期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
低功率圆柱形霍尔推进器实验特性研究
1
作者 熊思维 唐德礼 +2 位作者 李平川 张帆 陈满珍 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期252-257,共6页
随着航天技术的发展以及微小型卫星应用数量的不断增多,空间推进领域对低功率电力推进的需求越来越多。常见的环形霍尔推进器缩放至低功率时效率低下。圆柱形霍尔推进器具有较低的表面积与体积比,有利于通过磁镜效应更好地束缚电子以减... 随着航天技术的发展以及微小型卫星应用数量的不断增多,空间推进领域对低功率电力推进的需求越来越多。常见的环形霍尔推进器缩放至低功率时效率低下。圆柱形霍尔推进器具有较低的表面积与体积比,有利于通过磁镜效应更好地束缚电子以减少通道壁处的粒子损失,从而减小通道的刻蚀和发热,这使得CHT对于低功率应用很有前景。文章进行低功率圆柱形霍尔推进器实验特性研究,在50 W功率范围内运行。实验得到了推进器在高电压、小气量、低电流工况下的工作特性、离子束特点等结果。实验表明:低功率圆柱形霍尔推进器工作电压在1000~2400 V之间,使用Ar体积流量在1.0~4.0 mL/min内,其比冲在218~1419 s,推力范围在0.118~0.78 mN,最大电流利用率为87%,最大推力效率为20.39%与先进霍尔推力器效率相当。同时发现在气体体积流量变大过程中,离子束出现强弱两种工作模式。 展开更多
关键词 圆柱形霍尔推进器 微型化 阳极层 模式转化
在线阅读 下载PDF
霍尔推进器等离子体鞘层特性的Particle-in-Cell模拟 被引量:6
2
作者 段萍 周新维 +3 位作者 沈鸿娟 覃海娟 曹安宁 殷燕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1557-1562,共6页
霍尔(Hall)等离子体推进器鞘层特性对推进器的性能具有重要影响。针对Hall推进器鞘层区域建立物理模型,采用粒子模拟方法(PIC),通过求解泊松方程得到粒子位置产生的电场,确定边界条件,研究了不同磁感应强度和方向、不同推进工质和粒子... 霍尔(Hall)等离子体推进器鞘层特性对推进器的性能具有重要影响。针对Hall推进器鞘层区域建立物理模型,采用粒子模拟方法(PIC),通过求解泊松方程得到粒子位置产生的电场,确定边界条件,研究了不同磁感应强度和方向、不同推进工质和粒子权重对推进器鞘层电势及壁面二次电子发射系数的影响规律。结果表明:当磁感应强度为0.04T时,随着磁场方位角的增大,鞘层电势绝对值升高,壁面二次电子发射系数降低,变化量在10-3量级;磁场大小对鞘层电势及壁面二次电子发射系数影响较小;对于氩、氪和氙3种工质,鞘层电势和二次电子发射系数依次降低;而当粒子权重大于106时,等离子体鞘层振荡明显,推进器的稳定性降低。 展开更多
关键词 霍尔推进器 PIC模拟 鞘层 二次电子发射 磁场 推进工质
在线阅读 下载PDF
阳极层霍尔推进器磁极刻蚀的实验研究 被引量:3
3
作者 张帆 唐德礼 +1 位作者 聂军伟 李平川 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期386-392,共7页
为了提出降低阳极层霍尔推进器运行过程中的磁极刻蚀程度的方案,记录磁极刻蚀程度在相关参数影响下的变化,针对阳极层霍尔推进器的放电电流、电压、工质输送速率等工作参数开展实验研究,定量分析了这些影响因子对推进器磁极刻蚀程度的影... 为了提出降低阳极层霍尔推进器运行过程中的磁极刻蚀程度的方案,记录磁极刻蚀程度在相关参数影响下的变化,针对阳极层霍尔推进器的放电电流、电压、工质输送速率等工作参数开展实验研究,定量分析了这些影响因子对推进器磁极刻蚀程度的影响.通过测量磁极被溅射出的粒子在样品表面不同位置上的沉积速率,计算出了推进器在不同运行条件下,由于磁极刻蚀而产生的溅射粒子数量和密度.实验结果表明,该推进器在运行过程中,溅射粒子主要集中在羽流中心线附近区域;随着放电电压和电流的增加,溅射粒子的密度显著上升,并且在以羽流中心线为中心,半径为4cm的圆面区域内,溅射粒子密度上升明显;降低工质输送速率,在低气压、高电压和小电流的运行条件下能够有效降低推进器磁极刻蚀程度,实验所采用的霍尔推进器合适的工作气压为0.02~0.025Pa. 展开更多
