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新型非易失性存储器架构的缓存优化方法综述 被引量:12
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作者 何炎祥 沈凡凡 +3 位作者 张军 江南 李清安 李建华 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第6期1225-1241,共17页
随着半导体工艺的发展,处理器集成的片上缓存越来越大,传统存储器件的漏电功耗问题日益严峻,如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战.为解决这些问题,国内外研究者讨论了大量的新型非易失性存储技术,它们具有非易失性、低功耗和高... 随着半导体工艺的发展,处理器集成的片上缓存越来越大,传统存储器件的漏电功耗问题日益严峻,如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战.为解决这些问题,国内外研究者讨论了大量的新型非易失性存储技术,它们具有非易失性、低功耗和高存储密度等优良特性.为探索spintransfer torque RAM(STT-RAM),phase change memory(PCM),resistive RAM(RRAM)和domainwall memory(DWM)四种新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)架构缓存的方法,对比了其与传统存储器件的物理特性,讨论了其架构缓存的优缺点和适用性,重点分类并总结了其架构缓存的优化方法和策略,分析了其中针对新型非易失性存储器写功耗高、写寿命有限和写延迟长等缺点所作出的关键优化技术,最后探讨了新型非易失性存储器件在未来缓存优化中可能的研究方向. 展开更多
关键词 易失性存储器 存储技术 计算机体系结构 缓存 优化方法
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可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器
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作者 杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期16-21,共6页
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制... 采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。 展开更多
关键词 易失性存储器(nvm) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅
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浮栅型有机非易失性存储器的研究
3
作者 陆旭兵 邵亚云 刘俊明 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第6期85-91,共7页
有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点,是近年来国内外学术界和工业界的研究热点.有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件.介绍了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理;综述了国内外学术界对浮栅型有机非... 有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点,是近年来国内外学术界和工业界的研究热点.有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件.介绍了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理;综述了国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展、存在的问题及解决对策. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 易失性存储器 浮栅 高K栅介质 有机半导体
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阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真 被引量:1
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作者 李德君 代月花 +2 位作者 陈军宁 柯导明 胡媛 《现代电子技术》 2009年第2期1-3,共3页
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转... 为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。 展开更多
关键词 易失性存储器 电阻转变特性 存储单元结构 1T1R
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面向非易失性存储器的多表连接写操作的优化研究 被引量:4
5
作者 马竹琳 李心池 +4 位作者 诸葛晴凤 吴林 陈咸彰 姜炜文 沙行勉 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期2417-2428,共12页
