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一种面向非易失性内存文件系统的数据读写粒度控制策略 被引量:3
1
作者 王盈 蒋德钧 熊劲 《高技术通讯》 CAS 2021年第7期692-704,共13页
数据读写是文件系统的重要操作。传统的文件系统基于磁盘设计,数据读写需要旋转磁头,因此数据读写慢。文件系统使用I/O调度层对读写操作进行拆分和合并,减少磁头寻道时间,提高系统性能。新型非易失性内存(NVMM)支持字节寻址和随机访问,... 数据读写是文件系统的重要操作。传统的文件系统基于磁盘设计,数据读写需要旋转磁头,因此数据读写慢。文件系统使用I/O调度层对读写操作进行拆分和合并,减少磁头寻道时间,提高系统性能。新型非易失性内存(NVMM)支持字节寻址和随机访问,文件系统可以直接使用内存指令进行数据操作。因此,现有的NVMM文件系统,如ext4-dax、PMFS和NOVA,不再考虑数据操作粒度的优化,直接按照文件数据的存储粒度(如4kB)在应用和文件系统之间传输数据。然而,文件系统中的数据读写性能仍然受到操作粒度的影响。本文分析了文件系统在真实NVMM硬件上的性能,发现大粒度操作会降低文件系统性能,并针对数据读写操作粒度提出了优化策略。实验结果表明,本文提出的优化策略使得NVMM文件系统性能提升30.1%。 展开更多
关键词 易失性内存(nvmm) 文件系统 性能 数据读写粒度
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非易失性内存安全技术综述 被引量:2
2
作者 陈仁海 史文燕 +1 位作者 李雅帅 冯志勇 《集成技术》 2022年第3期3-22,共20页
大数据应用对内存容量的需求越来越大,而在大数据应用中,以动态随机存储器为内存介质的传统存储器所凸显出来的问题也越来越严重。计算机设计者们开始考虑用非易失性内存去替代传统的动态随机存储器内存。非易失性内存作为非易失的存储... 大数据应用对内存容量的需求越来越大,而在大数据应用中,以动态随机存储器为内存介质的传统存储器所凸显出来的问题也越来越严重。计算机设计者们开始考虑用非易失性内存去替代传统的动态随机存储器内存。非易失性内存作为非易失的存储介质,不需要动态刷新,因此不会引起大量的能量消耗;此外,非易失性内存的读性能与动态随机存储器相近,且非易失性内存单个存储单元的容量具有较强的可扩展性。但将非易失性内存作为内存集成到现有的计算机系统中,需要解决其安全性问题。传统的动态随机存储器作为内存介质掉电后数据会自动丢失,即数据不会在存储介质中驻留较长时间,而当非易失性内存作为非易失性存储介质时,数据可以保留相对较久的时间。若攻击者获得了非易失性内存存储器的访问权,扫描存储内容,便可以获取内存中的数据,这一安全性问题被定义为数据的“恢复漏洞”。因此,在基于非易失性内存模组的数据中心环境中,如何充分有效地利用非易失性内存,并保证其安全性,成为迫切需要解决的问题。该文从非易失性内存的安全层面出发,对近年来的研究热点及进展进行介绍。首先,该文总结了非易失性内存所面临的主要安全问题,如数据窃取、完整性破坏、数据一致性与崩溃恢复,以及由加解密和完整性保护技术引入而导致的系统性能下降等问题。然后,针对上述各问题,对组合计数器模式加密技术、完整性保护技术扩展的默克尔树、数据一致性与崩溃恢复技术,以及相关优化方案作了详细介绍。最后,对全文进行了总结,并对非易失性内存未来需要进一步关注的问题进行了展望。 展开更多
关键词 易失性内存 安全 加解密 完整性 持久化
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创造存储的无限机会——非易失性内存再进化
3
《电子与电脑》 2006年第11期17-20,共4页
关键词 存储器 易失性 通用型 进化 内存 摩尔定律 半导体产业 深亚微米
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FM31X:非易失性FRAM内存
4
《世界电子元器件》 2005年第10期96-96,共1页
Romtron国际公司宣布推出以FRAM为基础的处理器外围电路(Processor Companion)系列产品,为基于处理器的系统带来高度集成的支持和外围功能。FM3104、FM3116、FM3164和FM31256器件将非易失性FRAM与实时时钟(RTC)、处理器监控器和其... Romtron国际公司宣布推出以FRAM为基础的处理器外围电路(Processor Companion)系列产品,为基于处理器的系统带来高度集成的支持和外围功能。FM3104、FM3116、FM3164和FM31256器件将非易失性FRAM与实时时钟(RTC)、处理器监控器和其它外围功能相结合。RGmtron的处理器外围电路是目前集成度最高的FRAM产品,具有通用的系统功能,适用于汽车、消费电子、通信、工业、测量和计算等各式应用。 展开更多
关键词 FRAM 易失性 内存 外围电路 系列产品 系统功能 处理器 高度集成 实时时钟
