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基于温度补偿的1V CMOS电流基准源被引量：1: 1; 作者朱冬勇杨银堂 +2 位作者朱樟明朱文举徐俊平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期339-342,共4页; 利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectr... 展开更多; 关键词零温度系数温度补偿超低压互补型金属氧化物晶体管电流基准; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于最优控制电压的高鲁棒性PUF电路设计被引量：7: 2; 作者汪鹏君张学龙张跃军《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期907-910,共4页; 物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)电路作为一种新型的信息安全电路,依赖集成电路制造过程中硅器件的固有工艺偏差产生密钥.本文提出一种高鲁棒性PUF电路设计方案,首先分析MOSFET在零温度系数点(Zero Temperature Co... 展开更多; 关键词物理不可克隆函数零温度系数点鲁棒性电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

MgO-TiO_2-CaO系统介电性能的研究被引量：3: 3; 作者颜海洋吴顺华苏皓《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期486-489,共4页; 首先研究了不同组成的MgO-TiO2-CaO(MTC)系统的介电性能。偏钛酸镁(MgTiO3)具有正温度系数。钛酸钙具有较大的负温度系数,用它来调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零。同时向系统中加入玻璃,玻璃在烧结中形成液相,加速MTC系统的烧... 展开更多; 关键词 MTC系统介电性能零温度系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计被引量：2: 4; 作者刘莉杨银堂《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期219-223,共5页; 目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零... 展开更多; 关键词 6H-SIC CMOS OPAMP 零温度系数泄漏电流匹配温度稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准被引量：1: 5; 作者刘锡锋王津飞 +1 位作者林婵居水荣《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期117-123,共7页; 工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZT... 展开更多; 关键词电压基准 MOSFET 零温度系数(ZTC) 曲率补偿熔丝修调电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

LM334的特殊应用被引量：10: 6; 作者陈颐容《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2006年第12期58-59,共2页; 三端可调恒流源器件LM334既可作为恒流器件使用,也可以利用其恒流特性在多个场合做一些特殊使用。设计为温度传感器,将温度变化转换为电流的变化。用它作为温度检测装置,其优点是成本低、无需精密电压放大、冷端补偿。在并联稳压电源中... 展开更多; 关键词恒流源温度传感器零温度系数冷端补偿; 在线阅读下载PDF 职称材料

