纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟 被引量：1

1

作者 王伟 孙建平 顾宁 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期917-919,共3页

采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效... 采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用. 展开更多

关键词 非平衡格林函数 双栅MOS 量子模型

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基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究

2

作者 蒋嗣韬 肖广然 王伟 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 北大核心 2013年第5期21-27,共7页

基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(G... 基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。 展开更多

关键词 石墨烯纳米条带场效应管 非对称HALO-LDD掺杂 非平衡格林函数 掺杂策略 DIBL效应

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STM分子结中电流非对称性的定性分析

3

作者 钱利江 李惟驹 +1 位作者 张义邴 陈竞哲 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期197-206,共10页

分子器件的量子输运特性实验(上大部分)是通过扫描隧道显微镜(scanning tunneling microscopy,STM)来完成测量的,其测量结果经常会出现非对称的电流-电压(asymmetric I-V,AIV)曲线、负微分电导(negative differential conductance,NDC)... 分子器件的量子输运特性实验(上大部分)是通过扫描隧道显微镜(scanning tunneling microscopy,STM)来完成测量的,其测量结果经常会出现非对称的电流-电压(asymmetric I-V,AIV)曲线、负微分电导(negative differential conductance,NDC)等区别于宏观器件的一些输运特性.基于有限元方法和参数建模,给出了一个有局域态存在情况下的输运体系的哈密顿量.同时结合非平衡格林函数方法,对输运体系的电子密度展开自洽场的计算,并在自洽收敛之后分析器件的隧穿电流.用模型参数描绘了分子结的配置,包括分子结的电极耦合强度、分子能级、局域态的能级等因素的作用,定性分析了器件中局域态及其几何结构的非对称性对纳米器件输运性质的影响.结果显示,采用STM的分子结实验中出现AIV和NDC,其本质原因是体系本征的局域态的偏置. 展开更多

关键词 非平衡格林函数 分子器件 量子输运 密度泛函理论

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可变外场中非线性系统热输运理论与计算方法

4

作者 石成 陈颖 李登峰 《兵器装备工程学报》 CAS 2016年第5期161-164,共4页

可变外场对低维纳米非线性体系热输运的调控研究有利于新型热控制器件的设计。本论文比较分析了用于热输运理论研究的玻尔兹曼方法、格林-库伯方法、非平衡格林函数法和量子主方程的优势和局限性,发现非平衡格林函数方法可处理弱耦合体... 可变外场对低维纳米非线性体系热输运的调控研究有利于新型热控制器件的设计。本论文比较分析了用于热输运理论研究的玻尔兹曼方法、格林-库伯方法、非平衡格林函数法和量子主方程的优势和局限性,发现非平衡格林函数方法可处理弱耦合体系在可变外场作用下非线性体系的热输运,4阶量子主方程可处理耦合系数在0.45以内的中等程度耦合体系。 展开更多

关键词 非线性系统 热输运 非格林平衡函数 量子主方程

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dπ-pπ共轭对分子电子输运性质影响的理论研究

5

作者 余梦宵 梁蕾 孙铭骏 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期34-42,共9页

[目的]探究Ⅳ主族的C、Si、Ge等原子与不同离域基团形成的dπ-pπ共轭对相应分子体系电子输运性质的影响.[方法]采用密度泛函理论结合非平衡格林函数(DFT-NEGF)方法探究了含Ⅳ主族元素(C、Si、Ge)的三类分子:四乙基烷烃分子(C_(9)H_(20)... [目的]探究Ⅳ主族的C、Si、Ge等原子与不同离域基团形成的dπ-pπ共轭对相应分子体系电子输运性质的影响.[方法]采用密度泛函理论结合非平衡格林函数(DFT-NEGF)方法探究了含Ⅳ主族元素(C、Si、Ge)的三类分子:四乙基烷烃分子(C_(9)H_(20)S_(2)、SiC_(8)H_(20)S_(2)、GeC_(8)H_(20)S_(2)),四乙炔基烷烃分子(C_(9)H_(4)S_(2)、SiC_(8)H_(4)S_(2)、GeC_(8)H_(4)S_(2)),四苯基烷烃分子(C_(25)H_(20)S_(2)、SiC_(24)H_(20)S_(2)、GeC_(24)H_(20)S_(2))的电子输运性质.[结果]在四乙基烷烃分子中,中心原子Ge由于具有更为扩展的d轨道与碳氢(C—H)σ键存在dπ-pπ轨道相互作用,四乙炔基烷烃分子中乙炔基与Si的d轨道也存在dπ-pπ共轭,而在四苯基烷烃分子中苯环基团间存在额外的π-π弱相互作用,其均有利于电子离域,增大单分子电导.[结论]该研究一定程度上建立了dπ-pπ共轭作用与分子电子输运性质之间的联系,可为含Ⅳ主族中心原子分子在单分子电子学器件中的应用提供参考. 展开更多

