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不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究: 1; 作者李雄杰宁平凡 +4 位作者陈世澳乔思博程红娟王英民牛萍娟《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期255-262,共8页; 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 展开更多; 关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底雾化学气相沉积异质外延生长温度禁带宽度; 在线阅读下载PDF 职称材料

雾化辅助化学气相沉积法氧化镓薄膜生长研究被引量：1: 2; 作者罗月婷肖黎 +2 位作者陈远豪梁昌兴龚恒翔《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1163-1168,共6页; 采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga_(2)O_(3)薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga_(2)O_(3)薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga_(2)O_(3)在425~650℃温度区间存在物相转换... 展开更多; 关键词 Ga_(2)O_(3) 薄膜雾化辅助化学气相沉积沉积温度压差单晶半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于mist CVD的高纯相α-Ga_(2)O_(3)生长与光电响应特性研究: 3; 作者姚苏昊张茂林 +4 位作者季学强杨莉莉李山郭宇锋唐为华《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期233-243,共11页; 超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外... 展开更多; 关键词 α-Ga_(2)O_(3) 雾相化学气相沉积 Sn辅助生长光电响应沉积温度掺杂激活; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究: 4; 作者赵昊余博文 +6 位作者李琪李光清刘医源林娜李阳穆文祥贾志泰《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期997-1004,共8页; 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 展开更多; 关键词宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜雾化学气相沉积法 n型导电本征缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究被引量：2: 5; 作者丁尔峰崔容强 +3 位作者周之斌赵亮于化丛赵占霞《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期779-783,共5页; 以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF... 展开更多; 关键词超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) SnO2:F SnO2:Sb NH4F HF; 在线阅读下载PDF 职称材料

雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现被引量：2: 6; 作者樊俊良肖黎 +4 位作者罗月婷陈刚瞿小林唐毅龚恒翔《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期182-188,共7页; 为了实现雾化辅助CVD(chemical vapor deposition,化学气相沉积)腔体的可定制性、可复用性及经济性,并满足高质量单晶氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜制备的实际需求,设计开发了一种新型雾化辅助CVD腔体。该腔体主要由反应腔室模块、冷却模块... 展开更多; 关键词雾化辅助化学气相沉积新型腔体单晶Ga_(2)O_(3)薄膜工艺优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究: 1; 作者李雄杰宁平凡陈世澳乔思博程红娟王英民牛萍娟; 机构天津工业大学机械工程学院天津工业大学电子与信息工程学院中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期255-262,共8页; 基金科技部重点研发计划项目(2022YFA1204001) 天津工业大学学位与研究生教育教学改革与创新项目(YJSJG202406)。; 文摘采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。; 关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底雾化学气相沉积异质外延生长温度禁带宽度; Keywords α-Ga_(2)O_(3) sapphire substrate Mist-CVD heteroepitaxial growth temperature band gap; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名雾化辅助化学气相沉积法氧化镓薄膜生长研究被引量：1: 2; 作者罗月婷肖黎陈远豪梁昌兴龚恒翔; 机构重庆理工大学理学院重庆理工大学; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1163-1168,共6页; 基金重庆市自然科学基金博士后科学基金(cstc2021jcyj-bshX0219) 重庆理工大学本科教育教学改革研究项目(2021YB46)。; 文摘采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga_(2)O_(3)薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga_(2)O_(3)薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga_(2)O_(3)在425~650℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425℃升高至650℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga_(2)O_(3)结晶状态向α-Ga_(2)O_(3)、β-Ga_(2)O_(3)两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌的影响,从475℃升高至650℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475℃、5 Pa压差条件下的α-Ga_(2)O_(3)薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga_(2)O_(3)薄膜材料。; 关键词 Ga_(2)O_(3) 薄膜雾化辅助化学气相沉积沉积温度压差单晶半导体; Keywords Ga_(2)O_(3) thin film atomization-assisted chemical vapor deposition deposition temperature differential pressure single crystal semiconductor; 分类号 TQ133.51 [化学工程—无机化工] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于mist CVD的高纯相α-Ga_(2)O_(3)生长与光电响应特性研究: 3; 作者姚苏昊张茂林季学强杨莉莉李山郭宇锋唐为华; 机构南京邮电大学南京邮电大学; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期233-243,共11页; 基金国家重点研发计划(2022YFB3605404) 国家自然科学基金联合项目(U23A20349) 江苏省双创人才团队项目(JSSCTD202351)。