多表连接操作是嵌入式数据库、数据仓库等系统中的一个重要操作.因此,提升多表连接的性能能够加快数据处理和分析的速度,进而提升系统的整体性能.新型的非易失性存储器(Non VolatileMemory,NVM)具有内存级读写速度、存储密度高、可字节... 多表连接操作是嵌入式数据库、数据仓库等系统中的一个重要操作.因此,提升多表连接的性能能够加快数据处理和分析的速度,进而提升系统的整体性能.新型的非易失性存储器(Non VolatileMemory,NVM)具有内存级读写速度、存储密度高、可字节寻址和持久化等优点,成为补充或替代DRAM的新型存储设备.然而,直接将现有的多表连接算法应用在NVM上会带来两个问题:(1)现有算法不能充分发挥新型非易失性存储器的优势,无法展现较优的性能;(2)连接算法会生成大量中间表,对存储设备造成大量写操作.由于NVM的写耐受度有限,现有多表连接操作极易造成NVM的损坏.该文考虑NVM写耐受度有限的特性,旨在减少多表连接操作引起的对NVM的写操作.首先,该文提出优化连接顺序的NVjoin算法,该算法解析不同表之间的关联性,并通过采样的方法估算中间结果的大小,从而选择较优的连接顺序,尽可能减少NVM上的写操作.其次,该文设计了一个组织中间结果的数据结构LWTab,该结构充分利用了NVM可字节寻址的特性,通过存储数据的地址而非数据的方式,进一步减少连接过程中中间结果所产生的NVM写操作.该文利用DRAM模拟NVM进行大量的测试实验,结果表明,该文提出的算法在时间性能与NVM写次数两个方面均得到提升:与MySQL所提供的连接顺序相比,NVjoin可以减少104.21倍的NVM写操作并提升65.01%的性能.除此之外,LWTab可以在NVjoin的基础上,进一步减少16.74倍的NVM写操作以及提升71.86%的性能. 展开更多
关键词 易失性存储器 多表连接 连接顺序 数据库
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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析 被引量:3
6
作者 王宇龙 王明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期65-69,共5页
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。 展开更多
关键词 嵌入式易失性存储器(envm) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能
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飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期824-825,共2页
关键词 易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 高速缓冲器 SRAM 磁性材料 商业应用
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多编程手段的浮栅晶体管非易失性存储器
8
作者 温嘉敏 闫成员 孙振华 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期232-238,共7页
随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段... 随着信息时代的发展,新型晶体管基非易失性存储器体现出越来重要的应用价值,获得了广泛的研究关注.本研究将具有Ⅰ型能带结构的硒化锌/硫化锌核壳量子点集成到石墨烯晶体管中,充当晶体管中的电荷捕获层和隧穿中心,制备具有多重编程手段的非易失性存储器.该量子点可以实现电子和空穴的双重存储,通过正负脉冲栅压可以改变该器件的沟道电导状态,实现信息存储.表征实验结果表明,该器件可实现60 V的超大存储窗口,在10 h的测试范围内表现出良好稳定性,在多次擦写过程中表现出良好的耐用性.该器件还可以将光照作为辅助编程手段,使用紫外光对写入的电荷进行擦除,实现较好的电写-光擦功能.研究结果表明,核壳量子点是一种良好的电荷存储介质,在晶体管基非易失性存储器中具有巨大应用潜力,对基于半导体核壳量子点的晶体管基存储器进行光电赋能,有望实现光电编程. 展开更多
关键词 纳米材料 核壳量子点 光电晶体管 易失性存储器 光电存储器 石墨烯晶体管 高介电常数材料
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赛凡选择惠瑞捷V5000e进行下一代45nm非易失性存储器设备调试和设计特性分析
9
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期376-376,共1页
2008年3月20日,半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司日前宣布,为非易失性存储器(NVM)市场提供知识产权解决方案的领导厂商赛凡半导体有限公司已经同意购买七套V5000e系统,对其下一代非易失性存储器(NVM)设备进行设计检测和... 2008年3月20日,半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司日前宣布,为非易失性存储器(NVM)市场提供知识产权解决方案的领导厂商赛凡半导体有限公司已经同意购买七套V5000e系统,对其下一代非易失性存储器(NVM)设备进行设计检测和调试,包括第一个45nm设计的产品。赛凡是在与其他主要竞争对手进行比较基准测试之后选择V5000e的。 展开更多
关键词 易失性存储器 设计特性 设备调试 半导体测试 知识产权 基准测试 竞争对手
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非易失性静态随机存储器研究进展
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作者 冯平 尹家宇 +4 位作者 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期1-8,18,共9页
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在... 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。 展开更多
关键词 易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 漏电流 功耗