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一种可重构异构内存架构和控制器
5
作者 靳晓忠 刘海坤 +4 位作者 赖皓 毛伏兵 张宇 廖小飞 金海 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期3038-3051,共14页
融合传统动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)与新型非易失性内存(NonVolatile Memory,NVM)可构建平行架构或层次架构的异构内存系统.平行架构的异构内存系统往往需要通过页迁移技术把热点数据从NVM迁移到DRAM以提... 融合传统动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)与新型非易失性内存(NonVolatile Memory,NVM)可构建平行架构或层次架构的异构内存系统.平行架构的异构内存系统往往需要通过页迁移技术把热点数据从NVM迁移到DRAM以提高访存性能,然而在操作系统中实现热页监测和迁移会带来巨大的软件性能开销.硬件实现的层次架构由于增加了访存层次,对于访存局部性差的大数据应用反而增加了访存延迟.为此,本文提出可重构的异构内存架构,可以运行时在平行和层次架构间进行转换以动态适配不同应用的访存特性.设计了基于新型指令集架构RISC-V(Reduced Instruction Set Computing-V)的DRAM/NVM异构内存控制器,利用少量硬件计数器实现了访存踪迹统计和分析,并实现了DRAM和NVM物理页间的动态映射和高效迁移机制.实验表明,DRAM/NVM异构内存控制器可提高43%的应用性能. 展开更多
关键词 易失性内存 异构内存系统 异构内存控制器 内存访问监测 页迁移
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非易失性存储器件的性能、可靠性及应用 被引量:2
6
作者 杜亚娟 金凯伦 +1 位作者 王子烨 宁新杰 《集成技术》 2022年第3期42-55,共14页
随着大数据和人工智能应用的发展,数据呈现爆发式增长,对数据存储的需求日益加剧。传统内存技术的容量已经接近其物理存储密度的极限,而非易失性存储器具有按字节寻址、能耗低、读写速度快等优良特性,有望替代传统的动态随机存储器或磁... 随着大数据和人工智能应用的发展,数据呈现爆发式增长,对数据存储的需求日益加剧。传统内存技术的容量已经接近其物理存储密度的极限,而非易失性存储器具有按字节寻址、能耗低、读写速度快等优良特性,有望替代传统的动态随机存储器或磁盘技术。然而,该介质本身也存在一些不足,如使用寿命有限、读写速度不对称、磨损不均衡和错误来源多样等缺点。该文通过阐述常见非易失性存储器的存储原理,调研并总结了一些现有改进技术。 展开更多
关键词 易失性存储器 磨损均衡 读写性能 内存压缩 可靠性
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SOC快速内存检查点的研究与实现
7
作者 袁小龙 蔡翔 宋莉莉 《北京交通大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期109-113,121,共6页
随着系统芯片SOC设计技术的普遍应用,对应的可靠性问题逐渐成为关注的焦点.提出一种应用在SOC设计上的内存检查点技术,通过硬件逻辑将内存中的数据备份到非易失存储介质中,系统恢复时将数据从存储介质取出,重新拷贝到内存,避免内存中的... 随着系统芯片SOC设计技术的普遍应用,对应的可靠性问题逐渐成为关注的焦点.提出一种应用在SOC设计上的内存检查点技术,通过硬件逻辑将内存中的数据备份到非易失存储介质中,系统恢复时将数据从存储介质取出,重新拷贝到内存,避免内存中的数据丢失;同时给出外部存储器到RAM的程序代码拷贝设计,显著提高了内存检查点保存的速度.在断电等突发情况下,可以有效地保护内存中的数据,具有很好的通用性,占用资源较少,可以广泛应用于实时系统的容错机制中. 展开更多
关键词 片上系统 内存 检查点 易失性存储
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利用SSD和DRAM构建的扩展内存架构 被引量:4
8
作者 王力玉 陈岚 +2 位作者 郝晓冉 王强 倪茂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期144-150,共7页
