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一种面向非易失性内存文件系统的数据读写粒度控制策略 被引量:3
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作者 王盈 蒋德钧 熊劲 《高技术通讯》 CAS 2021年第7期692-704,共13页
数据读写是文件系统的重要操作。传统的文件系统基于磁盘设计,数据读写需要旋转磁头,因此数据读写慢。文件系统使用I/O调度层对读写操作进行拆分和合并,减少磁头寻道时间,提高系统性能。新型非易失性内存(NVMM)支持字节寻址和随机访问,... 数据读写是文件系统的重要操作。传统的文件系统基于磁盘设计,数据读写需要旋转磁头,因此数据读写慢。文件系统使用I/O调度层对读写操作进行拆分和合并,减少磁头寻道时间,提高系统性能。新型非易失性内存(NVMM)支持字节寻址和随机访问,文件系统可以直接使用内存指令进行数据操作。因此,现有的NVMM文件系统,如ext4-dax、PMFS和NOVA,不再考虑数据操作粒度的优化,直接按照文件数据的存储粒度(如4kB)在应用和文件系统之间传输数据。然而,文件系统中的数据读写性能仍然受到操作粒度的影响。本文分析了文件系统在真实NVMM硬件上的性能,发现大粒度操作会降低文件系统性能,并针对数据读写操作粒度提出了优化策略。实验结果表明,本文提出的优化策略使得NVMM文件系统性能提升30.1%。 展开更多
关键词 非易失性内存(NVMM) 文件系统 性能 数据读写粒度
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非易失性内存安全技术综述 被引量:2
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作者 陈仁海 史文燕 +1 位作者 李雅帅 冯志勇 《集成技术》 2022年第3期3-22,共20页
大数据应用对内存容量的需求越来越大,而在大数据应用中,以动态随机存储器为内存介质的传统存储器所凸显出来的问题也越来越严重。计算机设计者们开始考虑用非易失性内存去替代传统的动态随机存储器内存。非易失性内存作为非易失的存储... 大数据应用对内存容量的需求越来越大,而在大数据应用中,以动态随机存储器为内存介质的传统存储器所凸显出来的问题也越来越严重。计算机设计者们开始考虑用非易失性内存去替代传统的动态随机存储器内存。非易失性内存作为非易失的存储介质,不需要动态刷新,因此不会引起大量的能量消耗;此外,非易失性内存的读性能与动态随机存储器相近,且非易失性内存单个存储单元的容量具有较强的可扩展性。但将非易失性内存作为内存集成到现有的计算机系统中,需要解决其安全性问题。传统的动态随机存储器作为内存介质掉电后数据会自动丢失,即数据不会在存储介质中驻留较长时间,而当非易失性内存作为非易失性存储介质时,数据可以保留相对较久的时间。若攻击者获得了非易失性内存存储器的访问权,扫描存储内容,便可以获取内存中的数据,这一安全性问题被定义为数据的“恢复漏洞”。因此,在基于非易失性内存模组的数据中心环境中,如何充分有效地利用非易失性内存,并保证其安全性,成为迫切需要解决的问题。该文从非易失性内存的安全层面出发,对近年来的研究热点及进展进行介绍。首先,该文总结了非易失性内存所面临的主要安全问题,如数据窃取、完整性破坏、数据一致性与崩溃恢复,以及由加解密和完整性保护技术引入而导致的系统性能下降等问题。然后,针对上述各问题,对组合计数器模式加密技术、完整性保护技术扩展的默克尔树、数据一致性与崩溃恢复技术,以及相关优化方案作了详细介绍。最后,对全文进行了总结,并对非易失性内存未来需要进一步关注的问题进行了展望。 展开更多
关键词 非易失性内存 安全 加解密 完整性 持久化
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一种可重构异构内存架构和控制器
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作者 靳晓忠 刘海坤 +4 位作者 赖皓 毛伏兵 张宇 廖小飞 金海 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期3038-3051,共14页
融合传统动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)与新型非易失性内存(NonVolatile Memory,NVM)可构建平行架构或层次架构的异构内存系统.平行架构的异构内存系统往往需要通过页迁移技术把热点数据从NVM迁移到DRAM以提... 融合传统动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)与新型非易失性内存(NonVolatile Memory,NVM)可构建平行架构或层次架构的异构内存系统.平行架构的异构内存系统往往需要通过页迁移技术把热点数据从NVM迁移到DRAM以提高访存性能,然而在操作系统中实现热页监测和迁移会带来巨大的软件性能开销.硬件实现的层次架构由于增加了访存层次,对于访存局部性差的大数据应用反而增加了访存延迟.为此,本文提出可重构的异构内存架构,可以运行时在平行和层次架构间进行转换以动态适配不同应用的访存特性.设计了基于新型指令集架构RISC-V(Reduced Instruction Set Computing-V)的DRAM/NVM异构内存控制器,利用少量硬件计数器实现了访存踪迹统计和分析,并实现了DRAM和NVM物理页间的动态映射和高效迁移机制.实验表明,DRAM/NVM异构内存控制器可提高43%的应用性能. 展开更多
关键词 非易失性内存 异构内存系统 异构内存控制器 内存访问监测 页迁移
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BOOM-KV:基于RDMA的高性能NVM键值数据库
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作者 李文捷 蒋德钧 +1 位作者 熊劲 包云岗 《高技术通讯》 CAS 2023年第1期29-41,共13页
随着英特尔傲腾数据中心持久化内存模块(DCPMM)开始进入市场以及远程直接内存访问(RDMA)硬件成本的降低,设计融合非易失性内存(NVM)和RDMA的键值(KV)数据库面临新的机遇和挑战。构建基于NVM和RDMA的KV数据库的关键在于设计一个高效的通... 随着英特尔傲腾数据中心持久化内存模块(DCPMM)开始进入市场以及远程直接内存访问(RDMA)硬件成本的降低,设计融合非易失性内存(NVM)和RDMA的键值(KV)数据库面临新的机遇和挑战。构建基于NVM和RDMA的KV数据库的关键在于设计一个高效的通信协议。遗憾的是,现有工作或采用NVM不感知的RDMA协议,或采用低效的NVM感知的RDMA协议,这导致它们无法最大化KV数据库的性能。本文提出了BOOM协议——一种新型的NVM感知的RDMA协议。相较于NVM不感知的协议,BOOM协议允许直接对远端NVM进行RDMA操作,消除了冗余的数据拷贝;相较于现有的NVM感知的协议,它可以显著减少元数据请求,降低KV请求的端对端延迟。在BOOM协议的基础上构建了BOOM-KV,并针对服务端中央处理器(CPU)利用率和宕机持久化等问题进一步进行优化。将BOOM-KV与最新的研究成果进行对比,结果表明,BOOM-KV能显著降低请求延迟,其中PUT延迟最大降低了42%,GET延迟最大降低了41%,并且展现出良好的扩展性。 展开更多
关键词 非易失性内存(NVM) 远程直接内存访问(RDMA) 键值(KV)数据库
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富士通推出-55℃操作运行的64-Kbit FRAM
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《世界电子元器件》 2018年第6期48-48,共1页
适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内存能在-55℃中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产... 适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内存能在-55℃中正常运行,为富士通电子旗下首款能耐受如此低温的FRAM非易失性内存,现已量产供货。此款产品支持1.8V至3.6V的极广范围电源电压。其工作温度更是超越竞争对手,最低达到-55℃。由于它能在运行温度范围内保证10兆次的读/写周期。 展开更多
关键词 FRAM 非易失性内存 运行温度 电源电压 写周期 电子元器件 首款 产品支持 EEPROM 工作温度
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