 4 C1 6是美国 Ramtron公司以铁电晶体为材料生产的铁电存储器 (FRAM) ,和一般的 EEPROM比较 ,其具有无写延时、超低功耗、无限次写入等超级特性 ,特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合 ,而且其与单片机接口电路简单 ... FM2 4 C1 6是美国 Ramtron公司以铁电晶体为材料生产的铁电存储器 (FRAM) ,和一般的 EEPROM比较 ,其具有无写延时、超低功耗、无限次写入等超级特性 ,特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合 ,而且其与单片机接口电路简单 ,应用方便。本文对 FM2 4 C1 6的工作原理。 展开更多
关键词 存储器 FM24C16 MCU 晶体 应用 易失性 无写延时 FRAM
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Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-432,共1页
世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44... 世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容,适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础,在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。 展开更多
关键词 易失性存储器 FRAM CMOS逻辑工艺 工业控制系统 半导体产品 多功能打印机 自动导航系统 高容量
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动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望 被引量:4
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作者 孙以材 王静 +2 位作者 赵彦晓 田立强 刘江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期10-13,共4页
介绍了DRAM 0.1mm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM。现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间。
关键词 动态随机存储器 IC芯片 展望 集成 易失性随机存储器
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铋层状结构铁电体的研究进展 被引量:10
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作者 张发强 李永祥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期449-460,共12页
铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探... 铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探讨,并重点总结了近二十年来其在性能优化和薄膜制备中取得的进展。此外,本文还对一些以铁电为背景的新的研究方向做了介绍。最后提出了BLSF在未来发展中值得关注的几个重要问题。 展开更多
关键词 铋层状结构 无铅压陶瓷 非易失性铁电随机存储器 综述
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铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展 被引量:3
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作者 陆旭兵 李明 刘俊明 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第3期1-11,共11页
系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和... 系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET的未来研究作出展望. 展开更多
关键词 易失性存储器 场效应晶体管 闪存 有机半导体 氧化物半导体
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巨磁电阻在计算机存储领域的应用
8
作者 颜冲 于军 +3 位作者 王耘波 周文利 高俊雄 周东祥 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第6期21-23,32,共4页
用巨磁电阻(GMR)材料构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用。介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储存储器,描述了它们的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势。
关键词 巨磁 读出磁头 存储密度 随机存储存储器 易失性 计算机 硬盘
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内存空间在双空间存储器上的推移技术实验 被引量:3
9
作者 展豪君 金翊 +1 位作者 欧阳山 石也强 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期201-215,共15页
详细介绍双空间存储器理论和其核心技术——内存空间推移技术的仿真实验.证实了用非易失性随机存储器(non-volatile random access memory,NVRAM)构建双空间存储器的可行性,同时通过对8086CPU系统的仿真实验,证实了将内存空间在双空间... 详细介绍双空间存储器理论和其核心技术——内存空间推移技术的仿真实验.证实了用非易失性随机存储器(non-volatile random access memory,NVRAM)构建双空间存储器的可行性,同时通过对8086CPU系统的仿真实验,证实了将内存空间在双空间存储器上推移之技术的正确性.实验设置的目标系统包含一个8086CPU,16 MB的双空间存储器和16个8位的推移锁存器.目标系统中设置了2个不可闭窗和14个可推移的窗框,在不可闭的255号窗壁中设置了8086CPU的首指令和初始化程序,在不可闭的254号窗壁设置了8086CPU的中断向量表和双空间存储器的推移向量表.实验完成了8086CPU的上电过程、自动执行初始化程序、正确执行中断命令、正确执行数据读写命令等操作,并将CPU对其1 MB内存空间的随机读写访问自动落实为对16 MB双空间存储器指定位置的实时随机访问;实验还完成了随时修改推移锁存器的操作,并以此将对应的窗框推移到了双空间存储器的任意位置.实验结果为双空间存储器理论和内存空间推移技术奠定了基础. 展开更多