关键词 霍尔推进器 磁极刻蚀 影响因子 实验研究
在线阅读 下载PDF
圆柱形阳极层霍尔推进器的工作特性与离子束流研究 被引量:7
4
作者 许丽 王世庆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期810-813,共4页
主要对圆柱形阳极层霍尔推进器进行实验研究,得到推进器的工作特性、离子束分布、束流中电子的含量等结果。并且给出圆柱形阳极层霍尔推进器的最佳工作参数:工作电压在700~1000V之间,电流在0.15~0.65A,气体流量低于8mL/min。... 主要对圆柱形阳极层霍尔推进器进行实验研究,得到推进器的工作特性、离子束分布、束流中电子的含量等结果。并且给出圆柱形阳极层霍尔推进器的最佳工作参数:工作电压在700~1000V之间,电流在0.15~0.65A,气体流量低于8mL/min。从离子束流的径向分布可知:高电压、低电流、小气量时离子束的发散角较小。 展开更多
关键词 圆柱形阳极层霍尔推进器 离子束 比冲 发散角
在线阅读 下载PDF
霍尔推进器磁屏蔽对磁场的优化效应研究 被引量:2
5
作者 王健 汪友梅 刘忠茂 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期715-720,共6页
为研究磁屏蔽对霍尔推进器磁场位形分布的影响,以轴对称环形霍尔推进器为研究对象,采用FEMM软件对各种磁屏蔽情况下的磁场分布进行仿真;结合流体模型,利用四阶龙格库塔方法对放电通道内各粒子的输运性质进行研究。结果表明:内外磁屏蔽... 为研究磁屏蔽对霍尔推进器磁场位形分布的影响,以轴对称环形霍尔推进器为研究对象,采用FEMM软件对各种磁屏蔽情况下的磁场分布进行仿真;结合流体模型,利用四阶龙格库塔方法对放电通道内各粒子的输运性质进行研究。结果表明:内外磁屏蔽材料高度变化时磁场位形存在最优分布;电子温度在放电通道出口附近达到最大值,约64eV。离子化频率和电子轴向有效散射频率峰值也出现在通道出口附近。 展开更多
关键词 霍尔推进器 磁屏蔽 电子温度 磁场优化
在线阅读 下载PDF
圆柱形阳极层霍尔推进器磁极溅射数值模拟 被引量:1
6
作者 李平川 唐德礼 +1 位作者 赵杰 张帆 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期181-187,共7页
通过对空心和实心内磁极的圆柱形阳极层霍尔推进器放电等离子体进行三维PIC 放电-溅射模拟,分析了放电功率和阳极附近磁场等对磁极离子溅射的影响。结果表明,实心内磁极的推进器效率较高,在较高电压和高磁场的工况下,空心内磁极圆柱形... 通过对空心和实心内磁极的圆柱形阳极层霍尔推进器放电等离子体进行三维PIC 放电-溅射模拟,分析了放电功率和阳极附近磁场等对磁极离子溅射的影响。结果表明,实心内磁极的推进器效率较高,在较高电压和高磁场的工况下,空心内磁极圆柱形阳极层霍尔推进器的刻蚀程度有明显减弱。在大功率圆柱形阳极层霍尔推进器设计和研发工作中,应考虑空心阴极效应的优点以及合适的电磁场配比。 展开更多
关键词 阳极层霍尔推进器 离子溅射 数值模拟
在线阅读 下载PDF
空心内磁极圆柱形阳极层霍尔推进器溅射仿真 被引量:4
7
作者 李平川 唐德礼 +2 位作者 赵杰 耿少飞 张帆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期875-882,共8页