大数据时代的数据密集型应用需要大容量的内存来提高系统性能,但是动态随机访问存储器的容量增长受限于功耗和价格.闪存作为一种已存在的非易失性存储器,具有大容量、低价格和低功耗等优势.提出一种利用固态硬盘作为内存扩展的架构,它... 大数据时代的数据密集型应用需要大容量的内存来提高系统性能,但是动态随机访问存储器的容量增长受限于功耗和价格.闪存作为一种已存在的非易失性存储器,具有大容量、低价格和低功耗等优势.提出一种利用固态硬盘作为内存扩展的架构,它以数据对象为粒度管理数据,提高了固态硬盘的访问有效性.为减少物理内存的浪费,提出一种灵活的内存划分和多重映射机制,以微页管理物理内存.该方案以运行时库的方式提供应用程序接口,使用户能透明地访问大容量扩展内存.多组数据密集型应用的测试结果表明,相对于采用固态硬盘作交换区、以页粒度换入换出数据的方案,该方案可获得最高3.3倍的性能提升. 展开更多
关键词 大数据 数据密集型应用 易失性存储器 固态硬盘 内存扩展
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面向大数据的内存计算技术研究
9
作者 张伟 《舰船电子工程》 2018年第3期4-8,16,共6页
随着新型非易失性存储器件的快速发展和成本的不断降低,客观上为以数据为中心的大数据处理模式提供了新的思路。内存计算技术应运而生,内存计算能够解决新型实时应用所要求的数据处理速度以及时效性的问题。内存计算技术成为大数据处理... 随着新型非易失性存储器件的快速发展和成本的不断降低,客观上为以数据为中心的大数据处理模式提供了新的思路。内存计算技术应运而生,内存计算能够解决新型实时应用所要求的数据处理速度以及时效性的问题。内存计算技术成为大数据处理分析的利器,并成为工业界和学术界共同关注的研究热点。论文主要对内存计算的概念、原理、技术特点、研究现状进行阐述,介绍了内存计算技术的典型应用,然后提出了内存计算的问题与挑战,最后对内存计算技术进行总结和展望。 展开更多
关键词 内存计算 大数据 易失性存储 图数据
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新型NVRAM将统吃未来的内存市场
10
作者 羽成 《集成电路应用》 2005年第10期2-4,共3页
笔者曾在本刊(2003,NO.12)上发表《新型NVRAM将成为下一代的主流内存》一文,介绍了FRAM(铁电RAM)、MRAM(磁阻RAM)和PRAM(相变RAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的发展动态。近两年来新型NVRAM发展迅速,如FRAM... 笔者曾在本刊(2003,NO.12)上发表《新型NVRAM将成为下一代的主流内存》一文,介绍了FRAM(铁电RAM)、MRAM(磁阻RAM)和PRAM(相变RAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的发展动态。近两年来新型NVRAM发展迅速,如FRAM开始量产。2005年8月世界著名IC调研公司iSuppli认为,2004年全球内存市场为468亿美元,预计2019年达954亿美元, 展开更多
关键词 NVRAM 内存市场 随机存取存储器 FRAM 易失性 PRAM MRAM 美元 铁电
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多层缓冲数据传输优化的设计研究
11
作者 赵晓菲 《现代信息科技》 2020年第24期117-119,共3页
新型的非易失性存储器(NVM)技术的发展带来了几乎与传统DRAM一样的存储性能,这使以往内存、磁盘的二元结构变成内存、NVM及磁盘的数据传输结构,在此情况下出现了多种缓冲数据流的路径。因此文章介绍了管理和设计由DRAM、NVM和SSD组成的... 新型的非易失性存储器(NVM)技术的发展带来了几乎与传统DRAM一样的存储性能,这使以往内存、磁盘的二元结构变成内存、NVM及磁盘的数据传输结构,在此情况下出现了多种缓冲数据流的路径。因此文章介绍了管理和设计由DRAM、NVM和SSD组成的多层数据缓冲路径。文章利用NVM特性的多层缓冲数据路径,完成数据缓冲时间的设计。同时提出了用于评估不同数据流完成时间的评价模型,最后提出了一个圆形系统,用于检测目标工作量和系统时间成本模型。 展开更多
关键词 易失性存储器 内存计算 存储系统
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BOOM-KV:基于RDMA的高性能NVM键值数据库
12
作者 李文捷 蒋德钧 +1 位作者 熊劲 包云岗 《高技术通讯》 CAS 2023年第1期29-41,共13页