关键词 双空间存储器 易失性随机存储器(non—volatile RANDOM ACCESS memory NVRAM) 内存推移
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研究人员设计出高宏观铁电性能薄膜
10
《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期80-80,共1页
北京科技大学新材料技术研究院、北京材料基因工程高精尖创新中心的研究团队设计了一种新型的层状结构材料,采用一种简单的溶液外延生长方法,获得超薄(低至1 μm)铋氧化物薄膜,并稳定呈现出高的宏观铁电性能。原子尺度的高密度电子器件... 北京科技大学新材料技术研究院、北京材料基因工程高精尖创新中心的研究团队设计了一种新型的层状结构材料,采用一种简单的溶液外延生长方法,获得超薄(低至1 μm)铋氧化物薄膜,并稳定呈现出高的宏观铁电性能。原子尺度的高密度电子器件,如低维场效应晶体管、纳米级低功耗逻辑和非易失性存储器等,在未来科技发展中具有重要意义。其中,高质量原子尺度铁电外延薄膜的制备是超尺度、高密度电子器件发展的关键环节。 展开更多
关键词 新材料技术 易失性存储器 原子尺度 场效应晶体管 性能 氧化物薄膜 未来科技发展 材料基因工程
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Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器
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《现代电子技术》 2009年第8期121-121,共1页
关键词 易失性存储器 高速串口 RAM 低功耗 半导体产品 工作 内存接口 供应商
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基于NVRAM技术的导航设备DSP系统数据保全方法
12
作者 蒋源明 陈建淼 +1 位作者 刘艳 曾周末 《中国惯性技术学报》 北大核心 2025年第5期525-530,共6页
数据需要保全功能是现代导航设备中数字信号处理(DSP)系统的一项关键技术。针对传统数据保全方案系统复杂、恢复效率低、功耗大且硬件成本高的问题,提出了一种基于非易失性随机存储器(NVRAM)的数据保全方法。搭建了基于NVRAM技术的导航... 数据需要保全功能是现代导航设备中数字信号处理(DSP)系统的一项关键技术。针对传统数据保全方案系统复杂、恢复效率低、功耗大且硬件成本高的问题,提出了一种基于非易失性随机存储器(NVRAM)的数据保全方法。搭建了基于NVRAM技术的导航设备数据保全架构,并完成全国产化DSP硬件设计。基于惯性导航系统(INS)的对比实验表明:相较于传统方案,NVRAM方案每256字节的读写速度提升300%,掉电恢复时间、功耗、成本及PCB面积分别降低33%、43%、31%与40%。所提方法突破了传统备份技术的性能瓶颈,为高可靠、低功耗导航设备数据保全提供了一种解决思路。 展开更多
关键词 易失性随机存储器 导航设备 数字信号处理器 数据保全
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一种MRAM仿真系统的设计实现 被引量:1
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作者 吴非 朱铭 黄海涛 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第S2期96-102,共7页
计算机科学技术日新月异的发展,对存储器的集成度、读写速度、可靠性等方面提出了更高的要求.在这种形势下,一些传统存储器的缺陷逐步暴露出来,需要新一代存储器适应技术的发展和要求.与传统的存储器相比,磁阻式随机访问存储器(magnetic... 计算机科学技术日新月异的发展,对存储器的集成度、读写速度、可靠性等方面提出了更高的要求.在这种形势下,一些传统存储器的缺陷逐步暴露出来,需要新一代存储器适应技术的发展和要求.与传统的存储器相比,磁阻式随机访问存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有更好的性能,它同时具备静态随机访问存储器(static random access memory,SRAM)的高速读写性能、动态随机访问存储器(dynamic random access memory,DRAM)的高集成度与Flash存储器的非易失性等优点.为了研究MRAM用作主存时的各项性能,进一步探究MRAM作为DRAM主存替代品的可能性,根据MRAM的原理以及特点,设计并实现了一个MRAM仿真系统,由trace发生器、MRAM控制器和MRAM存储体3部分组成.MRAM仿真系统接收来自处理器(CPU)对主存的读写请求,并根据设计的地址映射算法,对请求进行调度,完成对MRAM存储器的读写请求.仿真结果表明,用MRAM做主存能够发挥出MRAM的优势,获得良好的请求响应时间、请求带宽等性能. 展开更多
关键词 磁阻式随机访问存储器 易失性 地址映射 仿真系统 主存
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一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法
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作者 孙海燕 张硕 +1 位作者 张晓波 戴澜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期670-675,共6页
阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反... 阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I_(0)、g_(0)、γ_(0)、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfO_(x)材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。 展开更多
关键词 阻变随机存取存储器(RRAM) 易失性存储器 器件模型 HfOx材料 细丝理论
