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两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
1
作者 闫爱斌 李坤 +2 位作者 黄正峰 倪天明 徐辉 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期4072-4080,共9页
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单... CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。 展开更多
关键词 CMOS 静态随机存储器单元 抗辐射加固 单节点翻转 双节点翻转
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亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究 被引量：12
2
作者 郭红霞 罗尹虹 +4 位作者 姚志斌 张凤祁 张科营 何宝平 王园明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1498-1504,共7页
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺... 利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战。 展开更多
关键词 静态随机存储器 多位翻转 重离子加速器
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静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量：5
3
作者 郭红霞 陈雨生 +2 位作者 周辉 贺朝会 李永宏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第6期508-512,共5页
采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LE... 采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。 展开更多
关键词 静态随机存储器 单粒子翻转 SEU SRAM 电荷漏斗模型 加速器
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PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固 被引量：4
4
作者 郭天雷 韩郑生 +3 位作者 海潮和 周小茵 李多力 赵立新 《电子器件》 CAS 2007年第3期794-798,共5页
对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.... 对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM,进行总剂量为2×105rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3ns;辐照后仅为26.7ns. 展开更多
关键词 总剂量辐照 静态随机存储器 工艺集成 加固
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静态随机存储器数据残留特性研究 被引量：1
5
作者 焦慧芳 张小波 +2 位作者 贾新章 杨雪莹 钟征宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期536-539,共4页
通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实... 通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。 展开更多
关键词 静态随机存储器 数据残留 温度 待机电流
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静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究 被引量：1
6
作者 李明 余学峰 +6 位作者 许发月 李茂顺 高博 崔江维 周东 席善斌 王飞 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期507-512,共6页
通过比较1Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机... 通过比较1Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制。结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响;静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。 展开更多
关键词 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 退火效应
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静态随机存储器低泄漏设计技术 被引量：2
7
作者 郭雅琳 程滔 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第6期764-766,共3页
随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因:(1)芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;(2)每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工... 随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因:(1)芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;(2)每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工作状态。总结SRAM低泄漏的电路设计技术,并总结工艺发展对于低泄漏设计技术的挑战。 展开更多
关键词 静态随机存储器 泄漏 功耗 待机 灵敏放大器
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宇航用静态随机存储器验证方法研究与应用 被引量：2
8
作者 肖爱斌 王斐尧 +3 位作者 王文炎 隽扬 张雷浩 张皓源 《电子与封装》 2015年第5期14-20,共7页
在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC... 在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 静态随机存储器SRAM 错误检测与纠正EDAC 功能验证 MARCH算法
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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究 被引量：2
9
作者 李丽丽 汪栋 +6 位作者 刘夏杰 吕永红 李坤锋 蔡莉 史淑廷 惠宁 郭刚 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1326-1334,共9页
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行... 利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。 展开更多
关键词 多位翻转 静态随机存储器 双阱 电荷共享 重离子 微束实验
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近阈值非预充静态随机存储器 被引量：1
10
作者 蔡江铮 黑勇 +1 位作者 袁甲 陈黎明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期106-111,共6页
为了降低静态随机存储器在处理声音和视频数据时的功耗,提出一款新型的非预充单元.相比常规6管和8管单元,其读操作消除了预充机制,抑制了无效的翻转,因此功耗得到显著优化.本单元通过多阈值技术,在保证低电压区域读噪声容限的同时也加... 为了降低静态随机存储器在处理声音和视频数据时的功耗,提出一款新型的非预充单元.相比常规6管和8管单元,其读操作消除了预充机制,抑制了无效的翻转,因此功耗得到显著优化.本单元通过多阈值技术,在保证低电压区域读噪声容限的同时也加强了数据读出的能力.而且通过引入切断反馈环的机制,有效地提升了单元写能力.此外,在存储阵列中应用半斯密特反相器,大幅地提升了静态随机存储器读操作的性能.基于SMIC 130nm工艺,分别实现容量为6kbit的非预充和常规8管静态随机存储器测试芯片.测试和仿真数据表明,这种新型存储器相比常规8管存储器在功耗的抑制上具有显著优势,可以作为低功耗应用的良好选择. 展开更多
关键词 静态随机存储器 非预充 声音和视频 低功耗
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一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计 被引量：2
11
