期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理 被引量:3
1
作者 吴峰霞 申俊亮 蔡斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期786-791,共6页
对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究... 对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究ESD失效机理。结果表明:0.13μm硅工艺IC产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到Al的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘发生电压击穿现象。 展开更多
关键词 静电放电(esd) esd保护电路 esd损伤 失效模式 失效机理
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部