期刊文献+
共找到32篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
NVMMDS——一种面向非易失存储器的元数据管理方法 被引量:3
1
作者 蔡涛 牛德姣 +2 位作者 刘扬宽 李帅 鞠时光 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2013年第1期69-79,共11页
元数据管理方法是影响文件系统性能的重要因素.针对现有元数据管理方法存在的查找性能低、适应性差和丢失元数据等问题,设计了面向非易失存储器的元数据管理方法(NVMMDS).首先针对元数据的访问特性和管理要求,给出了NVMMDS的结构和元数... 元数据管理方法是影响文件系统性能的重要因素.针对现有元数据管理方法存在的查找性能低、适应性差和丢失元数据等问题,设计了面向非易失存储器的元数据管理方法(NVMMDS).首先针对元数据的访问特性和管理要求,给出了NVMMDS的结构和元数据管理流程,混合使用非易失存储器和DRAM存储元数据,为提高元数据查找性能和避免丢失元数据奠定了基础;设计了基于NVBB树的元数据查找算法和基于主动写回的元数据缓存算法,提高了元数据的查找性能,增强了元数据管理方法的适应能力,避免了元数据丢失问题.与现有元数据管理方法进行了分析和比较,在单机文件系统ReiserFs和分布式文件系统pNFS中实现了NVMMDS原型,使用FileBench和多个标准数据集进行了测试与分析,验证了NVMMDS能提高文件系统最大35%的操作处理速度和I/O性能. 展开更多
关键词 文件系统 元数据管理方法 易失存储器 元数据查找方法 元数据缓存
在线阅读 下载PDF
面向新型非易失存储器的文件级磨损均衡机制 被引量:2
2
作者 蔡涛 张永春 +2 位作者 牛德姣 倪晓蓉 梁东莺 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第7期1558-1566,共9页
自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有... 自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有限的写次数是其重要局限之一.设计了文件系统级磨损均衡机制,使用Hash函数分散文件在外存中的存储,避免在创建和删除文件时反复分配某些存储块,通过分配文件空间时选择写次数较低的存储块,避免写操作的集中;使用主动迁移策略,在外存系统I/O负载较低时主动迁移写次数较高的数据块,减少磨损均衡机制对I/O性能的影响.最后在开源的基于对象存储设备Open-osd上实现了面向新型存储器文件系统级磨损均衡机制的原型,使用存储系统通用测试工具filebench和postmark的多个通用数据集进行了测试与分析,验证了基于新型存储器的文件系统级磨损均衡机制能稳定地将存储块写次数差减少到原来的1/20左右,同时最高仅损失了6%的I/O性能和增加了0.5%的额外写操作,具有高效和稳定的特性. 展开更多
关键词 易失存储器 磨损均衡 文件系统 存储系统 新型存储器
在线阅读 下载PDF
基于非易失存储器的数据存储与管理方法 被引量:13
3
作者 李鑫旺 张丕状 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2010年第1期84-87,共4页
针对在恶劣环境下无线传感器网络组成的分布式测试系统,测试数据易丢失不易管理、无线回传大量试验数据慢等问题,提出了在数据存储管理系统中设计基于NAND FLASH非易失性存储器的文件系统,对数据存储管理的方法。该方法把每次实验的多... 针对在恶劣环境下无线传感器网络组成的分布式测试系统,测试数据易丢失不易管理、无线回传大量试验数据慢等问题,提出了在数据存储管理系统中设计基于NAND FLASH非易失性存储器的文件系统,对数据存储管理的方法。该方法把每次实验的多种类数据分别以文件形式存储,以文件编号及文件名区分;依据被测信号的典型特征,存储管理时提取其特征值信息作为文件头信息存储,可基于提取特征值的高效数据传输。试验表明,基于NAND FLASH非易失性存储器创建文件系统,方便有效存储管理测试数据;基于特征值提取的高效数据传输为系统无线传输慢提供了可行性方案,提高了系统整体性能。 展开更多
关键词 NAND FLASH易失存储器 文件系统 特征值提取 分布式测试
在线阅读 下载PDF
基于非易失存储器件的内存键值存储系统的性能研究 被引量:1
4
作者 魏巍 蒋德钧 +1 位作者 熊劲 陈明宇 《高技术通讯》 北大核心 2017年第6期519-529,共11页
分析了互联网应用为满足后端存储系统高性能要求而引用的内存键值存储系统的应用特点,指出:为了永久保存数据,这些系统还需要在后端将数据从易失性的内存拷贝到慢速的非易失存储设备中;将新型的非易失存储器件(NVM)引入内存键值存储系... 分析了互联网应用为满足后端存储系统高性能要求而引用的内存键值存储系统的应用特点,指出:为了永久保存数据,这些系统还需要在后端将数据从易失性的内存拷贝到慢速的非易失存储设备中;将新型的非易失存储器件(NVM)引入内存键值存储系统可减少其性能开销;根据NVM的特征,内存键值系统可采用两种架构:将NVM替代磁盘作为二级存储设备和将NVM替代DRAM直接作为主存储设备。基于上述分析,实现了两种NVM架构的内存键值存储系统,并通过实验分析,总结出了内存键值存储系统选择NVM架构的原则,这些原则可有效指导内存键值存储系统在采用当前以及未来NVM器件时,对架构的选择。其次,还通过理论和实验分析,得出了不同架构下的内存键值系统在软件层的主要开销,指出了未来针对这些系统的软件设计的优化方向。 展开更多
