静电感应晶体管I-V特性的控制 被引量：3

1

作者 刘瑞喜 李思渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期14-18,共5页

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出... 静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。 展开更多

关键词 静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管

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用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性 被引量：1

2

作者 郭宝增 孙荣霞 Umberto Ravaioli 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1121-1124,共4页

报告了用二维全带组合MonteCarlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管 (SITs)交直流特性的结果 .SIT的栅极长度为 0 13μm ,源极和漏极之间距离为 0 5 μm .模拟得到了SIT的输出特性 ,跨导和特征频率特性 .模拟得到的跨导最大值为 14 0... 报告了用二维全带组合MonteCarlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管 (SITs)交直流特性的结果 .SIT的栅极长度为 0 13μm ,源极和漏极之间距离为 0 5 μm .模拟得到了SIT的输出特性 ,跨导和特征频率特性 .模拟得到的跨导最大值为 14 0ms/mm(Vgs=- 1.5V) ,器件特征频率最大值为 12 3GHz(Ids=3 15A/cm) . 展开更多

关键词 MONTECARLO模拟 氮化镓 静电感应晶体管 化合物半导体

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短漂移区静电感应晶体管的特性研究

3

作者 张琳娇 杨建红 +1 位作者 刘亚虎 朱延超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期194-198,共5页

为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常... 为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。 展开更多

关键词 静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间

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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

4

作者 杨涛 刘肃 +2 位作者 李思渊 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-67,共3页

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管... 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。 展开更多

关键词 静电感应晶体管 V形槽 等离子体增强化学气相淀积 肖特基势垒

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静电感应晶体管高频功率参数的控制

5

作者 孟雄晖 李思渊 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期28-32,共5页

以对静电感应晶体管（ＳＩＴ）的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下，器件引线寄生电感的影响变得严重，使得对器件的封装有了新的要求，本文对这一问题也进行了探讨。

关键词 SIT 功率增益 封装 静电感应晶体管

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静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究

6

作者 孟雄晖 李思渊 刘瑞喜 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期37-43,共7页

讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构。

关键词 静电感应晶体管 电性能参数 电流-电压特性

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双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

7

作者 姜岩峰 李思渊 +1 位作者 李海蓉 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期25-28,共4页

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工... 从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。 展开更多

关键词 BSIT 开关时间 势垒 双极型 静电感应晶体管

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双极型静电感应晶体管的温度特性 被引量：1

8

作者 朱淑玲 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期30-32,35,共4页

通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察Ｂ... 通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。 展开更多

关键词 双极型 静电感应晶体管 温度特性 迁移率 BSIT

全文增补中

SIT耐压容量的控制和工艺调节 被引量：4

9

作者 刘瑞喜 李思渊 何山虎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期19-22,共4页

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。

关键词 SIT 耐压 静电感应晶体管 制造工艺

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BSIT开启特性的研究 被引量：1

10

作者 李思渊 刘瑞喜 +3 位作者 李成 刘肃 杨建红 韩永召 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期37-45,共9页

双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析... 双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟．结果表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即由正向小栅压（ＶＧ≤０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压（ＶＧ≥０．５Ｖ）下的少子注入电流控制机制．数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降与饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压。 展开更多

关键词 模拟 双极型 静电感应晶体管 开启特性

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表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

11

作者 崔占东 杨银堂 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期78-81,共4页

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。

关键词 表面栅 BSIT 栅源低击穿 双极模式静电感应晶体管 功率开关电路

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SIT高频大功率谐振逆变器的研究 被引量：1

12

作者 李津福 章亦葵 张立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期92-95,共4页

本文简述了静电感应晶体管（ＳＩＴ）大功率感应加热电源的研究成果。着重介绍了ＳＩＴ的参数选择及控制方法。此项成果已成功地应用于全固态高频钢筋生产线上。

关键词 SIT 谐振逆变器 感应加器 静电感应晶体管

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SITI－V特性模型 被引量：1

13

作者 张万荣 罗晋生 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期20-27,共8页

提出了一个ＳＩＴＩ－Ｖ特性模型．该模型不仅成功地解释了在小电流工作时的指数Ｉ－Ｖ特性，而且也说明了在中等电流和大电流工作时的线性Ｉ－Ｖ特性．基于这个模型。

关键词 静电感应晶体管 势垒 夹断电压 IV特性模型

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光学传感、传感器

14

《中国光学》 EI CAS 2000年第2期78-79,共2页

TP212.14 2000021264新颖有源像素图像传感器的新进展=Recent developmentof novel active pixel sensors[刊,中]/程开富(重庆光电技术研究所.重庆(400060))//半导体情报. 1999,36(2).-26-32介绍静电感应晶体管、电荷调制器件、体电荷... TP212.14 2000021264新颖有源像素图像传感器的新进展=Recent developmentof novel active pixel sensors[刊,中]/程开富(重庆光电技术研究所.重庆(400060))//半导体情报. 1999,36(2).-26-32介绍静电感应晶体管、电荷调制器件、体电荷调制器件、基极存储图像传感器、增强MOS图像、CMOS等有源像素传感器的新进展。表2参16(赵桂云) 展开更多

关键词 浓度传感器 有源像素图像传感器 有源像素传感器 静电感应晶体管 新进展 高分辨率 摄像机 灵敏度 性能评价 技术研究所

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编者按

15

《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期1-16,28,共17页

20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输... 20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输出能力的门极可关断晶闸管GTO、集成门极换相晶闸管IGCT乃至静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH。半导体功率器件的快速发展推动了电力电子变换技术及其产业应用领域的迅速壮大,如今,生产、生活、医疗卫生、交通运输、 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 门极可关断晶闸管 半导体功率器件 绝缘栅双极型晶体管 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 编者 MOSFET

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