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Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器: 1; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-432,共1页; 世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44... 展开更多; 关键词非易失性铁电存储器 FRAM CMOS逻辑工艺工业控制系统半导体产品多功能打印机自动导航系统高容量; 在线阅读下载PDF 职称材料

铋层状结构铁电体的研究进展被引量：10: 2; 作者张发强李永祥《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期449-460,共12页; 铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探... 展开更多; 关键词铋层状结构铁电体无铅压电陶瓷非易失性铁电随机存储器综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器: 3; 《现代电子技术》 2009年第8期121-121,共1页; 关键词非易失性铁电存储器高速串口 RAM 低功耗半导体产品工作电压内存接口供应商; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070: 4; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期559-559,共1页; 非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。; 关键词 8051内核 16位MCU 半导体产品非易失性铁电存储器开发商; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器: 1; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-432,共1页; 文摘世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。; 关键词非易失性铁电存储器 FRAM CMOS逻辑工艺工业控制系统半导体产品多功能打印机自动导航系统高容量; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铋层状结构铁电体的研究进展被引量：10: 2; 作者张发强李永祥; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院大学; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期449-460,共12页; 基金国家自然科学基金重点项目(50932007) 国际科技部973项目(2009CB613305)~~; 文摘铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探讨,并重点总结了近二十年来其在性能优化和薄膜制备中取得的进展。此外,本文还对一些以铁电为背景的新的研究方向做了介绍。最后提出了BLSF在未来发展中值得关注的几个重要问题。; 关键词铋层状结构铁电体无铅压电陶瓷非易失性铁电随机存储器综述; Keywords bismuth layered structure ferroelectric lead-free piezoelectric ferroelectric random access memory review; 分类号 TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器: 3; 出处《现代电子技术》 2009年第8期121-121,共1页; 关键词非易失性铁电存储器高速串口 RAM 低功耗半导体产品工作电压内存接口供应商; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070: 4; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期559-559,共1页; 文摘非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。; 关键词 8051内核 16位MCU 半导体产品非易失性铁电存储器开发商; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	铋层状结构铁电体的研究进展	张发强李永祥	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2014	10	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器		《现代电子技术》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料