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GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
被引量：
5
1
作者
李梅
李辉
+2 位作者
王玉霞
刘国军
曲轶
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期885-889,共5页
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量...
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW。
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关键词
超辐射发光二极管
非均匀阱宽多量子阱
光致发光
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职称材料
题名
GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
被引量：
5
1
作者
李梅
李辉
王玉霞
刘国军
曲轶
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期885-889,共5页
基金
国家重点实验室基金资助项目(06zs3601)
文摘
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW。
关键词
超辐射发光二极管
非均匀阱宽多量子阱
光致发光
Keywords
superluminescent diodes （SLDs）
non-uniform well-thickness muhi-quantum wells
photolumi-nescence
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
李梅
李辉
王玉霞
刘国军
曲轶
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
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