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题名隔离型达林顿管静态漏电失效分析
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作者
王旭
段超
龚欣
孟猛
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期629-632,共4页
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文摘
分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。
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关键词
高可靠设备
隔离型达林顿
静态漏电
失效分析
磨角染色法
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Keywords
high-reliability equipment
isolated darlington
static leakage-current
failure analysis
angle lap stain method
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
TN306
[电子电信—物理电子学]
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题名SRAM静态低功耗设计
被引量：2
- 2
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作者
封晴
章慧彬
夏光
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机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子与封装》
2008年第11期16-19,共4页
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文摘
在标准的Fabless CMOS工艺线上,由于没有对静态存储器生产进行过专门的工艺优化,在有大规模SRAM嵌入设计的ASIC与SoC电路中,静态电流较大。文章讨论了静态存储器单元静态漏电模式,采用了国内某标准CMOS工艺线提供的0.25μm SPICE模型,使用HSPICE软件对六管静态存储器单元的静态漏电进行了模拟,介绍了一种高可靠、基于0.25μm标准CMOS工艺的低功耗静态存储器设计的解决方案,适用于要求低待机功耗的标准静态存储器、嵌入式静态存储器电路设计。
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关键词
静态存储器
静态漏电
低功耗
SRAM
ISB
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Keywords
SRAM
retention quiescent current
low power dissipation
Isb
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名浅析一种新能源汽车低压蓄电池智能补电系统方案设计
被引量：4
- 3
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作者
周晓兵
吴文
杨希志
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机构
浙江吉利新能源商用车集团有限公司
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出处
《汽车电器》
2022年第5期14-15,18,共3页
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文摘
与传统燃油汽车相比,新能源汽车控制器多,整车静态漏电流大,低压电池更容易亏电。本文提出了低压蓄电池智能补电系统方案设计,解决了非蓄电池本身品质导致的亏电问题。
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关键词
新能源汽车
低压蓄电池
静态漏电流
亏电
智能补电
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Keywords
new energy vehicle
low-voltage battery
static leakage current
power loss
intelligent power replenishment
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分类号
U469.72
[机械工程—车辆工程]
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题名基于多阈值电压技术的低功耗芯片设计
被引量：3
- 4
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作者
沈志春
夏玥
刘心舸
张清贵
吴欣延
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机构
珠海晶通科技有限公司
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出处
《集成电路应用》
2022年第12期20-23,共4页
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文摘
阐述一款低功耗芯片的设计,利用多阈值电压设计技术来降低静态漏电功耗,探讨一种基于层次化设计技术来降低功耗的方案,采用模块化进行综合优化设计,满足设计时序,降低22.5%的漏电功耗。
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关键词
电子器件
静态漏电功耗
综合优化
多阈值电压设计
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Keywords
electronic devices
static leakage power consumption
comprehensive optimization
multi threshold voltage design
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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