; 文摘超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外延生长了高质量纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜。实验通过mist CVD生长温度的调控探索,获得了纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜外延生长的温度区间为500~600℃。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜进行了物相、形貌、光学特征、元素含量和价态表征,结果表明600℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜具有更高的结晶度,更致密和平整的表面形貌。进一步地,通过构建金属-半导体-金属(MSM)结构的光电探测器,研究了α-Ga_(2)O_(3)薄膜的深紫外(DUV)光电响应性能。500和600℃制备α-Ga_(2)O_(3)薄膜,其光暗电流比(PDCR)分别为5.85×10^(5)和7.48×10^(3),外量子效率(EQE)分别为21.8%和520%,响应度分别为0.044和1.09 A/W。在6 V偏压和254 nm光照下,500℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的响应时间为0.97/0.36 s,600℃的样品响应时间却增大为2.89/4.92 s,这主要是Sn辅助生长在α-Ga_(2)O_(3)薄膜内形成了施主杂质,影响了载流子的输运效率。; 关键词 α-Ga_(2)O_(3) 雾相化学气相沉积 Sn辅助生长光电响应沉积温度掺杂激活; Keywords α-Ga_(2)O_(3) mist chemical vapor deposition Sn-assisted growth photoresponse deposition temperature doping activation; 分类号 O78 [理学—晶体学] TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究: 4; 作者赵昊余博文李琪李光清刘医源林娜李阳穆文祥贾志泰; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东省工业技术研究院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第6期997-1004,共8页; 基金国家自然科学基金(51932004)。; 文摘宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。; 关键词宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜雾化学气相沉积法 n型导电本征缺陷; Keywords wide-bandgap oxide semiconductor LiGa_(5)O_(8)single crystal film mist-CVD method n-type conduction intrinsic defect; 分类号 O78 [理学—晶体学] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究被引量：2: 5; 作者丁尔峰崔容强周之斌赵亮于化丛赵占霞; 机构上海交通大学物理系太阳能研究所; 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期779-783,共5页; 文摘以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。; 关键词超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD) SnO2:F SnO2:Sb NH4F HF; Keywords ultrasonic spray CVD SnO2∶F SnO2∶Sb NH4F HF; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现被引量：2: 6; 作者樊俊良肖黎罗月婷陈刚瞿小林唐毅龚恒翔; 机构重庆理工大学理学院; 出处《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期182-188,共7页; 基金重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-bshX0219) 重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJQN202201137)。; 文摘为了实现雾化辅助CVD(chemical vapor deposition,化学气相沉积)腔体的可定制性、可复用性及经济性,并满足高质量单晶氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜制备的实际需求,设计开发了一种新型雾化辅助CVD腔体。该腔体主要由反应腔室模块、冷却模块和缓冲腔室模块组成。采用新型腔体和常规腔体进行了单晶Ga_(2)O_(3)薄膜制备实验,对Ga_(2)O_(3)薄膜进行了X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)图谱分析,并采用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察其表面形貌。实验结果表明:采用新型腔体可制备出性能更优的α-Ga_(2)O_(3)、β-Ga_(2)O_(3)薄膜;采用新型腔体和常规腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的(006)晶面的半峰宽分别为0.172°、0.272°,表面粗糙度分别为25.6 nm和26.8 nm,可见采用新型腔体制备的α-Ga_(2)O_(3)具有更优的结晶度、表面平整性和致密度。通过新型腔体的设计,构建了更有利于单晶Ga_(2)O_(3)薄膜生长的稳定环境,为Ga_(2)O_(3)薄膜制备工艺的优化提供了可靠路径。研究结果为制备高品质金属氧化物半导体薄膜提供了参考。; 关键词雾化辅助化学气相沉积新型腔体单晶Ga_(2)O_(3)薄膜工艺优化; Keywords atomization assisted CVD(chemical vapor deposition) new cavity single crystal Ga_(2)O_(3)thin film process optimization; 分类号 TH69 [机械工程—机械制造及自动化] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究	李雄杰宁平凡陈世澳乔思博程红娟王英民牛萍娟	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	雾化辅助化学气相沉积法氧化镓薄膜生长研究	罗月婷肖黎陈远豪梁昌兴龚恒翔	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于mist CVD的高纯相α-Ga_(2)O_(3)生长与光电响应特性研究	姚苏昊张茂林季学强杨莉莉李山郭宇锋唐为华	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究	赵昊余博文李琪李光清刘医源林娜李阳穆文祥贾志泰	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究	丁尔峰崔容强周之斌赵亮于化丛赵占霞	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	雾化辅助CVD腔体的优化设计与实现	樊俊良肖黎罗月婷陈刚瞿小林唐毅龚恒翔	《工程设计学报》 CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料