期刊文献+
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究 被引量:4
1
作者 李影智 邢艳辉 +3 位作者 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 掺杂氮化镓(gan) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱
在线阅读 下载PDF
非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT
2
作者 陈堂胜 焦刚 +1 位作者 薛舫时 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期247-247,共1页
关键词 掺杂 微波功率HEMT ALgan/gan 氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管
在线阅读 下载PDF
GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 被引量:4
3
作者 王三胜 顾彪 +3 位作者 徐茵 秦福文 窦宝锋 杨大智 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第1期31-35,共5页
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构... GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势。 展开更多
关键词 gan 外延生长 掺杂 半导体器件 光电器件 半导体材料 制备 氮化镓
在线阅读 下载PDF
MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性 被引量:1
4
作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页
评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga... 评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火 。 展开更多
关键词 氮化镓薄膜 Ingan/A1gan双异质结构 MOCVD技术 掺杂 薄膜生长 发光二极管 生长动力学 金属有机物化学沉积 铟镓氮化合物 铝镓氮化合物
在线阅读 下载PDF
帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响 被引量:1
5
作者 邵国键 林罡 +5 位作者 白霖 施尚 周舟 魏星 刘柱 陈韬 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第6期466-470,共5页
为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。... 为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。针对这两种帽层结构,研究对器件直流特性、微波特性及可靠性的影响,并与传统结构器件性能进行对比。非掺杂帽层器件的饱和电流、漏电水平、输出功率、功率附加效率以及高温、高电场、高电流稳定性均优于传统器件,但跨导与传统器件相当,微波压缩特性不足。而掺杂帽层器件漏电水平最好,但直流和微波性能不佳。 展开更多
关键词 gan高电子迁移率晶体管 掺杂帽层 掺杂帽层 直流特性 微波特性 可靠性
在线阅读 下载PDF
电子能量损失谱研究GaN的极性
6
作者 孔翔 胡桂青 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期594-594,共1页
关键词 电子能量损失谱 gan 极性 氮化镓晶体 结构分析 中心对称晶体
在线阅读 下载PDF
Photoluminescence of Mg—doped GaN with Different Mg Concentrations after Annealing at Different Temperatures
7
作者 周晓滢 孙长征 +2 位作者 郭文平 胡卉 罗毅 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2003年第7期1137-1140,共4页
The blue band (BB) in low temperature photoluminescence of Mg-doped GaN films with different Mg concentrations is investigated.The BB peak of as-grown samples with higher Mg concentration centres at lower energy.A shi... The blue band (BB) in low temperature photoluminescence of Mg-doped GaN films with different Mg concentrations is investigated.The BB peak of as-grown samples with higher Mg concentration centres at lower energy.A shift of the BB peak energy is observed after annealing in N2 at different temperatures,meanwhile,the difference between the BB peak energy is observed after annealing in N2 at different temperatures.Meanwhile,the difference between the BB peak energies diminishes for raised annealing temperature,and the BB peaks for different samples converge to 2.92eV after annealing at 850℃.These experimental results can be accounted for by a model based on compensation effect.The shift of BB lines provides a useful criterion for the optimum annealing temperature of the Mg-doped GaN material,and the value is taken to be 850℃ in our case. 展开更多
关键词 gan Mg 氮化镓 掺杂 光致发光 退火温度 半导体材料
在线阅读 下载PDF
耗尽型GaN非易失性存储器的研究
8
作者 邵国键 陈韬 +1 位作者 周书同 李信 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期12-15,共4页
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模... 研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式,清除SiN电荷存储层中的电子,存储器恢复至初始状态。在经历10~4次循环擦写、10~4 s数据保持等可靠性验证后,GaN存储器依然保持了足够的窗口。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型gan易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部