CaWO_4-Li_2WO_4陶瓷低温烧结特性及微波性能研究: 7; 作者章著苏桦 +3 位作者唐晓莉张磊江超荆玉兰《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期263-265,共3页; 采用固相反应法制备了(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x≤0.14)微波陶瓷,研究了Li2WO4作为第二相对CaWO4微波陶瓷的低温烧结特性和微波性能的影响。结果表明,Li2WO4相的存在能明显降低CaWO4的烧结温度,并且随着x的增加,(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x... 展开更多; 关键词微波介电性能低温共烧陶瓷(LTCC) CaWOa—LizWOa陶瓷低损耗零谐振频率温度系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于温度补偿的1V CMOS电流基准源被引量：1: 1; 作者朱冬勇杨银堂朱樟明朱文举徐俊平; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期339-342,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60476046) 教育部博士点基金资助项目(20050701015); 文摘利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10^-6,功耗为53.5μW。; 关键词零温度系数温度补偿超低压互补型金属氧化物晶体管电流基准; Keywords ZTC temperature compensation ultra-low voltage CMOS current reference; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于最优控制电压的高鲁棒性PUF电路设计被引量：7: 2; 作者汪鹏君张学龙张跃军; 机构宁波大学电路与系统研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期907-910,共4页; 基金国家自然科学基金(No.61274132 No.61474068 +2 种基金 No.61234002) 博士点基金(No.20113305110005) 浙江省自然科学基金(No.Q14F04002); 文摘物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)电路作为一种新型的信息安全电路,依赖集成电路制造过程中硅器件的固有工艺偏差产生密钥.本文提出一种高鲁棒性PUF电路设计方案,首先分析MOSFET在零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC)的工作特性,然后结合提高PUF电路鲁棒性的途径,确定PUF电路的结构及最优控制电压,最终达到密钥稳定可靠的目的.在TSMC 65nm CMOS工艺下对所设计的PUF电路进行版图设计,面积为14.89μm×12.14μm.实验结果显示在最优控制电压下PUF电路的鲁棒性最低为96%.; 关键词物理不可克隆函数零温度系数点鲁棒性电路设计; Keywords physical unclonable functions zero temperature coefficient robustness circuit design; 分类号 TP331 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MgO-TiO_2-CaO系统介电性能的研究被引量：3: 3; 作者颜海洋吴顺华苏皓; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第6期486-489,共4页; 文摘首先研究了不同组成的MgO-TiO2-CaO(MTC)系统的介电性能。偏钛酸镁(MgTiO3)具有正温度系数。钛酸钙具有较大的负温度系数,用它来调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零。同时向系统中加入玻璃,玻璃在烧结中形成液相,加速MTC系统的烧结并改善其介电性能。获得了一种性能良好的零温度系数陶瓷材料。; 关键词 MTC系统介电性能零温度系数; Keywords MTC system dielectric properties zero temperature coefficient; 分类号 TM534 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计被引量：2: 4; 作者刘莉杨银堂; 机构西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期219-223,共5页; 基金教育部重点科技基金资助项目(02074) 国家部委预研基金资助项目(41308060105); 文摘目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零温度系数点来稳定偏置电路。结果利用Hspice进行仿真,当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到600K的-80dB。由于SiC MOS器件沟道迁移率低导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP。结论此电路可以在高温下稳定工作,但是单管的性能较Si单管差。; 关键词 6H-SIC CMOS OPAMP 零温度系数泄漏电流匹配温度稳定性; Keywords SiC CMOS OPAMP zero temperature coefficient leakage current matching temperature stability; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准被引量：1: 5; 作者刘锡锋王津飞林婵居水荣; 机构江苏信息职业技术学院微电子学院江苏省专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期117-123,共7页; 基金江苏省教育厅“青蓝工程”优秀教学团队资助项目(苏教师(2019)3号) 江苏省专用集成电路设计重点实验室开放基金资助项目(2020KLOP004)。; 文摘工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。; 关键词电压基准 MOSFET 零温度系数(ZTC) 曲率补偿熔丝修调电路; Keywords voltage reference MOSFET zero temperature coefficient(ZTC) curvature compensation fuse trimming circuit; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LM334的特殊应用被引量：10: 6; 作者陈颐容; 机构北京京陆传感器仪表有限公司; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2006年第12期58-59,共2页; 文摘三端可调恒流源器件LM334既可作为恒流器件使用,也可以利用其恒流特性在多个场合做一些特殊使用。设计为温度传感器,将温度变化转换为电流的变化。用它作为温度检测装置,其优点是成本低、无需精密电压放大、冷端补偿。在并联稳压电源中的应用,利用LM334恒流特性的优点不仅能提供稳定电压,而且能够快速提供电流。介绍了这些特殊应用的原理以及实际应用中所要解决的问题。; 关键词恒流源温度传感器零温度系数冷端补偿; 分类号 TP21 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CaWO_4-Li_2WO_4陶瓷低温烧结特性及微波性能研究: 7; 作者章著苏桦唐晓莉张磊江超荆玉兰; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期263-265,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(51072029,61271038) 四川省科技支撑计划基金资助项目(2013GZX0144); 文摘采用固相反应法制备了(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x≤0.14)微波陶瓷,研究了Li2WO4作为第二相对CaWO4微波陶瓷的低温烧结特性和微波性能的影响。结果表明,Li2WO4相的存在能明显降低CaWO4的烧结温度,并且随着x的增加,(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x≤0.14)陶瓷体系的最佳烧结温度降低。当x=0.1,在900℃下烧结2h,该陶瓷材料的介电常数εr=9.002,品质因数与频率之积Q×f=11.76×104 GHz,谐振频率温度系数τf=-55×10-6/℃。在此基础上采用w(CaTiO3)=5.0%调节其谐振频率温度系数到0,调节后的微波介电性能为εr=10.312,Q×f=5.36×104 GHz。; 关键词微波介电性能低温共烧陶瓷(LTCC) CaWOa—LizWOa陶瓷低损耗零谐振频率温度系数; Keywords microwave dielectric properties LTCC CaWO4-Li2WO4 10w loss rlf=0; 分类号 TM28 [一般工业技术—材料科学与工程] TN604 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于温度补偿的1V CMOS电流基准源	朱冬勇杨银堂朱樟明朱文举徐俊平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于最优控制电压的高鲁棒性PUF电路设计	汪鹏君张学龙张跃军	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MgO-TiO_2-CaO系统介电性能的研究	颜海洋吴顺华苏皓	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计	刘莉杨银堂	《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准	刘锡锋王津飞林婵居水荣	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	LM334的特殊应用	陈颐容	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2006	10	在线阅读下载PDF 职称材料
7	CaWO_4-Li_2WO_4陶瓷低温烧结特性及微波性能研究	章著苏桦唐晓莉张磊江超荆玉兰	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料