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静电感应器件栅源击穿特性的改善 被引量:4
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作者 杨建红 李思渊 王天民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期36-38,共3页
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明:当使用高阻单晶材料(ND=1×1014cm-3)作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高(Nepi>1×1016cm-... 对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。结果表明:当使用高阻单晶材料(ND=1×1014cm-3)作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高(Nepi>1×1016cm-3)时,器件的击穿电压BVgs0基本上局限在10V以下,与外延层的厚度没有明显关系。作者指出,静电感应器件栅源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区与沟道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同决定的。在这种情况下,栅源击穿电压BVgs0与半导体的击穿电场Eb和沟道宽度W的关系可表示为BVgs0=1/2EbW。提高BVgd0的有效途径应是尽可能地使外延层的掺杂浓度和沟道(衬底)的掺杂浓度相接近。 展开更多
关键词 静电感应器件 栅源击穿电压 电力开关器件
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复合结构的静电感应器件 被引量:2
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作者 李思渊 刘肃 +1 位作者 刘瑞喜 杨建红 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第2期243-247,共5页
复合结构的静电感应器件李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红(兰州大学)关键词静电感应器件,复合结构,I~V特性表面栅结构(S--8)和埋栅结构(HS)作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”-”.近几年我们采用了一... 复合结构的静电感应器件李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红(兰州大学)关键词静电感应器件,复合结构,I~V特性表面栅结构(S--8)和埋栅结构(HS)作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”-”.近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构(用0... 展开更多
关键词 静电感应器件 复合结构 I^V特性
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多条小间距扩散结横向扩散比例的测量
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作者 杨建红 李思渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期28-30,36,共4页
用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响:斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视,结面交连的影响在两结十分靠近且结深较大时比较明显,对于静电感应器件而言更是如此,二者均使测量结... 用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响:斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视,结面交连的影响在两结十分靠近且结深较大时比较明显,对于静电感应器件而言更是如此,二者均使测量结果的误差和数据的离散性偏大。斜角的影响表现在使测得的横向扩散比例减小,甚至是成倍地减小。结面交连的影响是在结深较大时使测得的横向宽度长度实际上与纵向深度无关,得到的横向扩散比例随纵向结深反比例地减小。这些误差将会使器件的设计和工艺调节失去基础。横向扩散比例的异常变化并不意味着扩散动力学新效应。 展开更多
关键词 扩散 测量 静电感应器件 半导体器件
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