SONOS非挥发性存储器件的研究进展 被引量：2

1

作者 房少华 程秀兰 《电子器件》 CAS 2007年第4期1211-1215,共5页

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应... 随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景. 展开更多

关键词 SONOS器件 非挥发性存储器件 HIGH-K

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嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势 被引量：1

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作者 倪昊 骆蓉颜 王盈 《集成电路应用》 2022年第10期1-4,共4页

阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。

关键词 非挥发性存储器 嵌入式nvm 存储单元 工艺兼容 设计复用

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纳米晶非挥发性存储器研究进展

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作者 管伟华 刘明 +4 位作者 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期225-230,共6页

介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器... 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器

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一种精确的非挥发性存储器中高压产生系统的稳定性分析模型

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作者 姜丹丹 杨燕 曹华 《成都信息工程学院学报》 2014年第3期222-226,共5页

针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数... 针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数模型。同时,根据推导的结果搭建了一个简洁、直观的仿真电路模型。通过此传输函数模型以及仿真电路模型,可以方便快捷的分析、仿真得到电路中的每一个参数对转化器的增益、电流环稳定性、右半平面零点、输出极点的影响。所介绍的方法也可以直接用于其他DC-DC转化器传输函数的推导。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 电流模升压转化器 电流环路稳定性 脉冲宽度调制 数据采样模型

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创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求

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作者 丁辉文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期42-43,共2页

关键词 非挥发性存储器 桌面测试技术 闪存 模块化结构

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华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

6

《中国集成电路》 2012年第3期1-1,共1页

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／Flas... 上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC） 展开更多

关键词 非挥发性存储器 嵌入式存储器 存储器模块 高可靠性 NEC 开发 SONOS 数据保存

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Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

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作者 Synopsys 《中国集成电路》 2014年第1期72-72,共1页

新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。

关键词 超低功耗 非挥发性存储器 非易失性存储器 新思科技公司 集成电路 RFID 无线应用 INC

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未来的非易失存储器(NVM)探索

8

作者 王莹 《电子产品世界》 2004年第08A期114-116,共3页

关键词 事业部 存储器生产 科技公司 首席技术官 产品 未来 CTO 非易失存储器 nvm 聚集

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标准CMOS制程非挥发性内嵌式内存:NOVeA

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《电子与电脑》 2004年第3期108-114,共7页

许多系统单芯片(System-on-Chip,SoC)的设计团队,都会面临这样的问题:如何将非挥发性内存(Non-Volatile Memory,NVM),设计到结构深奥的次微米系统单芯片(SoC)之中。为成就完整的单芯片解决方案,设计团队别无选择,只能选用落后于目前流... 许多系统单芯片(System-on-Chip,SoC)的设计团队,都会面临这样的问题:如何将非挥发性内存(Non-Volatile Memory,NVM),设计到结构深奥的次微米系统单芯片(SoC)之中。为成就完整的单芯片解决方案,设计团队别无选择,只能选用落后于目前流行的标准逻辑制程二到三个技术世代之特殊制程。这种选择,必须使用额外的制程步骤,同时也会增加晶圆的成本、芯片尺寸、效能,以及耗电量。否则,设计团队就只能将系统单芯片(SoC)和非挥发性内存(NVM) 分开,改以效率较差、成本较高、速度较慢,而且占用区域也较大的双芯片方式来建构系统。 展开更多

关键词 标准CMOS制程 内嵌式 NOVeA 非挥发性内存 系统单芯片 SOC nvm

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精确测量非易失性存储器件NVM的超低电流波形

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作者 谢凯翔 《中国集成电路》 2017年第11期73-77,共5页

1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器（NVM）的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过... 1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器（NVM）的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过改善速度、性能、功耗、可靠性和成本等因素,扩大低功率存储器、存储器级内存的应用,以及替代传统的易失性存储器。 展开更多

关键词 非易失性存储 易失性存储器 nvm 传感器 物联网 应用领域 移动终端 小电流 器件研究 电流测量

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恒忆推出低功耗DDR接口非挥发性RAM产品

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《电子与电脑》 2008年第8期64-64,共1页

恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装... 恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快2～3倍读取频宽的性能。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 消费性电子产品 低功耗 RAM DDR Velocity Flash存储器 动态随机存储器