关键词 内存键值存储系统 易失存储器件(nvm) 持久内存 性能分析 数据持久 化机制
在线阅读 下载PDF
非易失存储器数据安全性研究 被引量:1
5
作者 杨尊峰 曹金玲 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期63-66,共4页
在应用非易失存储器AT24C64过程中,发现丢失数据的原因是由于CPU在上电与断电过程中,欠电压导致CPU失控,输出端口产生无数个干扰脉冲,干扰脉冲的组合生成了AT24C64的有效写命令,于是破坏了AT24C64的数据.该研究从两方面采取措施:(1)使用... 在应用非易失存储器AT24C64过程中,发现丢失数据的原因是由于CPU在上电与断电过程中,欠电压导致CPU失控,输出端口产生无数个干扰脉冲,干扰脉冲的组合生成了AT24C64的有效写命令,于是破坏了AT24C64的数据.该研究从两方面采取措施:(1)使用CD4051,CD4024的组合条件来控制AT24C64的写允许门WP,如同给写允许门WP加锁;(2)采用上电与断电时电压监测电路,一旦电源电压低于4.7 V时,使CPU复位,消除CPU失控状态,以保证AT24C64的3根信号线稳定,进而保证了内部数据的安全性. 展开更多
关键词 易失存储器 数据安全性 数据丢失
在线阅读 下载PDF
面向非易失存储器外存系统的缓存机制
6
作者 蔡涛 张永春 +3 位作者 倪晓蓉 牛德姣 梁东莺 周东明 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2014年第9期2187-2192,共6页
非易失存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高大数据系统性能的重要手段,但非易失存储器存在写次数有限和写能耗较高等问题.本文引入缓存技术,使用写缓存合并对同一数据的多次写操作,减少对非易失存储器的写次数;... 非易失存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高大数据系统性能的重要手段,但非易失存储器存在写次数有限和写能耗较高等问题.本文引入缓存技术,使用写缓存合并对同一数据的多次写操作,减少对非易失存储器的写次数;使用原始缓存减少写回非易失存储器的数据量;设计了写缓存混合粒度管理算法、双缓存协调算法和缓存空间协调策略,减少了非易失存储器的写数据量,增加外存系统的使用寿命,降低了外存系统能耗,提高了I/O性能.最后在开源基于对象存储设备Open-osd上,实现了面向非易失存储器外存系统缓存机制的原型,使用存储系统通用测试工具Filebench和Postmark、以及多个通用数据集进行了测试与分析,验证了面向非易失存储器外存系统缓存机制能减少21%-77%的外存写数据量,提高了8%-37%的I/O性能,检验了面向非易失存储器外存系统缓存机制的有效性. 展开更多
关键词 易失存储器 缓存 外存系统 文件系统
在线阅读 下载PDF
可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器
7
作者 杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期16-21,共6页
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制... 采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。 展开更多
关键词 易失存储器(nvm) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅
在线阅读 下载PDF
面向无源超高频标签的低成本非易失存储器 被引量:2
8
作者 谷永胜 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页
面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享... 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。 展开更多
关键词 射频识别(RFID) 易失存储器(nvm) 标准CMOS工艺 低成本
在线阅读 下载PDF
基于新型非易失存储器的混合内存架构的内存管理机制 被引量:4
9
作者 李琪 钟将 +1 位作者 李雪 李青 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期664-670,共7页
随着互联网和云计算技术的迅猛发展,现有动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)已无法满足一些实时系统对性能、能耗的需求.新型非易失存储器(Non-Volatile Memory,NVM)的出现为计算机存储体系的发展带来了新的契机.本文针... 随着互联网和云计算技术的迅猛发展,现有动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)已无法满足一些实时系统对性能、能耗的需求.新型非易失存储器(Non-Volatile Memory,NVM)的出现为计算机存储体系的发展带来了新的契机.本文针对NVM和DRAM混合内存系统架构,提出一种高效的混合内存页面管理机制.该机制针对内存介质写特性的不同,将具有不同访问特征的数据页保存在合适的内存空间中,以减少系统的迁移操作次数,从而提升系统性能.同时该机制使用一种两路链表使得NVM介质的写操作分布更加均匀,以提升使用寿命.最后,本文在Linux内核中对所提机制进行仿真实验.并与现有内存管理机制进行对比,实验结果证明了所提方法的有效性. 展开更多