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一种支持大页的层次化DRAM/NVM混合内存系统 被引量:5
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作者 陈吉 刘海坤 +3 位作者 王孝远 张宇 廖小飞 金海 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2018年第9期2050-2065,共16页
随着大数据应用的涌现,计算机系统需要更大容量的内存以满足大数据处理的高时效性需求.新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)结合传统动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)组成的混合内存系统具有内存容量大、功... 随着大数据应用的涌现,计算机系统需要更大容量的内存以满足大数据处理的高时效性需求.新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)结合传统动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)组成的混合内存系统具有内存容量大、功耗低的优势,因而得到了广泛关注.大数据应用同时也面临着旁路转换缓冲器(translation lookaside buffer,TLB)缺失率过高的性能瓶颈.大页可以有效降低TLB缺失率,然而,在混合内存中支持大页面临着大页迁移开销过大的问题.因此,设计了一种支持大页和大容量缓存的层次化混合内存系统:DRAM和NVM分别使用4KB和2MB粒度的页面分别进行管理,同时在DRAM和NVM之间实现直接映射.设计了基于访存频率的DRAM缓存数据过滤机制,减轻了带宽压力.提出了基于内存实时信息的动态热度阈值调整策略,灵活适应应用访存特征的变化.实验显示:与使用大页的全NVM内存系统和缓存热页(caching hot page,CHOP)系统相比平均有69.9%和15.2%的性能提升,而与使用大页的全DRAM内存系统相比平均只有8.8%的性能差距. 展开更多
关键词 动态随机存储器 易失性存储器 混合内存 大页 缓存过滤
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基于NVRAM的内存数据库性能优化策略研究与设计 被引量:4
16
作者 楚天骄 林中 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2010年第12期2897-2900,共4页
为了提高内存数据库系统的实时性与稳定性,研究并设计了基于小存贮量的NVRAM获得内存数据库最大性能优化的策略与方法。该方法主要包括:设计NVRAM存储策略,增加控制文件以提高NVRAM的空间利用率;设计日志提交方法以减小提交时间从而提... 为了提高内存数据库系统的实时性与稳定性,研究并设计了基于小存贮量的NVRAM获得内存数据库最大性能优化的策略与方法。该方法主要包括:设计NVRAM存储策略,增加控制文件以提高NVRAM的空间利用率;设计日志提交方法以减小提交时间从而提高事务运行速度;设计了系统的检查点策略,及时删除系统无用日志;提出快速恢复方法,在提高了系统的稳定性与可靠性的同时,加快了系统的数据恢复速度。实验结果表明了该策略的可行性与有效性。 展开更多
关键词 易失性随机存储器 内存数据库 日志 检查点 恢复
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内存推移理论及其实验 被引量:1
17
作者 李凯凯 金翊 +1 位作者 欧阳山 周时强 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期151-165,共15页
双空间存储器是2013年发明的新型存储系统,其核心是内存空间在巨大的双空间存储器上的映射理论——内存推移理论.介绍了所构建的第一个双空间存储器实物系统,并在该系统上首次实施了内存推移理论.完成了对双空间存储器和推移锁存器组的... 双空间存储器是2013年发明的新型存储系统,其核心是内存空间在巨大的双空间存储器上的映射理论——内存推移理论.介绍了所构建的第一个双空间存储器实物系统,并在该系统上首次实施了内存推移理论.完成了对双空间存储器和推移锁存器组的实物设计及实现,并在实物实验系统上成功实施了内存推移操作,从而证实了将内存空间在双空间存储器上推移的理论的正确性,成功解决了内存空间与巨大的双空间存储器随机访问空间的对接问题,奠定了构造双空间存储器和实施内存推移理论的实践基础.所构造的实物系统包含一块TQ2440Core 2.0核心板、1 GB双空间存储器和由8个12位推移锁存器组成的推移锁存器组.将该核心板对其2 MB内存空间的随机访问自动落实为对1 GB双空间存储器字空间上指定位置的随机访问,并利用推移指令在双空间存储器的字空间上实现了窗框移动操作. 展开更多
关键词 双空间存储器 易失性随机访问存储器 内存推移理论 不可闭窗 三值光学计算机
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基于BRAM的NVMe控制器原型仿真平台设计 被引量:1
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作者 冯志华 王华卓 +2 位作者 安东博 罗重 王红艳 《计算机工程与设计》 北大核心 2021年第4期1181-1187,共7页
为加快NVMe控制器的开发进程,实现NVMe标准命令的快速仿真验证,提出一种基于BRAM的NVMe控制器原型仿真平台的设计方法。将采用块随机存储器代替闪存作为存储介质,处理器直接将数据写入块随机存储器,缩短数据的存储路径,极大地降低工程... 为加快NVMe控制器的开发进程,实现NVMe标准命令的快速仿真验证,提出一种基于BRAM的NVMe控制器原型仿真平台的设计方法。将采用块随机存储器代替闪存作为存储介质,处理器直接将数据写入块随机存储器,缩短数据的存储路径,极大地降低工程结构的复杂度,克服NVMe控制器工程仿真过程耗时较多的缺点。仿真结果表明了该方法的可行性,相比于原始NVMe控制器,其结构更简单,仿真过程用时明显减少。 展开更多
关键词 存储介质 易失性存储 原型仿真 现场可编程逻辑门阵列 随机存储器
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Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期559-559,共1页
非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。
关键词 8051内核 16位MCU 半导体产品 易失性存储器 开发商
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