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两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
1
作者
闫爱斌
李坤
+2 位作者
黄正峰
倪天明
徐辉
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期4072-4080,共9页
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单...
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。
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关键词
CMOS
静态随机存储器单元
抗辐射加固
单节点翻转
双节点翻转
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职称材料
题名
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
1
作者
闫爱斌
李坤
黄正峰
倪天明
徐辉
机构
合肥工业大学微电子学院
安徽工程大学集成电路学院
安徽理工大学计算机科学与工程学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期4072-4080,共9页
基金
国家自然科学基金(61974001)。
文摘
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。
关键词
CMOS
静态随机存储器单元
抗辐射加固
单节点翻转
双节点翻转
Keywords
CMOS
Static Random Access Memory(SRAM)cell
Radiation hardening
Single node upset
Double node upset
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
闫爱斌
李坤
黄正峰
倪天明
徐辉
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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