关键词 易失存储器 磨损均衡 内存计算 混合内存
在线阅读 下载PDF
基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述 被引量:2
10
作者 张明喆 张法 刘志勇 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期677-691,共15页
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系... 作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系结构的方法,通过增加层或者调度的方式加以避免或隐藏.但是,这类解决方案往往存在软硬件开销大、无法同时针对不同问题进行优化等问题.近年来,随着对新型非易失存储材料研究的深入,一系列器件自身所包含的动态权衡特性被陆续发现,这也为体系结构研究提供了新的机遇.基于这些器件自身的动态权衡特性,研究人员提出了一系列新的动态非易失存储器优化方案.与传统的优化方案相比,这类新型方案具有额外硬件开销小、可同时针对多个目标进行优化等优点.首先对非易失存储器存在的问题及传统的优化方案进行了概括;然后对非易失存储器件中3个重要的动态权衡关系进行了介绍;在此基础上,对近年来出现的一系列基于非易失存储器动态权衡特性的体系结构优化方案进行梳理;最后,对此类研究的特点进行了总结,并对未来的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 易失存储器 相变存储器 自旋转移力矩存储器 忆阻器 动态权衡
在线阅读 下载PDF
基于功能材料的非易失性存储器 被引量:2
11
作者 韩素婷 付晶晶 周晔 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期221-229,共9页
随着信息大爆炸时代的到来,要求存储器在单位体积中能够存储更多的信息,然而在缩减器件尺寸上会遇到摩尔定律失效的瓶颈.为克服这个技术上的限制,使用一些功能性材料用于存储器成为研究热点.介绍3大类功能材料的非易失性存储器,指出多... 随着信息大爆炸时代的到来,要求存储器在单位体积中能够存储更多的信息,然而在缩减器件尺寸上会遇到摩尔定律失效的瓶颈.为克服这个技术上的限制,使用一些功能性材料用于存储器成为研究热点.介绍3大类功能材料的非易失性存储器,指出多金属氧酸盐基存储器,具有很强的电子接收能力和实现分子级存储的潜力;金属纳米粒子存储器,因离散的金纳米粒子功能层有提升器件性能和利于实现存储性能实时可控,所以在当今先进存储器研究领域受到广泛关注;生物材料基存储器,因特定的生物材料能发生可逆电阻开关现象,且原料具有可持续获得性和自降解性等优点,也成为存储器研究领域的明星.文章客观讨论了这3类材料用于存储器上的不足. 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 易失存储器 有机存储器 先进功能材料 金属纳米粒子 存储
在线阅读 下载PDF
新型非易失存储环境下事务型数据管理技术研究 被引量:10
12
作者 潘巍 李战怀 +2 位作者 杜洪涛 周陈超 苏静 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期59-83,共25页
为适应底层存储架构的变化,上层数据库系统已经经历了多轮的演化与变革.在大数据环境下,以非易失、大容量、低延迟、按字节寻址等为特征的新型非易失存储器件(NVM)的出现,势必对数据库系统带来重大影响,相关的存储与事务处理技术是其中... 为适应底层存储架构的变化,上层数据库系统已经经历了多轮的演化与变革.在大数据环境下,以非易失、大容量、低延迟、按字节寻址等为特征的新型非易失存储器件(NVM)的出现,势必对数据库系统带来重大影响,相关的存储与事务处理技术是其中值得关注的重要环节.首先,概述了事务型数据库系统随存储环境发展的历史与趋势;然后,对影响上层数据管理系统设计的非易失性存储技术以及面向大数据应用领域与硬件环境优化的事务技术进行综述与分析;最后,对非易失存储环境下事务型数据库面临的挑战与研究趋势进行了展望. 展开更多
关键词 易失存储器 存储级内存 事务处理 日志 数据库
在线阅读 下载PDF
用于通用存储和神经形态计算的相变存储器的研究进展 被引量:1
13
作者 连晓娟 李甫 +2 位作者 付金科 高志瑄 王磊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期1-29,共29页
存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为... 存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未来通用存储和神经形态计算器件中最具竞争力的候选者之一。首先介绍了PCM的工作原理和器件材料结构,并详细讨论了PCM在通用存储和神经形态计算领域的应用。PCM具有高集成度和低功耗的共性需求,但这两个应用领域对材料性能有不同的侧重点。详细分析了PCM目前存在的优缺点,如高编程电流导致的功耗问题,以及商业化应用面临的主要挑战。最后,针对PCM的研究现状提出了一系列改进措施,包括材料选择、器件结构设计、预操作、热损耗降低、3D架构,以及解决阻态漂移等问题,以推动其进一步发展和应用。 展开更多
