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耗尽型GaN非易失性存储器的研究
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作者 邵国键 陈韬 +1 位作者 周书同 李信 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期12-15,共4页
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模... 研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式,清除SiN电荷存储层中的电子,存储器恢复至初始状态。在经历10~4次循环擦写、10~4 s数据保持等可靠性验证后,GaN存储器依然保持了足够的窗口。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型GaN易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性
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低功耗非易失性存储器存储单元及存储芯片架构
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作者 王浩 郭术明 聂筱敏 《中国集成电路》 2024年第6期37-42,55,共7页
基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编... 基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编程和读取功耗,读取速度最高达100MHz,Cycling可达100K,且具有非常优秀的数据保持能力,非常适用于低成本低功耗的应用场景。 展开更多
关键词 CMOS工艺 低功耗 易失性存储器 双向F-N隧穿 数据保持
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新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展 被引量:3
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作者 刘洋 辜科 +1 位作者 李平 李威 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共6页
通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器... 通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。 展开更多
关键词 易失性存储器 辐射效应 总剂量效应 单粒子效应 抗辐射加固
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基于非易失性存储器的存储引擎性能优化 被引量:2
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作者 王海涛 李战怀 +1 位作者 张晓 赵晓南 《集成技术》 2022年第3期56-70,共15页
非易失性存储器具有接近内存的读写速度,可利用其替换传统的存储设备,从而提升存储引擎的性能。但是,传统的存储引擎通常使用通用块接口读写数据,导致了较长的I/O软件栈,增加了软件层的读写延迟,进而限制了非易失性存储器的性能优势。... 非易失性存储器具有接近内存的读写速度,可利用其替换传统的存储设备,从而提升存储引擎的性能。但是,传统的存储引擎通常使用通用块接口读写数据,导致了较长的I/O软件栈,增加了软件层的读写延迟,进而限制了非易失性存储器的性能优势。针对这一问题,该文以Ceph大数据存储系统为基础,研究设计了基于非易失性存储器的新型存储引擎NVMStore,通过内存映射的方式访问存储设备,根据非易失性存储器的字节可寻址和数据持久化特性,优化数据读写流程,从而减小数据写放大以及软件栈的开销。实验结果表明,与使用非易失性存储器的传统存储引擎相比,NVMStore能够显著提升Ceph的小块数据读写性能。 展开更多
关键词 易失性存储器 存储引擎 软件栈 性能优化
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精确测量非易失性存储器件NVM的超低电流波形
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作者 谢凯翔 《中国集成电路》 2017年第11期73-77,共5页
1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器(NVM)的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过... 1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器(NVM)的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过改善速度、性能、功耗、可靠性和成本等因素,扩大低功率存储器、存储器级内存的应用,以及替代传统的易失性存储器。 展开更多
关键词 易失性存储 易失性存储器 nvm 传感器 物联网 应用领域 移动终端 小电流 器件研究 电流测量
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一种新型非易失性存储器在导弹控制系统抗HEMP中的应用设想 被引量:2
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作者 张春侠 《航天控制》 CSCD 北大核心 2006年第6期77-80,共4页
介绍了一种新型非易失性存储器(FRAM)的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。针对电磁脉冲武器对导弹控制系统的严重威胁,重点阐述控制系统抗核电磁脉冲(HEMP)的主要途径。提出在导弹控制系统中使用FRAM的应用设想,并分析指出FRAM... 介绍了一种新型非易失性存储器(FRAM)的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。针对电磁脉冲武器对导弹控制系统的严重威胁,重点阐述控制系统抗核电磁脉冲(HEMP)的主要途径。提出在导弹控制系统中使用FRAM的应用设想,并分析指出FRAM在导弹控制系统中使用的优点。 展开更多
关键词 电磁脉冲武器 易失性存储器 控制系统
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可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器
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作者 杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期16-21,共6页
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制... 采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。 展开更多
关键词 易失性存储器(nvm) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅
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华虹半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术解决方案支持MCU
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《集成电路应用》 2016年第9期44-44,共1页
2016年上半年,华虹半导体有限公司微控制器(MCU)芯片出货量达12亿颗,较2015年同期增长50%,创历史新高。凭借其全面的嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术解决方案及支持包括汽车级闪存在内的8位至32位MCU产品。
关键词 易失性存储器 32位MCU 嵌入式 半导体 技术 微控制器
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带幻像时钟的非易失性存储器DS1244Y的使用方法 被引量:2
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作者 黄再银 《电子产品世界》 2002年第07A期49-51,共3页
DS1244Y是带幻像时钟的存储器芯片,该芯片将嵌入式实时时钟和32K×8非易失性存储器功能合二为一。本文介绍DS1244Y的使用方法,给出了它和AT89C52的接口电路图及读写幻像时钟的子程序。
关键词 幻像时钟 易失性 存储器 DS1244Y 使用方法 接口电路
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几种新型非易失性存储器 被引量:1
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作者 王耘波 李东 郭冬云 《电子产品世界》 2004年第02A期75-77,共3页
本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。
关键词 易失性存储器 铁电存储器 磁性随机存储器 相变存储器 原理
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飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
