期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
如何避免静电保护器件发生闩锁效应
被引量：
1
1
作者
杨城
《质量与可靠性》
2023年第2期14-17,共4页
可控硅(Silicon Controller Rectifier,SCR)技术被广泛用于静电保护器件设计中,其优点是降低了箝位电压(Vclamp),但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究,并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-...
可控硅(Silicon Controller Rectifier,SCR)技术被广泛用于静电保护器件设计中,其优点是降低了箝位电压(Vclamp),但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究,并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-V回扫特性与闩锁效应的关系,阐述静电保护器件发生闩锁效应的条件及如何避免发生闩锁效应的静电防护器件闩锁风险实测方法。
展开更多
关键词
可控硅
回扫
闩锁效应
静电保护器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
如何避免静电保护器件发生闩锁效应
被引量：
1
1
作者
杨城
机构
锐捷网络股份有限公司
出处
《质量与可靠性》
2023年第2期14-17,共4页
文摘
可控硅(Silicon Controller Rectifier,SCR)技术被广泛用于静电保护器件设计中,其优点是降低了箝位电压(Vclamp),但其特殊的I-V回扫特性容易触发闩锁。通过对闩锁效应原理进行研究,并结合实际的案例分析基于可控硅技术的静电保护器件I-V回扫特性与闩锁效应的关系,阐述静电保护器件发生闩锁效应的条件及如何避免发生闩锁效应的静电防护器件闩锁风险实测方法。
关键词
可控硅
回扫
闩锁效应
静电保护器件
Keywords
SCR
snap-back
latch-up
ESD component
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN03 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
如何避免静电保护器件发生闩锁效应
杨城
《质量与可靠性》
2023
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