关键词 易失存储器(nvm) 相变存储器(PCM) 通用存储 存算一体 神经形态计算
在线阅读 下载PDF
新型非易失存储I/O栈综述 被引量:2
14
作者 陈祥 肖侬 刘芳 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第S1期18-24,共7页
随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非... 随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非易失存储介质构成的存储系统中存在的问题后,对专门为PCIe固态硬盘(solid state drive,SSD)设计的高性能主机控制器接口——NVMe接口及基于该接口的I/O栈、请求流程进行了详细介绍.最后,针对相变存储器、阻变存储器(resistive randomaccess memory,RRAM)和自旋转移矩磁阻随机存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)等下一代存储介质,对I/O栈在中断使用、文件系统权限检查等方面带来的性能问题进行了详细分析,指出未来I/O栈设计要考虑的问题. 展开更多
关键词 存储器 I/O栈 新型易失存储 PCIe固态硬盘 nvme
在线阅读 下载PDF
安捷伦最新推出适用于NVM Express存储器件开发的协议分析解决方案
15
作者 小城 《航空制造技术》 北大核心 2013年第18期24-24,共1页
安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express(NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express... 安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express(非易失性快速存储器)技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express(NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express(PCIe)接口的固态硬盘的需求。 展开更多
关键词 EXPRESS 安捷伦科技公司 存储器 协议分析 nvm 主机控制器接口 开发 易失
在线阅读 下载PDF
基于相变存储器的存储技术研究综述 被引量:26
16
作者 冒伟 刘景宁 +4 位作者 童薇 冯丹 李铮 周文 张双武 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第5期944-960,共17页
以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2Xnm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐... 以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2Xnm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐射干扰等优点,且读写性能接近DRAM,是未来最有可能取代DRAM的非易失存储器,它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案.文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础上,对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析,研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术,分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案,指出了现有方案的优势和面临的缺陷,并探讨了未来的研究方向,为该领域在今后的发展提供了一定的参考. 展开更多
关键词 相变存储器 易失存储器 存储技术 计算机体系结构
在线阅读 下载PDF
基于相变存储器的存储系统与技术综述 被引量:21
17
作者 张鸿斌 范捷 +1 位作者 舒继武 胡庆达 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第8期1647-1662,共16页
随着处理器和存储器之间性能差距的不断增大,"存储墙"问题日益突出,但传统DRAM器件的集成度已接近极限,能耗问题也已成为瓶颈,如何设计扎实有效的存储架构解决存储墙问题已成为必须面对的挑战.近年来,以相变存储器(phase chan... 随着处理器和存储器之间性能差距的不断增大,"存储墙"问题日益突出,但传统DRAM器件的集成度已接近极限,能耗问题也已成为瓶颈,如何设计扎实有效的存储架构解决存储墙问题已成为必须面对的挑战.近年来,以相变存储器(phase change memory,PCM)为代表的新型存储器件因其高集成度、低功耗的特点而受到了国内外研究者的广泛关注.特别地,相变存储器因其非易失性及字节寻址的特性而同时具备主存和外存的特点,在其影响下,主存和外存之间的界限正在变得模糊,将对未来的存储体系结构带来重大变化.重点讨论了基于PCM构建主存的结构,分析了其构建主存中的写优化技术、磨损均衡技术、硬件纠错技术、坏块重用技术、软件优化等关键问题,然后讨论了PCM在外存储系统的应用研究以及其对外存储体系结构和系统设计带来的影响.最后给出了PCM在存储系统中的应用研究展望. 展开更多