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Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-432,共1页
世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44... 世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容,适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础,在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。 展开更多
关键词 易失性铁电存储器 FRAM CMOS逻辑工艺 工业控制系统 半导体产品 多功能打印机 自动导航系统 高容量
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飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器
12
《现代电子技术》 2006年第7期27-27,共1页
关键词 飞利浦电子公司 嵌入式闪存 易失性存储器 EEPROM 0.18微米 开发 CMOS 电子应用 工艺生产 产品发展
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非易失性D-A型高分子信息存储功能材料的研究进展 被引量:2
13
作者 张斌 陈彧 +3 位作者 汪诚 庄小东 汪露馨 樊菲 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期325-347,共23页
随着电子工业的迅猛发展,诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从技术角度还是从经济角度来考虑,对新型信息存储材料和器件的研发已成为电子行业急需解决的问题。由于聚... 随着电子工业的迅猛发展,诸如个人电脑、手机、数码相机和媒体播放器等信息技术设备已成为人们日常生活中不可缺少的一部分。无论从技术角度还是从经济角度来考虑,对新型信息存储材料和器件的研发已成为电子行业急需解决的问题。由于聚合物的电子性质可以通过分子设计和合成等手段调控或剪裁,2005年国际半导体技术发展蓝图(ITRS)将聚合物存储器视为新型存储器件。与硅存储器相比,基于高分子存储材料制作的存储器具有材料结构多样、成本低、易加工、柔韧性好、可大面积制作(可通过旋涂或喷墨打印,在塑料、玻璃、互补金属氧化物半导体(CMOS)混合集成电路上面进行加工)、响应快、功耗低、高密度存储等优点,在信息存储以及高速计算领域有着非常广泛的应用前景。本文综述了高分子阻变存储器的基本概念和工作机制及近年来具有推-拉电子结构特征的高分子信息存储材料的设计、合成和器件性能的研究进展,以及存在的亟待解决的问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 高分子信息存储材料 D—A型高分子 易失性存储 存储器
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利用非对称锁的高并发NVM存储系统 被引量:2
14
作者 蔡涛 刘佩瑶 +3 位作者 王杰 牛德姣 贺庆建 陈志鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期67-74,共8页
为了提高非易失性存储系统并发执行访问请求的能力,针对存储设备中的读写访问请求、文件数据和元数据的不同特性,设计了基于区间锁的文件数据并发写策略、基于读拷贝修改的文件数据读写并发策略和基于最小自旋锁的元数据同步策略,以提... 为了提高非易失性存储系统并发执行访问请求的能力,针对存储设备中的读写访问请求、文件数据和元数据的不同特性,设计了基于区间锁的文件数据并发写策略、基于读拷贝修改的文件数据读写并发策略和基于最小自旋锁的元数据同步策略,以提高访问请求执行的并发度;实现了利用非对称锁的高并发非易失存储系统原型,使用通用测试工具和方法进行了测试与分析,验证所实现的原型系统相比PMFS能提高40%~162%的吞吐率和61%~159%的每秒输入输出量。 展开更多
关键词 易失性存储器 区间锁 并发访问
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用于通用存储和神经形态计算的相变存储器的研究进展 被引量:1
15
作者 连晓娟 李甫 +2 位作者 付金科 高志瑄 王磊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期1-29,共29页
存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为... 存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未来通用存储和神经形态计算器件中最具竞争力的候选者之一。首先介绍了PCM的工作原理和器件材料结构,并详细讨论了PCM在通用存储和神经形态计算领域的应用。PCM具有高集成度和低功耗的共性需求,但这两个应用领域对材料性能有不同的侧重点。详细分析了PCM目前存在的优缺点,如高编程电流导致的功耗问题,以及商业化应用面临的主要挑战。最后,针对PCM的研究现状提出了一系列改进措施,包括材料选择、器件结构设计、预操作、热损耗降低、3D架构,以及解决阻态漂移等问题,以推动其进一步发展和应用。 展开更多
关键词 易失性存储器(nvm) 相变存储器(PCM) 通用存储 存算一体 神经形态计算
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面向无源超高频标签的低成本非易失存储器 被引量:2
16
作者 谷永胜 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页