溅射对圆柱形阳极层霍尔推进器的稳定运行和寿命具有不可忽视的影响。为了研究D-80空心内磁极圆柱形阳极层霍尔推进器的磁极溅射程度,建立了D-80圆柱形阳极层霍尔推进器的三维全粒子PIC/MCC模型,利用VORPAL仿真软件对D-80圆柱形阳极层... 溅射对圆柱形阳极层霍尔推进器的稳定运行和寿命具有不可忽视的影响。为了研究D-80空心内磁极圆柱形阳极层霍尔推进器的磁极溅射程度,建立了D-80圆柱形阳极层霍尔推进器的三维全粒子PIC/MCC模型,利用VORPAL仿真软件对D-80圆柱形阳极层霍尔推进器放电-溅射过程进行了仿真,得到了离子轰击到内、外磁极上的入射能量,入射角度的概率分布,分析了溅射粒子在不同放电功率、磁场和气压下的变化规律。仿真结果表明:离子溅射全部发生在内、外磁极的表面上,轰击内磁极的离子能量平均值和入射角都小于轰击外磁极的离子入射能量和入射角,但内磁极的内、外径表面上溅射程度最严重,与实验中磁极溅射形貌一致;高放电电压和高气压下,溅射程度更严重,并且与实验结果一致。 展开更多
关键词 阳极层霍尔推进器 仿真 入射离子 溅射粒子
在线阅读 下载PDF
圆柱形霍尔推进器的三维刻蚀模拟与实验研究 被引量:3
8
作者 李宏斌 唐德礼 +2 位作者 聂军伟 耿少飞 张帆 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-186,共6页
通过使用数值模拟和实验相结合的方法研究圆柱形霍尔等离子体推进器。应用蒙特卡洛方法和Particle In Cell(PIC)方法对放电通道内等离子体碰撞和行为进行模拟。建立圆柱形霍尔推进器的物理和数值模型;通过对放电和加速区等离子体的产生... 通过使用数值模拟和实验相结合的方法研究圆柱形霍尔等离子体推进器。应用蒙特卡洛方法和Particle In Cell(PIC)方法对放电通道内等离子体碰撞和行为进行模拟。建立圆柱形霍尔推进器的物理和数值模型;通过对放电和加速区等离子体的产生和输运进行模拟,掌握了等离子体放电和加速机理以及内磁极的刻蚀情况。结果表明:随着电压的升高,内磁极刻蚀较为严重;推进器内部离子能量值约为放电电压值的50%左右。同时通过实验方法测定不同放电电压情况下推进器的放电性能。 展开更多
关键词 霍尔等离子体推进器 数值模拟 PIC 蒙特卡洛 刻蚀 实验
在线阅读 下载PDF
氮化硼复合陶瓷表面二次电子发射抑制 被引量:1
9
作者 姚璐 欧阳林杰 +3 位作者 王丹 陈继新 贺永宁 徐亚男 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期3848-3855,共8页
二次电子产额δ是影响霍尔推进器鞘层的关键参数之一。为了降低推进器通道壁面常用材料BN−SiO_(2)复合陶瓷的表面δ,通过激光刻蚀工艺和表面镀层技术对表面δ进行了调控。使用脉冲红外光纤激光器在材料表面构造微阵列结构,使用激光扫描... 二次电子产额δ是影响霍尔推进器鞘层的关键参数之一。为了降低推进器通道壁面常用材料BN−SiO_(2)复合陶瓷的表面δ,通过激光刻蚀工艺和表面镀层技术对表面δ进行了调控。使用脉冲红外光纤激光器在材料表面构造微阵列结构,使用激光扫描显微镜对表面结构表征,表面δ测试方法采用收集极法。δ测试结果表明:激光功率10 W且扫描周期50时,样品表面形成的周期性微阵列结构δ抑制效果较为理想,两种不同质量配比的复合陶瓷表面δ峰值分别由2.62和2.38降低至1.55和1.46。使用磁控溅射在上述微结构表面沉积一层TiN薄膜,δ得到进一步抑制。使用扫描电子显微镜对薄膜表面表征,表面颗粒呈现三棱锥结构。结果表明:溅射功率100 W且时长90 min时,TiN膜厚约为246 nm,镀覆该厚度TiN薄膜的两组微结构样品δ峰值分别由1.55和1.46降低至0.82和0.76,相比原始表面大幅降低。该研究通过表面刻蚀和薄膜沉积工艺,大幅降低了BN−SiO_(2)复合陶瓷表面的δ,研究工作对于特定工作场景中开展低δ表面处理工艺研究具有工程应用价值。 展开更多
关键词 氮化硼 二次电子发射 霍尔推进器 激光刻蚀 氮化钛
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部