静电感应晶闸管（SITH）的理论分析 被引量：2

1

作者 李思渊 刘瑞喜 +2 位作者 刘肃 杨建红 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期22-25,共4页

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化... 首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 特性 分析 场感应器件 SITH

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100A/1200V静电感应晶闸管的设计 被引量：1

2

作者 李思渊 黄仕琴 +3 位作者 薛传明 刘瑞喜 张明兰 梁元涛 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期44-47,共4页

分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．

关键词 静电感应晶闸管 电参数 结构参数 设计 SITH

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静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

3

作者 李思渊 刘瑞喜 +2 位作者 刘肃 杨建红 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期41-47,共7页

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对... 静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。... 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 SITH 分析

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表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

4

作者 季涛 杨利成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期325-328,共4页

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而... 运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 表面型 双注入效应 势垒 鞍点

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静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析 被引量：3

5

作者 李思渊 刘瑞喜 +3 位作者 李成 席传裕 刘肃 杨建红 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期78-88,共11页

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。

关键词 静电感应晶闸管 沟道 势垒 晶闸管

全文增补中

静电感应晶闸管在电源电路中的应用研究

6

作者 王为善 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期57-59,68,共4页

在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应... 在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应用的最佳配合。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 电源电路 SITH 驱动电路 开关电源 功率因数

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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟 被引量：1

7

作者 薛伟东 李思渊 +1 位作者 刘英坤 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期68-71,共4页

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

关键词 静态特性 静电感应晶闸管 负阻转折 仿真模拟 SITH 正向导通

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静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

8

作者 张荣 刘肃 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1088-1091,共4页

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综... 描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程。得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 负阻转折特性 双注入 高电平 复合效应

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静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节

9

作者 孟雄晖 李思渊 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期25-27,共3页

以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。

关键词 静电感应晶闸管 工艺控制 参数调节

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静电感应晶闸管的应用研究

10

作者 李定 王为善 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期58-60,共3页

从应用角度出发,测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。针对应用较多的领域,研究出了四种各具特色、适用不同场合的驱动电路。测试表明这些电路可以使SITH器件达到较好的应用水平。

关键词 静电感应晶闸管 开启特性 关断特性 驱动电路 SITH

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静电感应晶闸管耐压参数的控制

11

作者 郭聚卿 李峰 +1 位作者 吴烈琴 刘兴民 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2003年第2期79-81,共3页

讨论了静电感应晶闸管中的两个耐压参数———正向阻断电压和栅—阴击穿电压 。

关键词 静电感应晶闸管 耐压参数 控制 正向阻断电压 栅-阴击穿电压

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台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

12

作者 岳红菊 刘肃 +1 位作者 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期546-548,共3页

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴... 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 埋栅结构 台面刻蚀 栅阴击穿 表面缺陷

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SITH耐压容量的控制和调节

13

作者 姚琢 薛伟东 刘肃 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期42-47,共6页

分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅

关键词 SITH 正向阻断电压 栅阴击穿电压 静电感应晶闸管 耐压容量

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台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响 被引量：3

14

作者 拥冬青 李思渊 王永顺 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期92-94,共3页

分析了台面刻蚀程度对埋栅型STTHⅠ-Ⅴ特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻... 分析了台面刻蚀程度对埋栅型STTHⅠ-Ⅴ特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右. 展开更多

关键词 静电感应晶闸管 台面刻蚀 I-V特性

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编者按

15

《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期1-16,28,共17页

20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输... 20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输出能力的门极可关断晶闸管GTO、集成门极换相晶闸管IGCT乃至静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH。半导体功率器件的快速发展推动了电力电子变换技术及其产业应用领域的迅速壮大,如今,生产、生活、医疗卫生、交通运输、 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 门极可关断晶闸管 半导体功率器件 绝缘栅双极型晶体管 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 编者 MOSFET

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