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具非均匀介电常数的半导体方程组的初边值问题
被引量：
1
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作者
郭柏灵
邢家省
《数学物理学报（A辑）》
CSCD
北大核心
2001年第1期62-69,共8页
考虑具非均匀介电常数的半导体方程组的初边值问题．采用逼近解过程，利用不动点原理证明逼近解的存在性，经过对逼近解建立先验估计，根据紧致性原理证明了该问题整体弱解的存在性．
关键词
半导体方程组
非均匀介电常数
初边值问题
整体弱解
半导体器件
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职称材料
题名
具非均匀介电常数的半导体方程组的初边值问题
被引量：
1
1
作者
郭柏灵
邢家省
机构
北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室
北京航空航天大学应用数学系
出处
《数学物理学报（A辑）》
CSCD
北大核心
2001年第1期62-69,共8页
基金
国家自然科学基金资助(19872010)
北京航空航天大学理学院基金资助
文摘
考虑具非均匀介电常数的半导体方程组的初边值问题．采用逼近解过程，利用不动点原理证明逼近解的存在性，经过对逼近解建立先验估计，根据紧致性原理证明了该问题整体弱解的存在性．
关键词
半导体方程组
非均匀介电常数
初边值问题
整体弱解
半导体器件
Keywords
Semiconductor equations, Discontinuous permittivities, Initial boundary value problem,Global weak solution.
分类号
O471 [理学—半导体物理]
TN301 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
具非均匀介电常数的半导体方程组的初边值问题
郭柏灵
邢家省
《数学物理学报（A辑）》
CSCD
北大核心
2001
1
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