随着英特尔傲腾数据中心持久化内存模块(DCPMM)开始进入市场以及远程直接内存访问(RDMA)硬件成本的降低,设计融合非易失性内存(NVM)和RDMA的键值(KV)数据库面临新的机遇和挑战。构建基于NVM和RDMA的KV数据库的关键在于设计一个高效的通... 随着英特尔傲腾数据中心持久化内存模块(DCPMM)开始进入市场以及远程直接内存访问(RDMA)硬件成本的降低,设计融合非易失性内存(NVM)和RDMA的键值(KV)数据库面临新的机遇和挑战。构建基于NVM和RDMA的KV数据库的关键在于设计一个高效的通信协议。遗憾的是,现有工作或采用NVM不感知的RDMA协议,或采用低效的NVM感知的RDMA协议,这导致它们无法最大化KV数据库的性能。本文提出了BOOM协议——一种新型的NVM感知的RDMA协议。相较于NVM不感知的协议,BOOM协议允许直接对远端NVM进行RDMA操作,消除了冗余的数据拷贝;相较于现有的NVM感知的协议,它可以显著减少元数据请求,降低KV请求的端对端延迟。在BOOM协议的基础上构建了BOOM-KV,并针对服务端中央处理器(CPU)利用率和宕机持久化等问题进一步进行优化。将BOOM-KV与最新的研究成果进行对比,结果表明,BOOM-KV能显著降低请求延迟,其中PUT延迟最大降低了42%,GET延迟最大降低了41%,并且展现出良好的扩展性。 展开更多
关键词 易失性内存(NVM) 远程直接内存访问(RDMA) 键值(KV)数据库
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存算一体技术产业发展研究 被引量:1
13
作者 黄璜 张乾 《信息通信技术与政策》 2023年第6期30-39,共10页
基于存算一体技术产业发展实际情况,结合人工智能算力快速发展的背景,从基础硬件、计算架构、技术挑战等维度分析存算一体技术发展现状和趋势,研究存算一体产业结构、主要应用、产业发展面临的机遇和挑战,最后根据我国算力技术产业发展... 基于存算一体技术产业发展实际情况,结合人工智能算力快速发展的背景,从基础硬件、计算架构、技术挑战等维度分析存算一体技术发展现状和趋势,研究存算一体产业结构、主要应用、产业发展面临的机遇和挑战,最后根据我国算力技术产业发展实际情况,提出存算一体发展策略。 展开更多
关键词 内存计算 存算一体 易失性存储器件 人工智能
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Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器
14
《现代电子技术》 2009年第8期121-121,共1页
关键词 易失性铁电存储器 高速串口 RAM 低功耗 半导体产品 工作电压 内存接口 供应商
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富士通推出-55℃操作运行的64-KbitFRAM
15
《中国集成电路》 2018年第7期4-4,共1页
富士通近日宣布,推出新款64-KbitFRAM-MB85RS64TU。该款内存能在-55%中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产供货。
关键词 正常运行 富士通 操作 易失性 FRAM 内存
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基于PCM的混合主存系统
16
作者 傅腾达 《数字技术与应用》 2015年第2期64-64,66,共2页
处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题。近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase... 处理器和存储器之间的性能差异日益增大,但传统的DRAM器件的集成度已经接近极限,能源消耗问题也已然成为瓶颈,如何设计稳定且有效的存储架构解决存储墙问题已成为学术界热议的话题。近年来,具有代表性的非易失性存储器-相变存储器(phase change memory,PCM),凭借其低功耗、大容量、可按字节寻址等特性,逐渐成为内存系统中颇具潜力的DRAM替代品。这篇文章重点讨论了基于PCM构建的多种混合主存结构。 展开更多
关键词 相变存储器 易失性 内存系统 主存结构 写优化 磨损均衡
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富士通推出-55℃操作运行的64-Kbit FRAM
17
《世界电子元器件》 2018年第6期48-48,共1页
适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内存能在-55℃中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产... 适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内存能在-55℃中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产供货。此款产品支持1.8V至3.6V的极广范围电源电压。其工作温度更是超越竞争对手,最低达到-55℃。由于它能在运行温度范围内保证10兆次的读/写周期。 展开更多
关键词 FRAM 易失性内存 运行温度 电源电压 写周期 电子元器件 首款 产品支持 EEPROM 工作温度
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