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作者 周鑫 《电子技术应用》 北大核心 2007年第9期19-20,共2页
经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non—Volatile RAM)的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料... 经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non—Volatile RAM)的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其官要求高辣、耐用和非易失性的商业应用。 展开更多
关键词 易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 RANDOM Access 高速缓冲器 SRAM
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单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用
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作者 冯涓 赵振华 《国外电子元器件》 2006年第12期49-51,共3页
DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及... DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器。该器件内部集成了16MbNV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池。介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序。 展开更多
关键词 单芯片 易失性存储器 DS3070W 实时时钟
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阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真 被引量:1
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作者 李德君 代月花 +2 位作者 陈军宁 柯导明 胡媛 《现代电子技术》 2009年第2期1-3,共3页
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转... 为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。 展开更多
关键词 易失性存储器 电阻转变特性 存储单元结构 1T1R
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16kbit非易失性铁电存储器芯片FM25C160原理及其应用 被引量:3
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作者 周宝国 《电子产品世界》 2003年第08B期76-78,共3页
FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160的性能特点、管脚定义、内部结构和工作原理。给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160... FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160的性能特点、管脚定义、内部结构和工作原理。给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160的写操作流程图。 展开更多
关键词 易失性铁电存储器 FM25C160 SPI总线 写保护
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非易失性存储器数据掉电保护的硬件解决方案 被引量:3
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作者 苏伟 冯曦 +2 位作者 周芝梅 胡毅 唐晓柯 《电子技术应用》 2019年第2期20-22,26,共4页
对安全芯片非易失性存储器(NVM)的数据掉电保护原理进行分析。考虑到软件的处理速度不能满足安全芯片对数据存储的性能要求等因素,提出一种以硬件方式实现的NVM数据掉电保护的解决方案。该方案采用乒乓结构,将两块同样大小的Flash空间... 对安全芯片非易失性存储器(NVM)的数据掉电保护原理进行分析。考虑到软件的处理速度不能满足安全芯片对数据存储的性能要求等因素,提出一种以硬件方式实现的NVM数据掉电保护的解决方案。该方案采用乒乓结构,将两块同样大小的Flash空间轮流作为目标区和备份区,每次更新完成后需要对备份标志及备份次数进行更新。如果更新过程中芯片发生掉电,再次上电后通过比较两块区域的备份标志以及备份次数,就可以判断出哪块区域的数据是有效的。该方案不但能保证安全芯片非易失性存储器(NVM)的数据掉电不丢,而且能提高NVM数据更新的性能。 展开更多
关键词 易失性存储器 掉电保护 乒乓 目标页 备份页
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多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析 被引量:3
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作者 王宇龙 王明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期65-69,共5页
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温... 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过10^(4)次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。 展开更多
关键词 嵌入式易失性存储器(envm) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能
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非易失性存储器件的性能、可靠性及应用 被引量:3
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作者 杜亚娟 金凯伦 +1 位作者 王子烨 宁新杰 《集成技术》 2022年第3期42-55,共14页
随着大数据和人工智能应用的发展,数据呈现爆发式增长,对数据存储的需求日益加剧。传统内存技术的容量已经接近其物理存储密度的极限,而非易失性存储器具有按字节寻址、能耗低、读写速度快等优良特性,有望替代传统的动态随机存储器或磁... 随着大数据和人工智能应用的发展,数据呈现爆发式增长,对数据存储的需求日益加剧。传统内存技术的容量已经接近其物理存储密度的极限,而非易失性存储器具有按字节寻址、能耗低、读写速度快等优良特性,有望替代传统的动态随机存储器或磁盘技术。然而,该介质本身也存在一些不足,如使用寿命有限、读写速度不对称、磨损不均衡和错误来源多样等缺点。该文通过阐述常见非易失性存储器的存储原理,调研并总结了一些现有改进技术。 展开更多
关键词 易失性存储器 磨损均衡 读写性能 内存压缩 可靠性
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广州地铁3号线车门控制器非易失性存储器故障分析 被引量:1
18
作者 夏耀天 金文涛 李豪达 《机车电传动》 北大核心 2017年第1期120-123,共4页
分析了广州地铁3号线车门控制器非易失性存储器故障原因,发现该故障与存储器外围电路有关,并提出了解决措施,已得到现场试验验证。
关键词 广州地铁3号线 车门控制器 易失性存储器 故障
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非易失性存储器宇航应用的问题与思考
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作者 张乔木 张延伟 +2 位作者 祝名 王旭 段超 《质量与可靠性》 2020年第2期26-30,共5页
通过调研国内外非易失性存储器可靠性的研究现状,结合国内宇航应用发生的失效问题,分析研究了3种典型宇航用高可靠非易失性存储器的主要失效模式及相应的失效机理,总结了非易失性存储器宇航应用的主要可靠性问题,分别从研制和应用的角... 通过调研国内外非易失性存储器可靠性的研究现状,结合国内宇航应用发生的失效问题,分析研究了3种典型宇航用高可靠非易失性存储器的主要失效模式及相应的失效机理,总结了非易失性存储器宇航应用的主要可靠性问题,分别从研制和应用的角度对后续非易失性存储器的宇航应用提出相应的建议,同时对我国宇航级非易失性存储器的发展进行了思考与展望。 展开更多
关键词 易失性存储器 宇航应用 失效模式
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嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势 被引量:1
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作者 倪昊 骆蓉颜 王盈 《集成电路应用》 2022年第10期1-4,共4页
阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。
关键词 挥发性存储器 嵌入式nvm 存储单元 工艺兼容 设计复用
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