检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4: 1; 作者李影智邢艳辉 +3 位作者韩军陈翔邓旭光徐晨《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页; 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(gan) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究: 2; 作者赖天树林位株莫党《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期116-118,共3页; 提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位。; 关键词 gan薄膜黄光发射吸收归一化光致发光激发谱发光机理非掺杂氮化钙薄膜发光强度; 在线阅读下载PDF 职称材料

Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究被引量：1: 3; 作者武圆梦胡俊杰 +4 位作者王淼易觉民张育民王建峰徐科《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期996-1002,共7页; 本文利用低温光致发光谱(PL)研究了Fe掺杂GaN晶体非极性a面{1120}、m面{1100}的带边峰和Fe^(3+)相关峰(^(4)T_(1)(G)-^(6)A_(1)(S))的偏振发光特性。结果表明:a面与m面光学各向异性差别较小,线偏振光的电矢量E平行于c轴[0001]时(E∥c),... 展开更多; 关键词氮化镓 FE掺杂半绝缘非极性面光学各向异性光电特性偏振光; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用被引量：4: 4; 作者王三胜顾彪 +3 位作者徐茵秦福文窦宝锋杨大智《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第1期31-35,共5页; GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构... 展开更多; 关键词 gan 外延生长掺杂半导体器件光电器件半导体材料制备氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 5; 作者林秀华《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga... 展开更多; 关键词氮化镓薄膜 Ingan/A1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子能量损失谱研究GaN的极性: 6; 作者孔翔胡桂青段晓峰《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期594-594,共1页; 关键词电子能量损失谱 gan 极性氮化镓晶体结构分析畴非中心对称晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4: 1; 作者李影智邢艳辉韩军陈翔邓旭光徐晨; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA03Z402) 北京市自然科学基金(4102003 +3 种基金 4112006 4092007) 国家自然科学基金(61204011 61107026)资助项目; 文摘采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(gan) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱; Keywords metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD） non-doped gan double-crstal X-ray diffraction photoluminescence spectra; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究: 2; 作者赖天树林位株莫党; 机构中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理学系; 出处《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期116-118,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目 (6 98880 0 5 ) 广东省自然科学基金资助项目 (970 148); 文摘提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位。; 关键词 gan薄膜黄光发射吸收归一化光致发光激发谱发光机理非掺杂氮化钙薄膜发光强度; Keywords gan film yellow luminescence absorption-normalized photoluminescence excitation spectroscopy; 分类号 O484.41 [理学—固体物理] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究被引量：1: 3; 作者武圆梦胡俊杰王淼易觉民张育民王建峰徐科; 机构中国科技大学纳米技术与纳米仿生学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏第三代半导体研究院苏州纳维科技股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期996-1002,共7页; 基金国家自然科学基金(62174175)。; 文摘本文利用低温光致发光谱(PL)研究了Fe掺杂GaN晶体非极性a面{1120}、m面{1100}的带边峰和Fe^(3+)相关峰(^(4)T_(1)(G)-^(6)A_(1)(S))的偏振发光特性。结果表明:a面与m面光学各向异性差别较小,线偏振光的电矢量E平行于c轴[0001]时(E∥c),GaN带边峰强度最小,而Fe^(3+)零声子峰(1.299 eV)强度最强。带边峰线偏振度小,而Fe^(3+)零声子峰线偏振度大,a面带边峰的线偏振度为26%,Fe^(3+)零声子峰的偏振度在a面和m面分别达到55%和58%。在5 K低温下,进一步测量了Fe^(3+)精细峰和声子伴线的偏振特性,结果表明,除了一个微弱的峰外,其他精细峰和声子伴线与Fe^(3+)零声子峰偏振特性一致。本研究有助于拓展Fe掺杂GaN晶体材料在新型偏振光电器件领域的应用。; 关键词氮化镓 FE掺杂半绝缘非极性面光学各向异性光电特性偏振光; Keywords gan Fe doping semi-insulating non-polar surface optical anisotropy optical and electrical property polarized light; 分类号 O734 [理学—晶体学] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用被引量：4: 4; 作者王三胜顾彪徐茵秦福文窦宝锋杨大智; 机构大连理工大学电气工程与应用电子技术系大连理工大学三束材料改性国家重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第1期31-35,共5页; 基金国家863项目新材料领域课题(715-011-0033) 国家自然科学基金(69976008); 文摘 GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势。; 关键词 gan 外延生长掺杂半导体器件光电器件半导体材料制备氮化镓; Keywords gan,epitaxy growth,doping,semiconductor devices; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 5; 作者林秀华; 机构厦门大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 基金福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1) 中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题; 文摘评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火。; 关键词氮化镓薄膜 Ingan/A1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; Keywords Ingan/Algan processing condition LED growth dynam8; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子能量损失谱研究GaN的极性: 6; 作者孔翔胡桂青段晓峰; 机构中国科学院北京电子显微镜实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期594-594,共1页; 基金国家自然科学基金的资助项目 (批准号 5 0 0 72 0 44 ); 关键词电子能量损失谱 gan 极性氮化镓晶体结构分析畴非中心对称晶体; 分类号 O72 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究	李影智邢艳辉韩军陈翔邓旭光徐晨	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究	赖天树林位株莫党	《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究	武圆梦胡俊杰王淼易觉民张育民王建峰徐科	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用	王三胜顾彪徐茵秦福文窦宝锋杨大智	《材料导报》 EI CAS CSCD	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性	林秀华	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电子能量损失谱研究GaN的极性	孔翔胡桂青段晓峰	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料