关键词 密度泛函理论 非平衡格林函数方法 Ⅳ主族元素 单分子电导 轨道成分分析

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分子器件的电子抽运 被引量：3

6

作者 卫亚东 万浪辉 +1 位作者 陈龙康 王健 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2002年第4期10-16,共7页

从非平衡格林函数出发 ,推导了有外加偏压和抽运信号同时存在时 ,分子器件与两个正常导线形成的系统的电流电压公式 ,并对由纳米碳管 (CNT)作为分子器件的系统 (N CNT N)进行了数值计算 .通过对加在碳管上两个门电压的周期性改变 ,系统... 从非平衡格林函数出发 ,推导了有外加偏压和抽运信号同时存在时 ,分子器件与两个正常导线形成的系统的电流电压公式 ,并对由纳米碳管 (CNT)作为分子器件的系统 (N CNT N)进行了数值计算 .通过对加在碳管上两个门电压的周期性改变 ,系统中产生稳定的直流抽运电流 ,发现只有借助CNT的电子能级才能得到明显的抽运电流 ,电流大小随抽运信号增强而增加 .随着费米能级的改变 ,抽运电流方向可以反向 .有外加偏压时 ,电流的形成除由抽运信号驱动外 ,还受到外偏压驱动 . 展开更多

关键词 分子器件 量子电子抽运 非平衡格林函数近似 纳米碳管 数值计算 电流 CNT

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C_(32)富勒烯分子器件的电子结构和传输特性研究 被引量：9

7

作者 霍新霞 王利光 Terence K S W 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期50-56,共7页

利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C_(32)分子及在C_(32)的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C_(32)分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究.设计了C_(32)笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的... 利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C_(32)分子及在C_(32)的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C_(32)分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究.设计了C_(32)笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的分子器件.通过计算,得出了两个分子器件的电子传输谱,分析了它们的电子结构和电子输运特性.说明了C_(32)分子器件的电子传输主要集中于C_(32)分子的壳表上,并且分子球的内侧和外侧的电子传输相近似.在C_(32)分子内部嵌入Mg原子后,分子器件的电子传输仍主要集中在分子表面上,但在系统Mg@C_(32)中,表面内侧的电子传输要比表面外侧的电子传输强. 展开更多

关键词 C32分子器件 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子传输 电子结构

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(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性 被引量：3

8

作者 刘红霞 宋久旭 张鹤鸣 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期520-523,共4页

建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特... 建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V. 展开更多

关键词 碳纳米管 碳化硅纳米管 异质结 输运特性 非平衡格林函数

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碳链参数泵的从头计算 被引量：3

9

作者 余陨金 卫亚东 万浪辉 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2007年第3期313-316,共4页

利用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究金属Al-C4-Al导线的泵浦效应.通过在左右铝电极靠近散射区C4链的对称位置上加交变的弱泵浦势,得到绝热近似条件下泵浦电流与费米能的关系,发现泵电子流与系统的态密度密切... 利用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究金属Al-C4-Al导线的泵浦效应.通过在左右铝电极靠近散射区C4链的对称位置上加交变的弱泵浦势,得到绝热近似条件下泵浦电流与费米能的关系,发现泵电子流与系统的态密度密切相关,在不同费米能级下泵浦电流可正可负,其正负取决于电子发射率. 展开更多

关键词 第一性原理计算 碳链 非平衡格林函数 参数泵 从头计算

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C_(20)分子的一个电子输运模型研究 被引量：10

10

作者 霍新霞 王利光 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期36-40,共5页

本文构建了Li链为电极的富勒烯C_(20)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方法(Non-equi-librium Greens function,NEGF)对构建的Li电极和C_(20)分子构成的分子器件进行了电子输运性质的计算.计算得出了电子透射谱和电流电压曲线,分... 本文构建了Li链为电极的富勒烯C_(20)分子的电子输运模型,使用非平衡格林函数方法(Non-equi-librium Greens function,NEGF)对构建的Li电极和C_(20)分子构成的分子器件进行了电子输运性质的计算.计算得出了电子透射谱和电流电压曲线,分析了产生这个分子器件电子输运性质的原因.研究计算结果发现,大部分能量的电子是不会穿过器件的,即使考虑不同偏压,能穿过器件的电子都集中在几个固定的能量上,且在这几个固定能量上透过率比较高.计算得出的伏安曲线说明在偏压为1.925V时电流达到最大,只有在这个偏压周围才有相对明显的电流. 展开更多

