检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究被引量：5: 1; 作者范希武于广友 +2 位作者张吉英杨宝均申德振《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页; 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 展开更多; 关键词 ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱激子隧穿受激发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性: 2; 作者邓浩亮贾国治 +1 位作者姚江宏徐章程《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期753-756,共4页; 非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的... 展开更多; 关键词非对称双量子阱光致荧光强度比热逃逸再俘获; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究: 3; 作者缪中林陆卫 +10 位作者陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期15-19,共5页; 用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子... 展开更多; 关键词非对称耦合双量子阱组合注入界面混合光荧光谱子带间跃迁能量移动 GAAS ALGAAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究	范希武于广友张吉英杨宝均申德振	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性	邓浩亮贾国治姚江宏徐章程	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究	缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料