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CdTe钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度的实验研究 被引量:1
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作者 周咏东 赵军 +2 位作者 龚海梅 李言谨 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期71-74,共4页
利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化.利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡载流子(少数载... 利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化.利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡载流子(少数载流子)寿命,并通过光电导衰减信号波形的拟合,得到两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度.实验结果表明。 展开更多
关键词 GgCdTe 表面复合速度 碲化镉 非平衡载流子
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RBa_2Cu_3O_(7-δ)(R=Y,Pr)薄膜中非平衡载流子的超快弛豫动力学
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作者 皮飞鹏 林位株 +1 位作者 曾文生 莫党 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期289-294,共6页
通过拟合YBa2Cu3O(7-δ)(δ=0.1,0.4,0.8)和PrBa2Cu3O7外延膜的室温飞秒瞬态反射谱,研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学,计算了电声耦合常数λ.发现随着氧含量的降低及用Pr替代Y,Cu-... 通过拟合YBa2Cu3O(7-δ)(δ=0.1,0.4,0.8)和PrBa2Cu3O7外延膜的室温飞秒瞬态反射谱,研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学,计算了电声耦合常数λ.发现随着氧含量的降低及用Pr替代Y,Cu-O面上载流子浓度降低,非平衡载流子的弛豫时间增加而电声耦合常数明显减小.这表明电声耦合与载流子浓度的依赖关系,电声相互作用可能是一种实空间局域相互作用. 展开更多
关键词 YBCO 非平衡载流子 超快弛豫动力学
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非平衡载流子的注入对硅片薄层电阻测量的影响研究
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作者 韩萌 刘晟 《中国高新技术企业》 2011年第31期56-57,共2页
对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文章分析了注入的非平衡载流子对测试精度的影响,讨论了注入造成影响的原因,得出测试过程中为减小注入的影... 对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文章分析了注入的非平衡载流子对测试精度的影响,讨论了注入造成影响的原因,得出测试过程中为减小注入的影响而采用的合适的测试条件。 展开更多
关键词 非平衡载流子 半导体硅片 薄层电阻 测试条件
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半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)
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作者 刘古 蒋建飞 陈瑞熊 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第1期17-25,共9页
在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。
关键词 玻尔兹曼方程 导带 输运方程 积分微分方程 空带 复合过程 非平衡载流子 载流子密度 载流子浓度 带间跃迁 能带结构 价带 输运过程
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有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用 被引量:1
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作者 王宗欣 褚幼令 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期105-113,共9页
本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。
关键词 表面复合 少子寿命 复合(半导体) 非平衡载流子寿命 薄片 少子 方程的解 相异
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基于InP的全光高速相机的理论和实验研究
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作者 宋岩 曹亮 +3 位作者 彭博栋 宋顾周 李斌康 王宏兴 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期130-136,共7页
为了评估基于瞬态光栅的全光高速相机系统中激发光强与图像信号之间的对应关系,验证基于磷化铟(InP)建立该相机的可行性。针对InP材料从理论上分析了从光子入射激发载流子,到载流子影响折射率,再到折射率影响衍射效率过程中各物理量值... 为了评估基于瞬态光栅的全光高速相机系统中激发光强与图像信号之间的对应关系,验证基于磷化铟(InP)建立该相机的可行性。针对InP材料从理论上分析了从光子入射激发载流子,到载流子影响折射率,再到折射率影响衍射效率过程中各物理量值之间的关系;并建立了基于衍射光收集的图像探测系统获取InP内部的瞬态光栅分布图像。理论结果给出了针对InP材料的激发光强与载流子浓度的关系,探针激光为1064nm时载流子浓度与折射率之间的关系,以及瞬态光栅为矩形光栅时折射率与衍射效率之间的关系,特别指出在基于InP和1064nm探针激光的高速相机系统中,若时间分辨为1ps量级,对于532nm激发光,系统的灵敏度为1.3×105 W·cm-2量级。实验结果证明了基于InP和1064nm探针光可以建立全光高速相机系统,并根据所获得图像得出系统的空间分辨好于5.04lp/mm。 展开更多
关键词 非平衡载流子 折射率 瞬态光栅 全光高速相机
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薄膜太阳电池系列讲座(19) 硅基薄膜太阳电池(十一)
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作者 张晓丹 赵颖 熊绍珍 《太阳能》 2012年第23期21-23,20,共4页
热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡。
关键词 薄膜太阳电池 非平衡载流子 硅基 热动力学 平衡 系统
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集电区电导调制下的饱和压降及其工艺控制
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作者 陈家耀 《半导体技术》 CAS 1981年第4期9-13,共5页
一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs (1) 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻(一般可忽略)。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结... 一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs (1) 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻(一般可忽略)。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结和发射结皆为正偏,所以它们极性相反,其值可用下式计算: 展开更多
关键词 集电区 电导率 电性 饱和压降 电导调制 集电结 非平衡载流子寿命 少子寿命 集电极电流 少子浓度 工艺控制
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第二届全国先进焦平面技术研讨会论文摘要
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《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1079-1086,共8页
关键词 上海技术物理研究所 中国科学院 中科院 红外焦平面探测器 碲镉汞器件 焦平面技术 均匀性校正 焦平面组件 非平衡载流子寿命 少子寿命 AlGaN 响应率 摘要 红外物理 研讨会
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