关键词 富勒烯C20 非平衡格林函数 电子传导

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C_(40)富勒烯分子的电子结构与传输特性研究 被引量：2

11

作者 刘慧娟 霍新霞 +1 位作者 王利光 李永贵 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期833-836,共4页

本文采用密度泛涵理论对富勒烯C_(40)分子进行了结构优化,得到了稳定构型,然后构建了以金原子面为电极的电子输运模型.使用非平衡格林函数方法对构建的电子输运模型进行了电子输运性质的计算,得到了电子透射谱和伏安曲线,并分析了分子... 本文采用密度泛涵理论对富勒烯C_(40)分子进行了结构优化,得到了稳定构型,然后构建了以金原子面为电极的电子输运模型.使用非平衡格林函数方法对构建的电子输运模型进行了电子输运性质的计算,得到了电子透射谱和伏安曲线,并分析了分子器件产生电子输运性质的原因.研究结果发现:C_(40)富勒烯的化学活性明显强于富勒烯C_(60)和C_(32)分子,在一些分子能级处,该分子为一个良导体. 展开更多

关键词 富勒烯C40 非平衡格林函数 电子传导 伏安曲线

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直线硅原子链电子输运特性的计算 被引量：1

12

作者 柳福提 程艳 +2 位作者 陈向荣 程晓洪 周亚鑫 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期284-288,共5页

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数对6个Si原子构成的直线链两侧以对顶位、对空位分别与理想Au(100)3×3半无限电极耦合的纳米结点结构的电子输运特性进行了第一性原理计算.计算结果得到对空位结构比对顶位结构更稳定,电导性也更... 运用密度泛函理论结合非平衡格林函数对6个Si原子构成的直线链两侧以对顶位、对空位分别与理想Au(100)3×3半无限电极耦合的纳米结点结构的电子输运特性进行了第一性原理计算.计算结果得到对空位结构比对顶位结构更稳定,电导性也更好,电导随着正负电压的增大而略有减小,且呈现出对称性变化,其电流电压曲线表现出线性特征. 展开更多

关键词 密度泛函理论 非平衡格林函数 电子输运 硅原子链

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通过带有侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿(英文) 被引量：2

13

作者 赵志云 施耀铭 周朋霞 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期613-618,共6页

应用非平衡格林函数方法,研究了带有微波调制的侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿.在考虑了量子干涉和微波场的情况下,得出并讨论了电子传输幅度和相位方面的信息.电子传输幅度显示出一系列的反共振峰(对应图中的谷结构).峰值的高... 应用非平衡格林函数方法,研究了带有微波调制的侧向耦合量子点的量子线中的光辅助隧穿.在考虑了量子干涉和微波场的情况下,得出并讨论了电子传输幅度和相位方面的信息.电子传输幅度显示出一系列的反共振峰(对应图中的谷结构).峰值的高度与振荡的微波场的幅度和频率有关,而峰的位置只与微波场的频率有关.在有限温的情况下,反共振峰值的高度随着温度的增加而减小,当温度足够高时,反共振峰会消失,特别地,在一定的温度下,低温下谷的地方会演变成峰. 展开更多

关键词 侧向耦合量子点 量子线 光辅助隧穿 非平衡格林函数方法

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碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较 被引量：1

14

作者 周海亮 赵天磊 +1 位作者 张民选 郝跃 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期77-82,共6页

由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与... 由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应管 尺寸缩小特性 带间隧穿 非平衡格林函数 量子电容

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GaAs原子链耦合石墨烯电子输运性质的理论计算 被引量：1

15

作者 张淑华 柳福提 程晓洪 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2018年第2期40-45,共6页

基于密度泛函理论,运用非平衡格林函数对(GaAs)_4原子链耦合石墨烯纳米条带的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果发现通过改变原子链与石墨烯之间的距离可以有效调制系统的电子传输行为.当(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的距离d在0.10~... 基于密度泛函理论,运用非平衡格林函数对(GaAs)_4原子链耦合石墨烯纳米条带的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果发现通过改变原子链与石墨烯之间的距离可以有效调制系统的电子传输行为.当(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的距离d在0.10~0.28nm的范围内变化时,石墨烯、原子链上各自的电子传输要相互影响,且系统的平衡电导在2G_0~7G_0之间发生G_0(G_0=2e^2/h)整数倍的变化,即表现出量子化电导现象;当d>0.28nm时,总的电导等于各自的电导之和,此时(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的耦合很弱,各自的电子输运相互影响很小. 展开更多

