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n-AlInGaN作为电子缓冲层量子势垒的GaN基LED发光效率提升研究
1
作者
王明军
袁磊
+1 位作者
孙作斌
龙浩
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期505-509,共5页
为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)层即电子缓冲层中的量子势垒应用于GaN基LED中,以降低外量子效率衰减、提高发光效率。实验数据表明,在相...
为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)层即电子缓冲层中的量子势垒应用于GaN基LED中,以降低外量子效率衰减、提高发光效率。实验数据表明,在相同的正向偏压下,相对于传统的以GaN为CART量子势垒的LED,采用n-AlInGaN作为势垒层具有更大光输出功率。原子力显微镜结果显示,以n-AlInGaN为CART势垒层能有效截止底层产生的线性位错,降低量子阱区由于晶格失配造成的应力。由于极化作用的减小,及电流扩展效应,采用n-AlInGaN作为势垒层样品的外量子效率衰减减弱,器件的抗静电能力也明显增强。
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关键词
氮化镓
发光二极管
非对称电荷谐振隧道
n-AlInGaN
量子势垒
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职称材料
题名
n-AlInGaN作为电子缓冲层量子势垒的GaN基LED发光效率提升研究
1
作者
王明军
袁磊
孙作斌
龙浩
机构
武汉产品质量监督检验所
中南民族大学电子信息工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期505-509,共5页
文摘
为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)层即电子缓冲层中的量子势垒应用于GaN基LED中,以降低外量子效率衰减、提高发光效率。实验数据表明,在相同的正向偏压下,相对于传统的以GaN为CART量子势垒的LED,采用n-AlInGaN作为势垒层具有更大光输出功率。原子力显微镜结果显示,以n-AlInGaN为CART势垒层能有效截止底层产生的线性位错,降低量子阱区由于晶格失配造成的应力。由于极化作用的减小,及电流扩展效应,采用n-AlInGaN作为势垒层样品的外量子效率衰减减弱,器件的抗静电能力也明显增强。
关键词
氮化镓
发光二极管
非对称电荷谐振隧道
n-AlInGaN
量子势垒
Keywords
GaN, LED, CART, n-AllnGaN, quantum barrier
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
n-AlInGaN作为电子缓冲层量子势垒的GaN基LED发光效率提升研究
王明军
袁磊
孙作斌
龙浩
《真空科学与技术学报》
CSCD
北大核心
2017
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