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基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性: 1; 作者杨潇楠王永 +2 位作者张满红张博刘明《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期421-424,共4页; 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。... 展开更多; 关键词硅纳米晶非挥发存储器存储特性耐受性数据保持; 在线阅读下载PDF 职称材料

非挥发存储器的新时代: 2; 作者陈明暹（编译）《现代科技译丛（哈尔滨）》 2005年第5期7-8,共2页; 闪存作为第一种成功的可擦写的非挥发存储器,已成为手机、数码相机以及PDA等断电后仍要求保存数据的众多设备的首选器件.闪存芯片占有极大的市场份额--150亿～170亿美元.; 关键词非挥发存储器闪存芯片数码相机市场份额可擦写 PDA; 在线阅读下载PDF 职称材料

创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求: 3; 作者丁辉文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期42-43,共2页; 关键词非挥发性存储器桌面测试技术闪存模块化结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用被引量：1: 4; 作者李树玮缪国庆 +5 位作者蒋红元光宋航金亿鑫小池一步矢野满明《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期554-558,共5页; 用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能... 展开更多; 关键词 MBE 垂直堆垛 INAS量子点 HFET存储器件分子束外延深能级瞬态谱场效应管 FET 非挥发存储器半导体材料外延生长砷化铟; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计被引量：2: 5; 作者王勇张新川 +1 位作者唐明华蒋波《现代电子技术》 2009年第24期5-7,共3页; 快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使... 展开更多; 关键词电流灵敏放大器非挥发性存储器深亚微米 HSPICE; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性: 1; 作者杨潇楠王永张满红张博刘明; 机构中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室上海宏力半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期421-424,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403); 文摘硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。; 关键词硅纳米晶非挥发存储器存储特性耐受性数据保持; Keywords Si nanocrystal（Si-NC） non-volatile memory storage characteristics endurance data retention; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非挥发存储器的新时代: 2; 作者陈明暹（编译）; 出处《现代科技译丛（哈尔滨）》 2005年第5期7-8,共2页; 文摘闪存作为第一种成功的可擦写的非挥发存储器,已成为手机、数码相机以及PDA等断电后仍要求保存数据的众多设备的首选器件.闪存芯片占有极大的市场份额--150亿～170亿美元.; 关键词非挥发存储器闪存芯片数码相机市场份额可擦写 PDA; 分类号 TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求: 3; 作者丁辉文; 机构科利登系统公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期42-43,共2页; 关键词非挥发性存储器桌面测试技术闪存模块化结构; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用被引量：1: 4; 作者李树玮缪国庆蒋红元光宋航金亿鑫小池一步矢野满明; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所大阪工业大学新材料研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期554-558,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60177041); 文摘用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。所用Al0 5Ga0 5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量。在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IDS VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应。; 关键词 MBE 垂直堆垛 INAS量子点 HFET存储器件分子束外延深能级瞬态谱场效应管 FET 非挥发存储器半导体材料外延生长砷化铟; Keywords self-assembled quantum dots molecular beam epitaxy(MBE) deep level transient spectroscopy field-effect transistor non-volatile memory; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计被引量：2: 5; 作者王勇张新川唐明华蒋波; 机构湘潭大学材料与光电物理学院; 出处《现代电子技术》 2009年第24期5-7,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60876054) 湖南省自然科学基金资助项目(08JJ3122) 湖南省大学生研究性学习和创新性试验计划资助项目(湘教通[2008]269号-69); 文摘快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。; 关键词电流灵敏放大器非挥发性存储器深亚微米 HSPICE; Keywords current mode sense amplifier non - volatile memory deep sub - micro HSpice; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性	杨潇楠王永张满红张博刘明	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非挥发存储器的新时代	陈明暹（编译）	《现代科技译丛（哈尔滨）》	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求	丁辉文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用	李树玮缪国庆蒋红元光宋航金亿鑫小池一步矢野满明	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计	王勇张新川唐明华蒋波	《现代电子技术》	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料