SONOS非挥发性存储器件的研究进展 被引量：2

1

作者 房少华 程秀兰 《电子器件》 CAS 2007年第4期1211-1215,共5页

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应... 随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景. 展开更多

关键词 SONOS器件 非挥发性存储器件 HIGH-K

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纳米晶非挥发性存储器研究进展

2

作者 管伟华 刘明 +4 位作者 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期225-230,共6页

介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器... 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器

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一种精确的非挥发性存储器中高压产生系统的稳定性分析模型

3

作者 姜丹丹 杨燕 曹华 《成都信息工程学院学报》 2014年第3期222-226,共5页

针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数... 针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数模型。同时,根据推导的结果搭建了一个简洁、直观的仿真电路模型。通过此传输函数模型以及仿真电路模型,可以方便快捷的分析、仿真得到电路中的每一个参数对转化器的增益、电流环稳定性、右半平面零点、输出极点的影响。所介绍的方法也可以直接用于其他DC-DC转化器传输函数的推导。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 电流模升压转化器 电流环路稳定性 脉冲宽度调制 数据采样模型

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嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势 被引量：1

4

作者 倪昊 骆蓉颜 王盈 《集成电路应用》 2022年第10期1-4,共4页

阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。

关键词 非挥发性存储器 嵌入式NVM 存储单元 工艺兼容 设计复用

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创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求

5

作者 丁辉文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期42-43,共2页

关键词 非挥发性存储器 桌面测试技术 闪存 模块化结构

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华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

6

《中国集成电路》 2012年第3期1-1,共1页

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／Flas... 上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC） 展开更多

关键词 非挥发性存储器 嵌入式存储器 存储器模块 高可靠性 NEC 开发 SONOS 数据保存

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Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

7

作者 Synopsys 《中国集成电路》 2014年第1期72-72,共1页

新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。

关键词 超低功耗 非挥发性存储器 非易失性存储器 新思科技公司 集成电路 RFID 无线应用 INC

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恒忆推出低功耗DDR接口非挥发性RAM产品

8

《电子与电脑》 2008年第8期64-64,共1页

恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装... 恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快2～3倍读取频宽的性能。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 消费性电子产品 低功耗 RAM DDR Velocity Flash存储器 动态随机存储器

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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11

9

作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多

关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理

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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量：1

10

作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期518-524,539,共8页

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 高K材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层

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闪速存储器发展新趋势

11

作者 郭树田 于宗光 《电子与封装》 2002年第3期10-13,共4页

1 前言 随着信息技术的高速发展,信息存储技术已得到极大提高,特别是闪速存储器(以下简称闪存器)正乘风破浪滚滚向前发展,已从候补技术、次要技术迅速发展到主流技术,已成为消费领域和嵌入式应用领域的关键技术产品.

关键词 非挥发性存储器 电荷 MLC 闪速存储器 闪存 存储单元 仪表组合单元 MRAM 发展新趋势

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在片EEPORM存储器版图设计要点

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作者 朱丽娟 《中国集成电路》 2016年第12期31-36,86,共7页

非挥发性存储器,在掉电的情况下,存储的资料也不会丢失,应用十分广泛。传统非挥发性存储器根据工艺与器件而有所不同,包括ROM,OTP,MTP,EEPROM,Flash等。本论文说明在片EEPROM(电擦除,可编程只读存储器)的版图设计要点,从存储单元的版图... 非挥发性存储器,在掉电的情况下,存储的资料也不会丢失,应用十分广泛。传统非挥发性存储器根据工艺与器件而有所不同,包括ROM,OTP,MTP,EEPROM,Flash等。本论文说明在片EEPROM(电擦除,可编程只读存储器)的版图设计要点,从存储单元的版图设计开始,包括版图的全局规划,与各个功能模块的对接关系。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 EEPROM存储单元 位线 字线 灵敏放大器 全局规划 驱动单元 输出缓冲 时序控制

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科利登推出Kalos 2 Hex系统作为存储器器件灵活，完整的测试解决方案

13

《电子与电脑》 2005年第4期149-149,共1页

科利登系统公司日前宣布，推出Kalos 2 Hex（K2 Hex）系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系统。K2 Hex包含增强的逻辑测试能力和先进的软件工具，扩展了系统在存储器测试方面的测试能力。K2 ... 科利登系统公司日前宣布，推出Kalos 2 Hex（K2 Hex）系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系统。K2 Hex包含增强的逻辑测试能力和先进的软件工具，扩展了系统在存储器测试方面的测试能力。K2 Hex是Kalos 2家族最新的成员，在软件和硬件方面与生产用测试系统Kalos 2和工程测试系统Personal Kalos 2完全兼容。多台K2 Hex系统已经安装并用于复杂嵌入存储器件的测试。 展开更多

关键词 Kalos 测试解决方案 X系统 推出 HE 集成电路测试系统 PERSONAL 科利登系统公司 非挥发性存储器 存储器件 测试能力 软件工具 嵌入式 全兼容 硬件

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28nmFD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世

14

《中国集成电路》 2016年第9期7-7,共1页

三星晶圆代工业务（SamsungFoundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magneticRAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥发性存储器（eNVM）选项。

关键词 嵌入式存储器 SOI工艺 非挥发性存储器 快闪存储器 晶圆代工 SST

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Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

15

作者 倪鹤南 惠春 +1 位作者 吴良才 宋志棠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期460-464,共5页

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结... 优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 镍纳米晶 金属-氧化物-半导体电容

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一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计 被引量：6

16

作者 郑曰 李斌 黄裕泉 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第6期130-133,137,共5页

提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18!m模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃～125℃的范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,... 提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18!m模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃～125℃的范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,电路的读取时间是33ns。 展开更多

关键词 电流灵敏放大器 非挥发性存储器

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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

17

作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期236-240,共5页

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多

关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器

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一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计 被引量：2

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作者 王勇 张新川 +1 位作者 唐明华 蒋波 《现代电子技术》 2009年第24期5-7,共3页

快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使... 快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。 展开更多

关键词 电流灵敏放大器 非挥发性存储器 深亚微米 HSPICE

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嵌入式

19

《电子产品世界》 2014年第1期75-76,共2页

SiliconLabs针对物联网推出最低功耗和最小尺寸的无线MCU;Synopsys功耗非挥发性存储器IP将功耗降低90％;Microchip推出交钥匙解决方案。

关键词 嵌入式 MICROCHIP 非挥发性存储器 低功耗 最小尺寸 产品组合 MCU 物联网

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开发特色工艺平台,成就客户产品芯愿——在2009中国半导体市场年会上的演讲

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作者 高峰 《中国集成电路》 2009年第4期52-54,共3页

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务，成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory，eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及... 华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务，成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory，eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及逻辑、混合信号等通用工艺平台，代工产品已广泛应用于智能卡（第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等）、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。 展开更多

关键词 0.13微米工艺 半导体市场 平台 开发 产品 客户 非挥发性存储器 年会

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