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可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器

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作者 杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期16-21,共6页

采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制... 采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。 展开更多

关键词 非易失性存储器(nvm) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅

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用于通用存储和神经形态计算的相变存储器的研究进展 被引量：1

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作者 连晓娟 李甫 +2 位作者 付金科 高志瑄 王磊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期1-29,共29页

存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为... 存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未来通用存储和神经形态计算器件中最具竞争力的候选者之一。首先介绍了PCM的工作原理和器件材料结构,并详细讨论了PCM在通用存储和神经形态计算领域的应用。PCM具有高集成度和低功耗的共性需求,但这两个应用领域对材料性能有不同的侧重点。详细分析了PCM目前存在的优缺点,如高编程电流导致的功耗问题,以及商业化应用面临的主要挑战。最后,针对PCM的研究现状提出了一系列改进措施,包括材料选择、器件结构设计、预操作、热损耗降低、3D架构,以及解决阻态漂移等问题,以推动其进一步发展和应用。 展开更多

关键词 非易失性存储器(nvm) 相变存储器(PCM) 通用存储 存算一体 神经形态计算

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面向无源超高频标签的低成本非易失存储器 被引量：2

14

作者 谷永胜 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页

面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享... 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。 展开更多

关键词 射频识别(RFID) 非易失存储器(nvm) 标准CMOS工艺 低成本

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安捷伦最新推出适用于NVM Express存储器件开发的协议分析解决方案

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作者 小城 《航空制造技术》 北大核心 2013年第18期24-24,共1页

安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express（非易失性快速存储器）技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express（NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express... 安捷伦科技公司日前发布了三款全新的高级协议分析解决方案,可对采用NVM Express（非易失性快速存储器）技术的器件进行全方位协议层分析。NVM Express（NVMe是可扩展的主机控制器接口,可满足企业、数据中心和客户机系统使用PCI Express（PCIe）接口的固态硬盘的需求。 展开更多

关键词 EXPRESS 安捷伦科技公司 存储器件 协议分析 nvm 主机控制器接口 开发 非易失性

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制造对非易失性存储器数据保存的影响-Kelly　Hirsch．Circuits　Assembly-2004，15（11）：42～43（英文）

16

《电子工艺技术》 2005年第2期120-120,共1页

很多汽车电子产品含有基于快闪的微处理器。汽车公司或EMS经销商最不想见到的就是由于控制模块中的数据保存出现问题而回收产品。因此，一些工程师不愿意对较慢(而且昂贵)的在系统内程序设计方法进行更新，因为这些方法允许进行焊接后... 很多汽车电子产品含有基于快闪的微处理器。汽车公司或EMS经销商最不想见到的就是由于控制模块中的数据保存出现问题而回收产品。因此，一些工程师不愿意对较慢(而且昂贵)的在系统内程序设计方法进行更新，因为这些方法允许进行焊接后程序设计。本文通过考虑在无动力装置中发生升温时的漏电，说明非易失性存储器(NVM)装置的可靠性物理性质。 展开更多

关键词 非易失性存储器 数据保存 程序设计方法 微处理器 快闪 nvm 控制模块 汽车公司 经销商 产品

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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11

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作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多

关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理

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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量：1

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作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期518-524,539,共8页

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 高K材料 非挥发性存储器(nvm) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层

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28nmFD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世

19

《中国集成电路》 2016年第9期7-7,共1页

三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥发性存储器（eNVM）选项。

关键词 嵌入式存储器 SOI工艺 非挥发性存储器 快闪存储器 晶圆代工 SST

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闪速存储器发展新趋势

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作者 郭树田 于宗光 《电子与封装》 2002年第3期10-13,共4页

1 前言 随着信息技术的高速发展,信息存储技术已得到极大提高,特别是闪速存储器(以下简称闪存器)正乘风破浪滚滚向前发展,已从候补技术、次要技术迅速发展到主流技术,已成为消费领域和嵌入式应用领域的关键技术产品.

关键词 非挥发性存储器 电荷 MLC 闪速存储器 闪存 存储单元 仪表组合单元 MRAM 发展新趋势

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