关键词 GaAs原子链 石墨烯 电子输运 非平衡格林函数

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参数电子抽运的最新进展(英文) 被引量：3

16

作者 王健 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2003年第1期1-14,共14页

评述含时散射矩阵方法和非平衡格林函数方法的参数电子抽运的一般理论 ,分析论证了这两种方法的计算公式之间的联系 ,指出该普适理论在对量子抽运行为的预言上与绝热近似理论不同 .

关键词 参数电子抽运 含时散射矩阵理论 非平衡格林函数方法 计算公式

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微波场作用下碳纳米管量子点耦合器件的介观效应 被引量：3

17

作者 张亚民 《四川兵工学报》 CAS 2010年第1期140-143,共4页

利用非平衡格林函数理论对微波场辐照下的碳纳米管双量子点耦合系统的相干输运性质进行研究,发现单壁碳纳米管比金属电极提供更丰富的遂穿通道.微波场作用下的光子辅助隧穿(PAT)可以实现利用外场控制系统输运的目的.整个系统的输运受电... 利用非平衡格林函数理论对微波场辐照下的碳纳米管双量子点耦合系统的相干输运性质进行研究,发现单壁碳纳米管比金属电极提供更丰富的遂穿通道.微波场作用下的光子辅助隧穿(PAT)可以实现利用外场控制系统输运的目的.整个系统的输运受电极态密度、系统各部分耦合强度以及量子点内部库仑相互作用的深刻影响. 展开更多

关键词 碳纳米管 量子点 微波场 非平衡格林函数

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分子旋转对分子器件电子输运性质的影响

18

作者 谢芳 张杏堂 +4 位作者 范志强 张小姣 余济海 许华 褚玉芳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1453-1459,共7页

利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了一种可旋转分子跨接在金电极上的电子输运性质。计算结果表明:分子中的转子与定子间的旋转角度可以有效调控分子器件的电子输运性质。当夹角从30°变化到150... 利用基于非平衡格林函数和密度泛函理论相结合的第一性原理计算方法,研究了一种可旋转分子跨接在金电极上的电子输运性质。计算结果表明:分子中的转子与定子间的旋转角度可以有效调控分子器件的电子输运性质。当夹角从30°变化到150°,分子器件的导电性呈现出增强、减弱的震荡变化。此外,当夹角变化到90°,分子器件的电流电压曲线打破其他角度呈现的线性变化特性,其电流值在2.4 V以后随着电压的增大而减小,表现出强烈的负微分电阻效应。 展开更多

关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子输运 负微分电阻效应

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金属碳纳米管多原子掺杂硼氮的输运特性

19

作者 宋玲玲 王翰林 +3 位作者 王墨林 王泽 贺鹏 刘庆平 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期70-73,共4页

文章建立了(6,6)碳纳米管模型,并对其掺杂B/N对、B/N3(3个N围绕着1个B)、N/B3(3个B围绕着1个N)3种不同原子团,采用非平衡格林函数法计算了该模型在不同掺杂情况下的透射率谱线及体系总能。发现在多原子掺杂的情况下,电子的透射谱和杂质... 文章建立了(6,6)碳纳米管模型,并对其掺杂B/N对、B/N3(3个N围绕着1个B)、N/B3(3个B围绕着1个N)3种不同原子团,采用非平衡格林函数法计算了该模型在不同掺杂情况下的透射率谱线及体系总能。发现在多原子掺杂的情况下,电子的透射谱和杂质中的硼氮含量有关,若硼含量较多,则透射谱与单独掺杂硼原子的类似,在费米能级以下有一个透射谷,相应的电子透射率几乎抑制为0;若氮含量较多,在费米能级上方有透射谷,情形与前者相类似。特别地,在对位掺杂B/N3和N/B3时,透射谱线在费米能级两侧一定范围内出现较宽规整的凹陷,在凹陷处的透射率几乎为0。 展开更多

关键词 金属碳纳米管 掺杂 B/N原子团 输运特性 非平衡格林函数

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沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响

20

作者 刘兴辉 李玉魁 +4 位作者 陆妍 林雨佳 李宇 王绩伟 李松杰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期535-541,共7页

碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程... 碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。 展开更多

关键词 非平衡格林函数 MOS—CNTFET 输运特性 短沟道效应

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