作者 吴璇 陈立 +1 位作者 杨晋生 肖谧 《现代电子技术》 2012年第8期167-170,共4页
为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现... 为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现并具有1KB(1K×8b)的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性。介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7MHz,此时功耗仅为0.35μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2MHz,功耗为83.22μW。 展开更多
关键词 静态随机存储器 双互锁存储单元 单粒子翻转 电路设计
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不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响 被引量：1
12
作者 张付强 陈启明 +7 位作者 龚艺豪 肖舒颜 张铮 马旭 赵树勇 郑宏超 张健鹏 郭刚 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2023年第6期108-113,共6页
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂... 基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。 展开更多
关键词 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 特征尺寸
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静态随机存储器在轨自检算法 被引量：1
13
作者 吴洋 王羿 +3 位作者 于新宇 许智龙 任放 黄缙 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1233-1240,共8页
静态随机存储器(SRAM)在轨自检应用于星载电子设备上电初始化过程中,能够在电子设备开始工作前发现存储器的故障单元,为评估电子设备健康状态提供依据。分析了SRAM的结构和常见的故障原理,针对在轨应用这一特殊背景开展研究,提出了对典... 静态随机存储器(SRAM)在轨自检应用于星载电子设备上电初始化过程中,能够在电子设备开始工作前发现存储器的故障单元,为评估电子设备健康状态提供依据。分析了SRAM的结构和常见的故障原理,针对在轨应用这一特殊背景开展研究,提出了对典型测试算法的改进方案。在完成对改进方案的分析和评价后,以8 K×8 bit存储器为例开展算法的实现,并验证了改进方案的可行性。与典型测试算法相比,所提改进方案具有资源开销少、故障覆盖率高等优点。 展开更多
关键词 静态随机存储器(SRAM) 在轨自检 MARCH算法 集成电路测试 航天产品
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65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
14
作者 李丽丽 郭刚 +5 位作者 蔡莉 池雅庆 刘建成 史淑廷 惠宁 韩金华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期909-915,共7页
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单... 利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。 展开更多
关键词 多位翻转 静态随机存储器 三阱 双极效应 重离子
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亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术
15
作者 张金峰 李富华 +1 位作者 郑坚斌 张昭勇 《微纳电子技术》 CAS 2008年第1期15-19,24,共6页
CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定... CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。 展开更多
关键词 静态随机存储器 工艺变化 读写裕度 读写辅助电路
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非易失性静态随机存储器研究进展
16
作者 冯平 尹家宇 +4 位作者 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期1-8,18,共9页
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在... 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。 展开更多
关键词 非易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 漏电流 功耗
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台积电成功试产32nm静态随机存储器并通过功能验证
17
《中国集成电路》 2008年第1期2-2,共1页
据报道，台积电1113在美国华盛顿特区举行的国际电子组件大会（IEDM）中发表论文，宣布开发出同时支持模拟及数字集成电路的32nm制程技术，并成功试产出32nm 2Mb SRAM，且已通过功能试验。
关键词 静态随机存储器 台积电 功能验证 试产 数字集成电路 电子组件 制程技术 SRAM
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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
18
作者 柏娜 李钢 +1 位作者 许耀华 王翊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第3期850-858,共9页
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个... 随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T,LWS14T,SAR14T,RSP14T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%,54.9%,58.9%,0.7%,59.1%和107.4%。相比于SARP12T,RH12T,SAR14T,RSP14T,S8N8P16T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%,31.4%,90.3%,8.9%,71.5%,90.4%和90.3%。相较于SAR14T,RSP14T和EDP12T,MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%,33.9%和25.7%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器
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随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应 被引量：10
19
作者 郭晓强 郭红霞 +5 位作者 王桂珍 林东生 陈伟 白小燕 杨善潮 刘岩 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1547-1550,共4页
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。... 建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明：SRAM器件的特征尺寸越小，其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。 展开更多
关键词 随机静态存储器 低能中子 单粒子效应 反应堆 特征尺寸 临界电荷
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静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研制 被引量：8
20
作者 姚志斌 何宝平 +4 位作者 张凤祁 郭红霞 罗尹虹 王圆明 张科营 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期749-754,共6页
在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置... 在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上,详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数,其长线传输距离达到50 m以上,最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 辐照效应 测试系统 静态随机访问存储器
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