面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享... 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。 展开更多
关键词 射频识别(RFID) 易失存储器(nvm) 标准CMOS工艺 低成本
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基于非易失存储器的事务存储系统综述 被引量:4
17
作者 石伟 汪东升 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期399-415,共17页
随着非易失存储器的出现和广泛使用,存储体系结构正在发生根本改变.传统数据库系统与文件系统事务处理技术大多基于磁盘设备,设计之初并未考虑非易失存储器特性.为了充分利用非易失存储器特性,缩小计算机系统的I/O性能与CPU处理性能之... 随着非易失存储器的出现和广泛使用,存储体系结构正在发生根本改变.传统数据库系统与文件系统事务处理技术大多基于磁盘设备,设计之初并未考虑非易失存储器特性.为了充分利用非易失存储器特性,缩小计算机系统的I/O性能与CPU处理性能之间的差距,基于非易失存储器的事务存储系统与技术成为了研究热点.首先讨论了软件层事务处理技术的现状,分别介绍了传统数据库系统与文件系统事务处理常用技术;然后依据闪存和相变内存进行划分,对现有基于非易失存储器的事务存储系统与技术进行了讨论;最后给出了基于非易失存储器的事务存储系统研究展望.在基于闪存的事务存储相关研究中,首先分析了使用传统设备接口闪存设备加速事务处理的系统设计,然后重点分析了基于专用事务接口的事务闪存存储系统研究,并对基于闪存的事务存储系统不同研究进行了比较.在基于相变内存的事务存储相关研究中,分别分析并比较了相变内存在主存环境和外存环境提供事务处理的技术,重点讨论了日志与缓存融合技术、细粒度日志技术等关键问题. 展开更多
关键词 易失性存储器 闪存 相变存储器 事务处理 事务存储系统 I/O栈
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安捷伦最新推出适用于NVM Express存储器件开发的协议分析解决方案
18
作者 小城 《航空制造技术》 北大核心 2013年第18期24-24,共1页
安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express(NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express... 安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express(NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express(PCIe)接口的固态硬盘的需求。 展开更多
关键词 EXPRESS 安捷伦科技公司 存储器 协议分析 nvm 主机控制器接口 开发 易失性
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面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法
19
作者 王鑫鑫 诸葛晴凤 吴林 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2020年第9期74-80,共7页
现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存(Non-Volatile Memory,NVM)进行测试,而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异,使得测试结果无法准确反映文件系统在NVM物理设备上的写性能以及对NVM造成的磨损情况。现有NVM模... 现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存(Non-Volatile Memory,NVM)进行测试,而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异,使得测试结果无法准确反映文件系统在NVM物理设备上的写性能以及对NVM造成的磨损情况。现有NVM模拟器准确度不高,且仿真接口不完备,无法满足内存文件系统对NVM的仿真需求。对此,提出一种面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法。首先,结合非易失性内存文件系统本身的数据读写特性,提出内存文件系统中NVM写时延的模拟方案;其次,跟踪内存文件系统对NVM的读写操作,以验证文件系统对NVM物理设备的写磨损分布情况。选取多个典型内存文件系统实现上述方法。实验结果表明,提出的写时延模拟方法能够将写时延的模拟误差平均降低65%,写磨损验证方法能够较准确地反映内存文件系统对不同粒度NVM页面的磨损分布情况。 展开更多
关键词 易失性存储器 内存文件系统 写时延 磨损均衡
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安捷伦最新推出适用于NVM Express存储器件开发的协议分析解决方案
20
《电子测量与仪器学报》 CSCD 2013年第9期843-843,共1页
安捷伦科技公司日前发布了3款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。这些分析工具可作为选件与Agilent U4301 APCIe协议分析仪和U4305PCIe训练器配合使用,在业界率... 安捷伦科技公司日前发布了3款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。这些分析工具可作为选件与Agilent U4301 APCIe协议分析仪和U4305PCIe训练器配合使用,在业界率先支持下一代PCI Express标准的数据存储器件的快速开发。 展开更多
关键词 安捷伦科技公司 协议分析仪 存储器 快速开发 工具套件 PCIEXPRESS 易失性 分析工具
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