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通用电爆装置抗静电能力研究 被引量:2
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作者 魏光辉 潘晓东 孙永卫 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2008年第5期480-485,共6页
为评估弹药、导弹的抗静电能力,从形成静电危害的3要素分析入手,简述了电爆装置静电感度测试程序与数据处理方法,测试确定了某型反坦克火箭云爆弹用电点火具的真实静电感度.以静电发火的安全界限、静电放电模型和能量耦合关系为基础,确... 为评估弹药、导弹的抗静电能力,从形成静电危害的3要素分析入手,简述了电爆装置静电感度测试程序与数据处理方法,测试确定了某型反坦克火箭云爆弹用电点火具的真实静电感度.以静电发火的安全界限、静电放电模型和能量耦合关系为基础,确定了危险静电源对电爆装置直接放电的安全电压阈值计算方法.根据多年来的实测数据,确定了人体、机器设备对5种通用电爆装置直接静电放电的静电安全电压阈值. 展开更多
关键词 电爆装置 静电放电模型 静电 安全 评估方法
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不同静电环境电爆管安全性
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作者 李志鹏 吕子剑 +2 位作者 龙新平 文雯 李振峰 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期472-476,共5页
为评估某电爆管不同静电环境的安全性,采用静电放电模拟器分别模拟人体,机器以及人体-金属复合放电情形,在25 k V条件下对其脚-脚和脚-壳两种静电放电方式的安全性进行了研究。实验发现:脚-脚放电引起的电爆管桥丝电阻值减小率小于2.1%... 为评估某电爆管不同静电环境的安全性,采用静电放电模拟器分别模拟人体,机器以及人体-金属复合放电情形,在25 k V条件下对其脚-脚和脚-壳两种静电放电方式的安全性进行了研究。实验发现:脚-脚放电引起的电爆管桥丝电阻值减小率小于2.1%,40发试样均未发火;脚-壳放电时,机器模型放电功率理论计算值高达104.17 MW,导致10发试样中的6发发火。分析表明:该电爆管的静电安全性主要取决于静电放电的电流和功率大小,压敏电阻发生开路失效是导致其发火的主要原因。 展开更多
关键词 安全性 静电 电爆管 静电放电模型
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GaAs相关多普勒放大器的抗静电设计 被引量:1
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作者 纪新峰 李宏民 +2 位作者 胡丹 张红旗 张好军 《兵器装备工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期253-257,共5页
静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络... 静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络有利于泄放大电流;基于静电放电人体模型,运用静电模拟仪器对相关多放进行了模拟试验,并对其性能进行测试;结果表明:器件的抗静电能力从200 V提高到了1400 V,开关选通前后沿小于5 ns,开关延迟不大于10 ns,控制信号泄露不大于40 mV,开关输出幅度不小于1 V。抗静电能力改进后,模块的开关性能保持不变,雷达接收机增益和噪声一致。导弹系统试验证明,抗静电措施稳定、有效,提高了产品的可靠性。 展开更多
关键词 GaAs开关 静电释放 静电放电模型 静电防护 硅隔离 双二极管网络
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基于电路仿真的桥丝式电火工品静电危害预测 被引量:11
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作者 于鸿源 严楠 +1 位作者 陈树肖 王洪波 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期682-687,共6页
为研究电火工品(EED)发火件材料对静电泄放(ESD)条件的响应规律及其在静电环境下的损伤情况,引用美国电气和电子工程师协会(IEEE)标准和Sandia实验室标准的静电放电模型,仿真和分析了不同静电高压条件放电模型的静电泄放过程。确定了放... 为研究电火工品(EED)发火件材料对静电泄放(ESD)条件的响应规律及其在静电环境下的损伤情况,引用美国电气和电子工程师协会(IEEE)标准和Sandia实验室标准的静电放电模型,仿真和分析了不同静电高压条件放电模型的静电泄放过程。确定了放电产生的能量,与典型电火工品中的发火材料的物理形态转换特性能量进行了对比分析。推算了ESD对典型EED的损伤情况。结果表明,泄放电流峰值随静电初始电压升高而增大,但电流波形的其它参数不变。对于40μm直径的镍铬桥丝和斯蒂芬酸铅组成的发火元件,IEEE标准ESD模型在初始电压为20 k V时桥丝温度可达到焊锡熔点、药剂分解温度和燃爆点,40 k V可使桥丝熔断,而Sandia实验室标准ESD模型在20 k V时桥丝温度可达到焊锡熔点,25 k V可到达到药剂分解温度和燃爆点,50 k V达到桥丝熔点。 展开更多
关键词 静电放电模型 电路仿真 电火工品损伤
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功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究
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作者 毕向东 张世峰 韩雁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期604-608,共5页
随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅... 随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。 展开更多
关键词 纵向双扩散金属氧化物半导体 静电损伤防护 多晶硅齐纳二极管 开启电压 人体静电放电模型
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