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0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理
被引量：
3
1
作者
吴峰霞
申俊亮
蔡斌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期786-791,共6页
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究...
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究ESD失效机理。结果表明:0.13μm硅工艺IC产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到Al的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘发生电压击穿现象。
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关键词
静电放电（esd）
esd
保护电路
esd
损伤
失效模式
失效机理
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职称材料
题名
0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理
被引量：
3
1
作者
吴峰霞
申俊亮
蔡斌
机构
北京南瑞智芯微电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期786-791,共6页
文摘
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究ESD失效机理。结果表明:0.13μm硅工艺IC产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到Al的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘发生电压击穿现象。
关键词
静电放电（esd）
esd
保护电路
esd
损伤
失效模式
失效机理
Keywords
electrostatic discharge
（esd
）
esd
protective circuit
esd
damage
failure mode
failure mechanism
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理
吴峰霞
申俊亮
蔡斌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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