关键词 新型存储器 易失存储器 相变存储器 主存 外存
在线阅读 下载PDF
阳离子基阻变存储器的研究进展 被引量:1
18
作者 刘琦 刘森 +2 位作者 龙世兵 吕杭炳 刘明 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期81-87,共7页
基于电荷存储的传统非易失存储技术越来越难以满足大数据时代对海量信息的存储需求,亟需发展基于新材料、新原理的非易失存储技术。基于阳离子电化学效应的阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可缩小性好、易于三维集成等优点,被... 基于电荷存储的传统非易失存储技术越来越难以满足大数据时代对海量信息的存储需求,亟需发展基于新材料、新原理的非易失存储技术。基于阳离子电化学效应的阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可缩小性好、易于三维集成等优点,被认为是下一代非易失存储器的有力竞争者。然而,器件参数离散性大以及阻变机制不清晰严重阻碍了该类器件的快速发展。近几年,国内外学者通过材料和结构的优化设计显著提高了器件的性能,借助先进的表征技术阐明了器件电阻转变的微观机制,为阳离子基阻变存储器的大规模生产和应用奠定了科学基础。从材料改性、器件结构设计和微观机制表征三个方面综述了阳离子基阻变存储器的研究进展,并对其未来的研究方向和发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 易失存储器 阻变存储器 固态电解液 电化学效应 导电细丝
在线阅读 下载PDF
STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析
19
作者 徐跃 闫锋 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 2010年第4期80-83,89,共5页
随着CMOS工艺按比例缩小到90nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重。通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90nm非易失存储器的影响。实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI... 随着CMOS工艺按比例缩小到90nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重。通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90nm非易失存储器的影响。实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI的SONOS边角存储单元和远离STI的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题。为了减小STI应力对边角存储单元的影响,分别采用STIrecess和STISi3N4liner两种工艺去减缓STI产生的压应力。TCAD仿真结果表明采用STISi3N4liner工艺后边角存储单元受到的STI压应力比原有的基本工艺降低了20%以上。 展开更多
关键词 浅沟道隔离 机械应力 易失存储器 氮化硅衬垫
在线阅读 下载PDF
面向非易失内存的数据一致性研究综述 被引量:12
20
作者 肖仁智 冯丹 +2 位作者 胡燏翀 张晓祎 程良锋 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期85-101,共17页
随着DRAM技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题,新型非易失内存(non-volatile memory,NVM)因其非易失、高密度、字节寻址和低静态功耗等特性,已经得到学术界和工业界的广泛关注.新型非易失内存如相变内存(phase change memory,PCM)... 随着DRAM技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题,新型非易失内存(non-volatile memory,NVM)因其非易失、高密度、字节寻址和低静态功耗等特性,已经得到学术界和工业界的广泛关注.新型非易失内存如相变内存(phase change memory,PCM)很可能替代DRAM或与DRAM混合作为系统主内存.然而,由于NVM的非易失特性,存储在NVM的数据在面临系统故障时可能由于部分更新或内存控制器写重排序而产生不一致性的问题.为了保证NVM中数据的一致性,确保对NVM写操作的顺序化和持久化是基本要求.NVM有着内在缺陷如有限的写耐久性以及较高的写延迟,在保证NVM数据一致性的前提下,减少NVM写次数有助于延长NVM的寿命并提高NVM系统的性能.重点讨论了基于NVM构建的持久索引、文件系统以及持久性事务等数据一致性研究,以便为实现低开销的数据一致性提供更好的解决方案或思路.最后给出了基于NVM的数据一致性研究展望. 展开更多
关键词 新型易失内存 易失内存 相变存储器 系统故障 一致性
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部